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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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1月1N6346 | 9.9000 | ![]() | 1501 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6346 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 62 V | 82 v | 220欧姆 | ||
1月1N6350 | 9.9000 | ![]() | 5625 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6350 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 91 V | 120 v | 600欧姆 | ||
1月1N757C-1 | 5.1900 | ![]() | 8151 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N757 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 | ||
Jan1n757d-1 | 6.4950 | ![]() | 2685 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N757 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N757DUR-1 | 23.9550 | ![]() | 5028 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N757 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 | |
1月1N758C-1 | 5.1900 | ![]() | 2338 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N758 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N963CUR-1 | 28.8000 | ![]() | 2842 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N963 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 11.5欧姆 | |
1月1N964C-1 | 4.8600 | ![]() | 7746 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N964 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 13欧姆 | ||
JANTX1N966CUR-1 | 14.4150 | ![]() | 8418 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N966 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17欧姆 | ||
JANTX1N966DUR-1 | 18.0300 | ![]() | 4356 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N966 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17欧姆 | ||
JANTX1N967D-1 | 6.9000 | ![]() | 8891 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N967 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | ||
JANTXV1N968B-1 | - | ![]() | 6641 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | |||
![]() | 1月1N968BUR-1 | 3.9600 | ![]() | 1348 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N968 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | |
JANTX1N968CUR-1 | 10.7550 | ![]() | 7411 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N968 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N970BUR-1 | 7.5600 | ![]() | 4081 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N970 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 18 V | 24 V | 33欧姆 | |
JANTXV1N971C-1 | 8.9100 | ![]() | 3593 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N971 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 21 V | 27 V | 41欧姆 | ||
JANTX1N972C-1 | 5.6850 | ![]() | 6634 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N972 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 23 V | 30 V | 49欧姆 | ||
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JAN1N748D-1 | 6.4950 | ![]() | 4049 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N748 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | ||
JANTX1N748D-1 | 7.2600 | ![]() | 4039 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N748 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | ||
JANTXV1N749C-1 | 11.3850 | ![]() | 6839 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N749 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | ||
Jan1n749d-1 | 6.4950 | ![]() | 3966 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N749 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | ||
JANTXV1N752C-1 | 11.3850 | ![]() | 2637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N752 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 11欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N752DUR-1 | 23.9550 | ![]() | 4578 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N752 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 11欧姆 | |
JANTX1N753C-1 | 6.4200 | ![]() | 7746 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N753 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 v | 7欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N754DUR-1 | 23.9550 | ![]() | 5345 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N754 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 5欧姆 | |
![]() | JANTXV1N755CUR-1 | 19.1700 | ![]() | 9091 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N755 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 6欧姆 | |
![]() | 1月1N973CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 2629 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N973 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 25 V | 33 V | 58欧姆 | |
JANTXV1N975B-1 | 3.4800 | ![]() | 5405 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N975 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 30 V | 39 v | 80欧姆 | ||
1月1N975C-1 | 4.3950 | ![]() | 8726 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N975 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 30 V | 39 v | 80欧姆 |
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