SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTXV1N4955 Microchip Technology JANTXV1N4955 9.6900
RFQ
ECAD 4277 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4955 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 100 µA @ 5.7 V 7.5 v 1.5欧姆
JANTXV1N4959 Microchip Technology JANTXV1N4959 7.7250
RFQ
ECAD 1253 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4959 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 8.4 V 11 V 2.5欧姆
JANTXV1N4960 Microchip Technology JANTXV1N4960 10.8750
RFQ
ECAD 8144 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4960 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 2.5欧姆
JANTXV1N4961 Microchip Technology JANTXV1N4961 7.6500
RFQ
ECAD 1414 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4961 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 3欧姆
JANTXV1N4962 Microchip Technology JANTXV1N4962 7.7250
RFQ
ECAD 6677 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4962 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 11.4 V 15 v 3.5欧姆
JANTXV1N4963US Microchip Technology JANTXV1N4963US 15.9750
RFQ
ECAD 3387 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4963 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 12.2 V 16 V 3.5欧姆
JANTXV1N4971US Microchip Technology JANTXV1N4971US -
RFQ
ECAD 1675年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
JANTXV1N4972 Microchip Technology JANTXV1N4972 10.2900
RFQ
ECAD 2251 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4972 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 29.7 V 39 v 14欧姆
JANTXV1N4972US Microchip Technology JANTXV1N4972US 15.9750
RFQ
ECAD 3544 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4972 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 29.7 V 39 v 15欧姆
JANTXV1N4974US Microchip Technology JANTXV1N4974US -
RFQ
ECAD 8093 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 35.8 V 47 V 25欧姆
JANTXV1N4977US Microchip Technology JANTXV1N4977US 15.9750
RFQ
ECAD 5364 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4977 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 47.1 V 62 v 42欧姆
JANTXV1N4985 Microchip Technology JANTXV1N4985 19.9650
RFQ
ECAD 7291 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4985 5 w - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 98.8 V 130 v 190欧姆
JANTXV1N4987 Microchip Technology JANTXV1N4987 19.9650
RFQ
ECAD 5062 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4987 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 121.6 V 160 v 350欧姆
JANTXV1N4988 Microchip Technology JANTXV1N4988 -
RFQ
ECAD 8527 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 136.8 V 180 v 450欧姆
JANTXV1N4988US Microchip Technology JANTXV1N4988US 21.6900
RFQ
ECAD 3197 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4988 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 136.8 V 180 v 450欧姆
JANTXV1N5415US Microchip Technology JANTXV1N5415US -
RFQ
ECAD 1762年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 在sic中停产 表面安装 SQ-MELF,E 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 50 V -65°C〜175°C 3a -
JANTXV1N5416 Microchip Technology JANTXV1N5416 -
RFQ
ECAD 7390 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 在sic中停产 通过洞 B,轴向 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a -
JANTXV1N5614 Microchip Technology JANTXV1N5614 8.8200
RFQ
ECAD 1921年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5614 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 na @ 200 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTXV1N5614US Microchip Technology JANTXV1N5614US 10.1550
RFQ
ECAD 5942 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N5614 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 na @ 200 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTXV1N5615 Microchip Technology JANTXV1N5615 11.8350
RFQ
ECAD 4394 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/429 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5615 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.6 V @ 3 A 150 ns 500 na @ 200 V -65°C〜175°C 1a 45pf @ 12V,1MHz
JANTXV1N5616 Microchip Technology JANTXV1N5616 13.4000
RFQ
ECAD 79 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5616 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 400 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTXV1N5618 Microchip Technology JANTXV1N5618 7.8750
RFQ
ECAD 8759 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5618 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 600 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTXV1N5622US Microchip Technology JANTXV1N5622U 16.6650
RFQ
ECAD 1279 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N5622 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 1000 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTXV1N5804US Microchip Technology JANTXV1N5804US -
RFQ
ECAD 1791年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 大部分 在sic中停产 表面安装 SQ-MELF,a 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N5806 Microchip Technology JANTXV1N5806 9.7650
RFQ
ECAD 9476 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5806 标准 a,轴向 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 150 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N5806US Microchip Technology JANTXV1N5806US 10.6400
RFQ
ECAD 175 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N5806 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 150 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N5807 Microchip Technology JANTXV1N5807 15.3750
RFQ
ECAD 8944 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5807 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 3a 65pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N5809US Microchip Technology JANTXV1N5809US 12.3150
RFQ
ECAD 8130 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,b 1N5809 标准 B,平方米 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N5811US Microchip Technology JANTXV1N5811US 12.3150
RFQ
ECAD 2382 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,b 1N5811 标准 B,平方米 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N6074 Microchip Technology JANTXV1N6074 18.2550
RFQ
ECAD 4653 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/503 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N6074 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 2.04 V @ 9.4 A 30 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜155°C 850mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库