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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANTXV1N4955 | 9.6900 | ![]() | 4277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4955 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 v | 1.5欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4959 | 7.7250 | ![]() | 1253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4959 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4960 | 10.8750 | ![]() | 8144 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4960 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 2.5欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4961 | 7.6500 | ![]() | 1414 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4961 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4962 | 7.7250 | ![]() | 6677 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4962 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 3.5欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4963US | 15.9750 | ![]() | 3387 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4963 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 3.5欧姆 | |||||||||
JANTXV1N4971US | - | ![]() | 1675年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4972 | 10.2900 | ![]() | 2251 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4972 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 29.7 V | 39 v | 14欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4972US | 15.9750 | ![]() | 3544 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4972 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 29.7 V | 39 v | 15欧姆 | |||||||||
JANTXV1N4974US | - | ![]() | 8093 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 35.8 V | 47 V | 25欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4977US | 15.9750 | ![]() | 5364 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4977 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 47.1 V | 62 v | 42欧姆 | |||||||||
JANTXV1N4985 | 19.9650 | ![]() | 7291 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4985 | 5 w | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 98.8 V | 130 v | 190欧姆 | |||||||||
JANTXV1N4987 | 19.9650 | ![]() | 5062 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4987 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 121.6 V | 160 v | 350欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4988 | - | ![]() | 8527 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 136.8 V | 180 v | 450欧姆 | |||||||||||
JANTXV1N4988US | 21.6900 | ![]() | 3197 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4988 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 136.8 V | 180 v | 450欧姆 | |||||||||
JANTXV1N5415US | - | ![]() | 1762年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||
![]() | JANTXV1N5416 | - | ![]() | 7390 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||
JANTXV1N5614 | 8.8200 | ![]() | 1921年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5614 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 200 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||||||
JANTXV1N5614US | 10.1550 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5614 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 200 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||||||
JANTXV1N5615 | 11.8350 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/429 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5615 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.6 V @ 3 A | 150 ns | 500 na @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 45pf @ 12V,1MHz | |||||||
![]() | JANTXV1N5616 | 13.4000 | ![]() | 79 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5616 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||
![]() | JANTXV1N5618 | 7.8750 | ![]() | 8759 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5618 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||
JANTXV1N5622U | 16.6650 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5622 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||||||
JANTXV1N5804US | - | ![]() | 1791年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | ||||||||
![]() | JANTXV1N5806 | 9.7650 | ![]() | 9476 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5806 | 标准 | a,轴向 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | ||||||
JANTXV1N5806US | 10.6400 | ![]() | 175 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5806 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | |||||||
![]() | JANTXV1N5807 | 15.3750 | ![]() | 8944 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5807 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 3a | 65pf @ 10V,1MHz | ||||||
![]() | JANTXV1N5809US | 12.3150 | ![]() | 8130 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5809 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V,1MHz | ||||||
![]() | JANTXV1N5811US | 12.3150 | ![]() | 2382 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5811 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V,1MHz | ||||||
JANTXV1N6074 | 18.2550 | ![]() | 4653 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/503 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N6074 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 2.04 V @ 9.4 A | 30 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 850mA | - |
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