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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 Rohs状态 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JANS1N6490C Microchip Technology JANS1N6490C -
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1.5 w do-41 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 1 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
JANS1N6632C Microchip Technology JANS1N6632C -
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 E，轴向 5 w E，轴向 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 300 µA @ 1 V 3.3 v 3欧姆
JANS1N6633D Microchip Technology JANS1N6633D -
RFQ
 ECAD 7960 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 E，轴向 5 w E，轴向 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 µA @ 1 V 3.6 v 2.5欧姆
JANS1N6633DUS Microchip Technology JANS1N6633DUS -
RFQ
 ECAD 3112 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 µA @ 1 V 3.6 v 2.5欧姆
JANS1N6633US Microchip Technology JANS1N6633US -
RFQ
 ECAD 9863 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 µA @ 1 V 3.6 v 2.5欧姆
JANS1N6635C Microchip Technology JANS1N6635C -
RFQ
 ECAD 3589 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 E，轴向 5 w E，轴向 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 1 V 4.3 v 2欧姆
JANS1N6635CUS Microchip Technology JANS1N6635CUS -
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 1 V 4.3 v 2欧姆
JANS1N6635US Microchip Technology JANS1N6635US -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 1 V 4.3 v 2欧姆
JANS1N6637C Microchip Technology JANS1N6637C -
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 E，轴向 5 w E，轴向 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 5.1 v 1.5欧姆
JANS1N6637CUS Microchip Technology JANS1N6637CUS -
RFQ
 ECAD 5775 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 5.1 v 1.5欧姆
JANS1N935BUR-1 Microchip Technology JANS1N935BUR-1 -
RFQ
 ECAD 1852年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/156 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20欧姆
JANS1N937B-1 Microchip Technology JANS1N937B-1 -
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/156 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20欧姆
JANS1N941BUR-1 Microchip Technology JANS1N941BUR-1 -
RFQ
 ECAD 5211 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/157 大部分 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
JANS1N942BUR-1 Microchip Technology JANS1N942BUR-1 -
RFQ
 ECAD 9148 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/157 大部分 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
JANTX1N2804RB Microchip Technology JANTX1N2804RB -
RFQ
 ECAD 7920 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2804 50 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 150 µA @ 4.5 V 6.8 v 0.2欧姆
JANTX1N2805B Microchip Technology JANTX1N2805B -
RFQ
 ECAD 8147 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2805 50 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 100 µA @ 5 V 7.5 v 0.3欧姆
JANTX1N2807RB Microchip Technology JANTX1N2807RB -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2807 25 w TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 25 µA @ 6.1 V 9.1 v 0.5欧姆
JANTX1N2809RB Microchip Technology JANTX1N2809RB -
RFQ
 ECAD 2439 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2809 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 8.4 V 11 V 0.8欧姆
JANTX1N2810RB Microchip Technology JANTX1N2810RB -
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2810 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 1欧姆
JANTX1N2814RB Microchip Technology JANTX1N2814RB -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2814 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 12.2 V 16 V 1.6欧姆
JANTX1N2816RB Microchip Technology JANTX1N2816RB -
RFQ
 ECAD 6304 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2816 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 13.7 V 18 V 2欧姆
JANTX1N2819RB Microchip Technology JANTX1N2819RB -
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2819 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 16.7 V 22 v 2.5欧姆
JANTX1N2823RB Microchip Technology JANTX1N2823RB -
RFQ
 ECAD 3790 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2823 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 22.8 V 30 V 3欧姆
JANTX1N2825RB Microchip Technology JANTX1N2825RB -
RFQ
 ECAD 6541 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2825 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 27.4 V 36 V 3.5欧姆
JANTX1N2827RB Microchip Technology JANTX1N2827RB -
RFQ
 ECAD 5741 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2827 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 32.7 V 43 V 4.5欧姆
JANTX1N2832B Microchip Technology JANTX1N2832B -
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2832 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 42.6 V 56 v 6欧姆
JANTX1N2832RB Microchip Technology JANTX1N2832RB -
RFQ
 ECAD 4702 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2832 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 42.6 V 56 v 6欧姆
JANTX1N2838B Microchip Technology JANTX1N2838B -
RFQ
 ECAD 3051 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2838 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 76 V 100 v 20欧姆
JANTX1N2841RB Microchip Technology JANTX1N2841RB -
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2841 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 91.2 V 120 v 40欧姆
JANTX1N2845RB Microchip Technology JANTX1N2845RB -
RFQ
 ECAD 6331 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2845 10 W TO-204AD（TO-3） Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 136.8 V 180 v 90欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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