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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
1N3022BUR-1 Microchip Technology 1N3022BUR-1 15.3000
RFQ
 ECAD 1141 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3022 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
1N3023BUR-1 Microchip Technology 1N3023BUR-1 15.3000
RFQ
 ECAD 5679 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3023 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
1N3024B-1 Microchip Technology 1N3024B-1 -
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5％ -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N3024 1 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
1N3024BUR-1 Microchip Technology 1N3024BUR-1 15.3000
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3024 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
1N3025BUR-1 Microchip Technology 1N3025BUR-1 15.3000
RFQ
 ECAD 1708年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3025 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 12.2 V 16 V 16欧姆
1N3026B-1 Microchip Technology 1N3026B-1 8.1900
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N3026 1 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 13.7 V 18 V 20欧姆
1N3030BUR-1 Microchip Technology 1N3030BUR-1 15.3000
RFQ
 ECAD 9576 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3030 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 20.6 V 27 V 35欧姆
1N3031BUR-1 Microchip Technology 1N3031BUR-1 15.3000
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3031 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 22.8 V 30 V 40欧姆
1N3032B-1 Microchip Technology 1N3032B-1 8.1900
RFQ
 ECAD 8380 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N3032 1 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 25.1 V 33 V 45欧姆
1N3033B-1 Microchip Technology 1N3033B-1 8.1900
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N3033 1 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 27.4 V 36 V 50欧姆
1N3033BUR-1 Microchip Technology 1N3033BUR-1 -
RFQ
 ECAD 4119 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3033 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 27.4 V 36 V 50欧姆
1N3035B-1 Microchip Technology 1N3035B-1 -
RFQ
 ECAD 7278 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5％ -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N3035 1 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 32.7 V 43 V 70欧姆
1N3043BUR-1 Microchip Technology 1N3043BUR-1 15.3000
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3043 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
1N3044BUR-1 Microchip Technology 1N3044BUR-1 15.3000
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3044 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
1N3045BUR-1 Microchip Technology 1N3045BUR-1 15.3000
RFQ
 ECAD 3829 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N3045 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 83.6 V 110 v 450欧姆
1N3070UR-1 Microchip Technology 1N3070UR-1 7.0200
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N3070 标准 do-7 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 175 v 1 V @ 100 ma 50 ns 100 NA @ 175 V -65°C〜175°C 100mA -
1N3305RA Microchip Technology 1N3305RA 49.3800
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3305 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 300 µA @ 4.5 V 6.8 v 0.2欧姆
1N3306B Microchip Technology 1N3306B 49.3800
RFQ
 ECAD 9073 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3306 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 125 µA @ 5 V 7.5 v 0.3欧姆
1N3308A Microchip Technology 1N3308A 49.3800
RFQ
 ECAD 1353 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3308 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 25 µA @ 6.1 V 9.1 v 0.5欧姆
1N3308RA Microchip Technology 1N3308RA 49.3800
RFQ
 ECAD 8652 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3308 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 25 µA @ 6.1 V 9.1 v 0.5欧姆
1N3311A Microchip Technology 1N3311A 49.3800
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3311 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 1欧姆
1N3311RA Microchip Technology 1N3311RA 49.3800
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3311 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 1欧姆
1N3312RA Microchip Technology 1N3312RA 49.3800
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3312 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 1.1欧姆
1N3313A Microchip Technology 1N3313A 49.3800
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3313 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 14 V 1.2欧姆
1N3313RB Microchip Technology 1N3313RB 49.3800
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3313 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 14 V 1.2欧姆
1N3314A Microchip Technology 1N3314A 49.3800
RFQ
 ECAD 7520 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3314 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 15 v 1.4欧姆
1N3314B Microchip Technology 1N3314B 49.3800
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3314 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 15 v 1.4欧姆
1N3316B Microchip Technology 1N3316B 49.3800
RFQ
 ECAD 3863 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3316 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 13 V 17 V 1.8欧姆
1N3317A Microchip Technology 1N3317A 49.3800
RFQ
 ECAD 5630 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3317 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 13.7 V 18 V 2欧姆
1N3317B Microchip Technology 1N3317B 49.3800
RFQ
 ECAD 1806年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3317 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 13.7 V 18 V 2欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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