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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
UM9604	-	RFQ	2469	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）		轴向				轴向	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		100 ma	1.5 w							1.2pf @ 100V，1MHz	PIN-单	400V			600MOHM @ 100mA，100MHz
1N4736AP/TR8	1.8900	RFQ	1799年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4736		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V						6.8 v	3.5欧姆
1N4739AP/TR8	1.8900	RFQ	1976年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4739		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7 V						9.1 v	5欧姆
1N5252B（DO-35）	0.2700	RFQ	14	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5252		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 18 V						24 V	33欧姆
2EZ13D5	1.5000	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ13		2 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V						13 V	5欧姆
UPR5E3/TR7	0.7000	RFQ	29	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR5	标准		do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			50 V	975 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2.5a	-
UPS1040E3/TR13	0.9300	RFQ	4708	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerMite®3	UPS1040	肖特基		Powermite 3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V	510 MV @ 10 A		300 µA @ 35 V	-55°C〜150°C	10a	700pf @ 4V，1MHz
UPS120E3/TR7	0.5000	RFQ	5	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS120	肖特基		PowerMite 1（DO216-AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			20 v	450 MV @ 1 A		400 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
UPS140E3/TR7	0.5000	RFQ	2525	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS140	肖特基		PowerMite 1（DO216-AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V	450 MV @ 1 A		400 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
UPS3100E3/TR13	1.5200	RFQ	9	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerMite®3	UPS3100	肖特基		Powermite 3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			100 v	760 mv @ 3 a		200 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	3a	85pf @ 4V，1MHz
UPS340E3/TR13	0.7200	RFQ	13	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerMite®3	UPS340	肖特基		Powermite 3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V	500 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	3a	180pf @ 4V，1MHz
UPS360E3/TR13	0.6750	RFQ	2178	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerMite®3	UPS360	肖特基		Powermite 3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			60 V	630 MV @ 3.5 A		200 µA @ 60 V	-55°C〜125°C	3a	130pf @ 4V，1MHz
UPS5817E3/TR7	0.5000	RFQ	3164	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS5817	肖特基		PowerMite 1（DO216-AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			20 v	450 MV @ 1 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	1a	-
UPS835LE3/TR13	2.1200	RFQ	5	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerMite®3	UPS835	肖特基		Powermite 3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			35 v	510 MV @ 8 A		1.4 mA @ 35 V	-55°C〜125°C	8a	-
SBR8050	131.4300	RFQ	7579	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	SBR8050	肖特基			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SBR8050-NDR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			50 V	740 mv @ 80 a		2 ma @ 50 V		80a	-
1N5825	55.6000	RFQ	97	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向	1N5825	肖特基		顶礼	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V	380 mv @ 5 a		10 mA @ 40 V		5a	-
1N6624	-	RFQ	1575年	微芯片技术	-	包	在sic中停产			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q2110192	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			990 v	1.55 V @ 500 mA	60 ns	500 NA @ 900 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
1N3903	48.5400	RFQ	8741	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3903	标准		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
CDLL4567A	10.1400	RFQ	5683	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	DO-213AA（）	CDLL4567		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	200欧姆
JANTXV1N989CUR-1	-	RFQ	4400	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V						150 v	1500欧姆
JANTXV1N989D-1	-	RFQ	7420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V						150 v	1500欧姆
JANTXV1N990B-1	-	RFQ	6857	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V						160 v	1700欧姆
JANTXV1N990BUR-1	-	RFQ	5777	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V						160 v	1700欧姆
JANTXV1N991C-1	-	RFQ	5992	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 137 V						180 v	2200欧姆
JANTXV1N991CUR-1	-	RFQ	2523	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 137 V						180 v	2200欧姆
JANTXV1N992D-1	-	RFQ	1112	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 152 V						200 v	2500欧姆
JANS1N3595A-1	-	RFQ	6812	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			125 v	1 V @ 200 MA	3 µs	2 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	-
JANS1N4101-1	33.7800	RFQ	2204	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V						8.2 v	200欧姆
JANS1N4101C-1	67.5450	RFQ	5530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V						8.2 v	200欧姆
JANS1N4101D-1	101.3250	RFQ	3775	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V						8.2 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²