RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1月1N4968	6.0000	RFQ	5092	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4968		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 20.6 V				27 V	6欧姆
UT3010	9.2550	RFQ	9937	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		标准		b	-			到达不受影响	150-UT3010	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v	1 V @ 2 A		5 µA @ 100 V	-195°C〜175°C	3a	-
CDLL5269B/TR	3.3516	RFQ	9987	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5269B/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		100 na @ 68 V				87 v	370欧姆
JANTXV1N4466DUS	-	RFQ	6681	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
JANTXV1N5418/TR	10.0200	RFQ	1887年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5418/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N4481US/TR	10.2410	RFQ	7669	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4481US/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
1N6941UTK3CS	267.2850	RFQ	5675	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-1N6941UTK3CS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V	500 mv @ 50 a		5 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	150a	7500pf @ 5V，1MHz
1N3035B-1	-	RFQ	7278	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3035		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
1N3070UR	9.0600	RFQ	6696	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N3070ur	Ear99	8541.10.0080	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		200 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 NA @ 175 V	-	100mA	-
Jan1n74777aur-1/tr	4.0831	RFQ	5060	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N74777.AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
CDLL5919BE3	3.6575	RFQ	3815	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5919BE3	Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	2欧姆
1N5525BE3/tr	2.4450	RFQ	2539	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5525BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	391				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
JANTXV1N3821DUR-1/TR	55.1418	RFQ	8545	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3821DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
JANTXV1N4461US	17.2200	RFQ	3015	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4461		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 MA		5 µA @ 4.08 V				6.8 v	2.5欧姆
JANTXV1N5712UR-1/TR	60.0900	RFQ	6701	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5712UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
1N3741R	158.8200	RFQ	9927	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N3741R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 800 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTX1N4954	6.3300	RFQ	6395	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4954		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
1N5711UBD/tr	32.3600	RFQ	3213	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-							100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	50 V	1 V @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C
CDLL5224	2.8650	RFQ	5062	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5224		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.8 v	30欧姆
JANTXV1N4468CUS	45.1350	RFQ	3960	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4468CUS	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		50 NA @ 10.4 V				13 V	8欧姆
S2110	33.4500	RFQ	9356	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S2110			1
JANTX1N6631U/TR	28.9350	RFQ	8790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6631U/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1000 v	1.4 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
CDLL5236C/TR	6.9150	RFQ	6335	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5236C/TR	Ear99	8541.10.0050	137				1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V				7.5 v	6欧姆
JANTXV1N2992RB	-	RFQ	5129	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A		10 µA @ 29.7 V				39 v	11欧姆
JANTXV1N5536C-1/TR	20.8544	RFQ	3199	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N555536C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
JANS1N4622DUR-1	481.6350	RFQ	9679	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
1N485	4.2150	RFQ	8197	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N485	标准		do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		180 v	1 V @ 100 ma		25 na @ 180 V	-65°C〜175°C	100mA	-
Jan1n2833b	-	RFQ	7820	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2833		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A		10 µA @ 47.1 V				62 v	7欧姆
JANTXV1N6636CUS	-	RFQ	4101	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V				4.7 v	2欧姆
1N751C	3.8171	RFQ	6294	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N751C	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				5.1 v	17欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²