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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5738B	1.8600	RFQ	1418	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5738		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V				12 v	25欧姆
1N5738D	4.6800	RFQ	3694	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5738		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V				12 v	25欧姆
1N5740C	3.7200	RFQ	7626	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5740		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 10 V				15 v	30欧姆
1N5741B	1.8600	RFQ	5068	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5741		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 11 V				16 V	40欧姆
1N5741D	4.6800	RFQ	1168	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5741		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 11 V				16 V	40欧姆
1N5742B	1.8600	RFQ	1523年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5742		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 12 V				18 V	45欧姆
1N5742D	4.6800	RFQ	2899	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5742		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 12 V				18 V	45欧姆
1N5743C	3.7200	RFQ	4161	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5743		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 14 V				20 v	55欧姆
1N5744D	4.6800	RFQ	6087	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5744		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 15 V				22 v	55欧姆
1N5745B	1.8600	RFQ	6609	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5745		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 17 V				24 V	70欧姆
1N5745C	3.7200	RFQ	2177	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5745		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 17 V				24 V	70欧姆
1N5746C	3.7200	RFQ	4667	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5746		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 19 V				27 V	80欧姆
1N5747C	3.7200	RFQ	4850	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5747		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 21 V				30 V	80欧姆
1N5748B	1.8600	RFQ	5192	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5748		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 23 V				33 V	90欧姆
1N5748C	3.7200	RFQ	1282	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5748		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 23 V				33 V	90欧姆
1N5749D	4.6800	RFQ	7692	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5749		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 25 V				36 V	90欧姆
1N5750B	1.8600	RFQ	7018	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5750		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma	100 na @ 27 V				39 v	130欧姆
1N485A	4.2150	RFQ	8950	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N485	标准		do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	180 v	1 V @ 100 ma	25 na @ 180 V	-65°C〜175°C	100mA	-
1N4896	24.1650	RFQ	3863	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4896		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	400欧姆
1N4897A	49.4550	RFQ	4998	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4897		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	400欧姆
1N4904	23.9700	RFQ	2087	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4904		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	100欧姆
1N4906A	92.1150	RFQ	8898	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4906		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	100欧姆
1N4909A	54.5550	RFQ	4818	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4909		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	50欧姆
1N4910	90.7200	RFQ	6176	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4910		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	50欧姆
1N4911	106.7550	RFQ	5955	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4911		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	50欧姆
1N4913A	53.1600	RFQ	5920	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4913		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	25欧姆
1N4914	91.9500	RFQ	9869	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4914		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	25欧姆
1N4918A	91.6200	RFQ	5722	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4918		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								19.2 v	600欧姆
1N4919A	29.8950	RFQ	4483	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4919		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								19.2 v	300欧姆
1N4920A	71.7900	RFQ	2642	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4920		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1								19.2 v	300欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²