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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4127UR-1/TR	45.8600	RFQ	2104	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4127UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
1 PMT5925E3/TR13	-	RFQ	8022	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
1N5221BUR-1	3.3750	RFQ	4941	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5221		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANS1N4117D-1	101.3100	RFQ	2112	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
1N4906A	92.1150	RFQ	8898	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4906		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									12.8 v	100欧姆
UZ8810	22.4400	RFQ	7451	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8810	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 7.2 V				10 v	7欧姆
JANS1N6345	140.1300	RFQ	5847	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
JANTX1N3331RB	-	RFQ	1303	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3331RB	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 38.8 V				50 V	5欧姆
JANTX1N3043B-1	10.0650	RFQ	7314	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3043		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
JANTXV1N5969	-	RFQ	2561	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响	2266-JANTXV1N5969	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V				6.2 v	1欧姆
CDS5187	-	RFQ	2184	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5187			50
JAN1N5535D-1	17.6700	RFQ	4553	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5535		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
CDLL4574	29.6700	RFQ	9840	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa	CDLL4574		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					100欧姆
1N5539B/tr	2.8861	RFQ	2699	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5539B/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	106欧姆
CDLL5235A	2.8650	RFQ	2623	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5235		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 5 V				6.8 v	5欧姆
1N970B	2.0700	RFQ	9057	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N970		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N970BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	33欧姆
CDLL5263C/TR	6.9150	RFQ	6922	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5263C/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 43 V				56 v	150欧姆
CDLL4752A/TR	3.1255	RFQ	8604	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4752A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1N3910	48.5400	RFQ	5869	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3910	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.4 V @ 50 A	200 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	50a	-
1N1614	38.0550	RFQ	6526	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1614	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.5 V @ 15 A		50 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	15a	-
Jan1n970bur-1/tr	4.0831	RFQ	8365	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N970BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 18 V				24 V	33欧姆
1N4109ur	3.7950	RFQ	7373	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4109		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
JANTXV1N4621DUR-1/TR	34.0081	RFQ	5499	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4621DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
Janhca1n759a	7.2618	RFQ	6423	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n759a	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
1N6010UR-1	3.5850	RFQ	1741年	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6010				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
jankca1n5521b	-	RFQ	5518	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Jankca1n5521b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
CDLL5257B/TR	2.7132	RFQ	6049	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5257B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V				33 V	58欧姆
1N5931APE3/TR12	0.9150	RFQ	1496年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5931		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
1N5358E3/TR12	2.6250	RFQ	6778	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5358		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.8 V				22 v	3.5欧姆
1N5372CE3/TR12	3.3900	RFQ	1342	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²