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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4776A	33.0450	RFQ	8561	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4776		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1									8.5 v	200欧姆
1N4779A	265.5900	RFQ	8389	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4779		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1									8.5 v	200欧姆
1N4781A	33.0450	RFQ	9595	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4781		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1									8.5 v	100欧姆
1N4782A	-	RFQ	7715	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1									8.5 v	100欧姆
1N4784A	265.5900	RFQ	9273	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4784		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1									8.5 v	100欧姆
1N483	4.2150	RFQ	4089	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N483				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1
1N485	4.2150	RFQ	8197	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N485	标准		do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	180 v	1 V @ 100 ma		25 na @ 180 V	-65°C〜175°C	100mA	-
1N5416	6.5200	RFQ	4408	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5416	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5417US	9.7200	RFQ	6557	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5417	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5420U	11.1900	RFQ	6980	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5420	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.5 V @ 9 A	400 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5538B	5.4300	RFQ	2124	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5538		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V				18 V	105欧姆
1N5541B	3.0750	RFQ	6955	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5541		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V				22 v	108欧姆
1N5543B	3.0750	RFQ	2400	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5543		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	110欧姆
1N5551US	7.5000	RFQ	6402	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5551	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
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1N5553US	11.1900	RFQ	2143	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N5553	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5616	3.3200	RFQ	75	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5616	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 400 V	-65°C 〜200°C	1a	-
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1N5617	4.6000	RFQ	901	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5617	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.6 V @ 3 A	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	35pf @ 12V，1MHz
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1N5621	-	RFQ	4240	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.6 V @ 3 A	300 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 12v，1MHz
1N5621US	8.3850	RFQ	1161	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5621	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.6 V @ 3 A	300 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 12v，1MHz
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1N5730C	3.7200	RFQ	4980	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5730		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V				5.6 v	25欧姆
1N5730D	4.6800	RFQ	4755	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5730		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V				5.6 v	25欧姆
1N5733B	1.8600	RFQ	8784	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5733		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	10欧姆
1N5734B	-	RFQ	7415	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5734		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5 V				8.2 v	15欧姆
1N5735C	3.7200	RFQ	2078	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5735		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V				9.1 v	15欧姆
1N5735D	4.6800	RFQ	7533	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5735		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V				9.1 v	15欧姆
1N5736B	1.8600	RFQ	7696	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5736		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V				10 v	20欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²