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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6351US/TR	14.9550	RFQ	2663	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-1N6351US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
DSB1A60	-	RFQ	8479	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB1A60	肖特基		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	690 mv @ 1 a		100 µA @ 80 V	-	1a	-
JANTX1N3044C-1	25.5600	RFQ	3812	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3044		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 76 V				100 v	350欧姆
1N5928CP/TR12	2.2800	RFQ	7628	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5928		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
JANTXV1N6305	-	RFQ	8527	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	70a
1N3003RB	40.3200	RFQ	3638	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3003		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 62.2 V				82 v	25欧姆
1N4742AGE3/tr	3.7200	RFQ	1442	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4742AGE3/tr	Ear99	8541.10.0050	256			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
1N5372BE3/TR8	2.6850	RFQ	3853	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆
CDLL5237A	2.8650	RFQ	1378	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5237		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V				8.2 v	8欧姆
1N4625D	6.5700	RFQ	6368	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4625D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
Jan1n5807urs	17.4750	RFQ	4098	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N5807	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
JAN1N4124CUR-1	22.3200	RFQ	1937年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4124			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
SMAJ5934CE3/TR13	0.6450	RFQ	9548	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5934		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19欧姆
CDLL4482	11.3550	RFQ	1486年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4482		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 40.8 V				51 v	60欧姆
R50340T	158.8200	RFQ	8544	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R50340T			1
JANS1N5802/TR	33.4650	RFQ	8036	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5802/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	875 mv @ 1 a	25 ns		-65°C〜175°C	2a	-
1N5944AP/TR8	1.8600	RFQ	9707	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5944		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆
SMBJ5915CE3/TR13	1.3350	RFQ	3977	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5915		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	7.5欧姆
Jan1n4119ur-1/tr	7.8736	RFQ	8229	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4119UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 21.3 V				28 V	200欧姆
CDLL3039	15.3000	RFQ	7369	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3039		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 47.1 V				62 v	125欧姆
JANS1N4614-1	67.7000	RFQ	456	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4614		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
JANTXV1N2997B	-	RFQ	2680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 38.8 V				51 v	15欧姆
SD4145	63.5250	RFQ	3848	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	SD4145	肖特基		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	SD4145MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	680 mv @ 30 a		1.5 ma @ 45 V	-55°C 〜175°C	30a	-
JANTX1N4981DUS/TR	30.9000	RFQ	4701	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4981DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V				91 v	90欧姆
JANTX1N829UR-1	28.2750	RFQ	1311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	do-213aa	1N829		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
R306040F	49.0050	RFQ	1966年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R306040F			1
JANTX1N3019B-1/TR	8.9908	RFQ	1787年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3019B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	6欧姆
JANS1N4111CUR-1	97.9650	RFQ	3446	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V				17 V	100欧姆
1N5230B	2.7150	RFQ	7483	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5230		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5230BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		50 µA @ 2 V				4.7 v	19欧姆
1N4704ur-1/tr	5.2400	RFQ	7128	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186			1.5 V @ 100 ma		50 na @ 12.9 V				17 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²