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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
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1N5809	7.2400	RFQ	3	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5809	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
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1N5921BUR-1	4.0650	RFQ	7511	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5921		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	2.5欧姆
1N5927BUR-1	4.0650	RFQ	5751	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5927		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
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1N5931BUR-1	4.0650	RFQ	6338	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5931		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
1N5932BUR-1	4.0650	RFQ	2562	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5932		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V				20 v	14欧姆
1N5933BUR-1	4.0650	RFQ	9029	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5933		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V				22 v	17.5欧姆
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1N4734AUR	3.4650	RFQ	3761	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4734		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
1N4735AUR	3.4650	RFQ	1076	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4735		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				6.2 v	2欧姆
1n4749aur	3.4650	RFQ	8962	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4749		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	25欧姆
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1N4758AR	3.4650	RFQ	3025	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4758		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
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1N4770A	-	RFQ	7527	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1									9.1 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²