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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4979CUS/TR	368.3100	RFQ	8253	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4979CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 56 V				75 v	55欧姆
1N5281BE3/tr	3.3117	RFQ	3400	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5281BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V
SMBJ5925B/TR13	1.5600	RFQ	8627	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5925		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
JAN1N3040B-1/TR	8.3524	RFQ	2357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3040B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
1N6660D	183.2850	RFQ	8216	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6660	肖特基		TO-254AA	-			到达不受影响	150-1N6660D	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	45 v	15a	750 MV @ 15 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
1N5809URS/TR	34.3200	RFQ	7656	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-							100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
CD3A20	9.1500	RFQ	1292	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD3A20	Ear99	8541.10.0040	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		550 mv @ 3 a		100 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	3a	-
Jan1n5807/tr	6.7800	RFQ	5853	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5807/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	6a	60pf @ 10V，1MHz
S4250	102.2400	RFQ	4934	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-S4250	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	125a	-
JANS1N4477US/TR	92.0400	RFQ	4176	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4477US/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 26.4 V				33 V	25欧姆
1N2432	102.2400	RFQ	4093	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N2432	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		350 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 350 V	-65°C 〜200°C	100a	-
1N4371A	2.6550	RFQ	8894	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4371		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1n4371am	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N6076US/TR	23.5500	RFQ	4809	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		E-Melf	-							100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.76 V @ 18.8 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜155°C	1.3a	-
1N3666	41.6850	RFQ	8520	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		标准		轴向	-			到达不受影响	150-1N3666	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V		1 V @ 200 MA	300 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜85°C	500mA	-
1N1125AR	38.3850	RFQ	3057	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1125	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	12a	-
JANTX1N6942UTK3AS/TR	506.3700	RFQ	3462	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/726	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基，反极性		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-JANTX1N6942UTK3AS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		460 mv @ 50 a		5 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	150a	7000pf @ 5V，1MHz
UES1003SM/TR	24.3450	RFQ	9066	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-ues1003sm/tr	Ear99	8541.10.0080	1
S2125	33.4500	RFQ	8554	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S2125			1
CDLL5225D/TR	8.5950	RFQ	9619	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5225D/tr	Ear99	8541.10.0050	110					1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
Jan1n3070ur-1	-	RFQ	9520	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		175 v		1 V @ 100 ma			-65°C〜175°C	100mA	-
1N5811urs/tr	34.3200	RFQ	3528	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-							100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
1N483B/TR	5.7855	RFQ	2008	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/118	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N483B/tr	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		70 v		1 V @ 100 ma		25 NA @ 70 V	-65°C 〜200°C	200mA	-
1N1612R	38.3850	RFQ	1818年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N1612R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		50 V		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	7a	-
1N4715UR-1/tr	5.2400	RFQ	2354	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186					1.5 V @ 100 ma		10 na @ 27.3 V				36 V
Jan1n4977us/tr	9.3600	RFQ	1131	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4977US/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
R3711	49.0050	RFQ	3946	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R3711			1
1N5920P/TR8	1.8600	RFQ	1757年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5920		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆
Janhca1n5540d	-	RFQ	2186	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n5540d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V				20 v	100欧姆
JANS1N4995DUS	-	RFQ	7532	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 274 V				360 v	1400欧姆
CDLL4567A	10.1400	RFQ	5683	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	DO-213AA（）	CDLL4567		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²