SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTXV1N757DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N757DUR-1 23.9550
RFQ
ECAD 5028 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N757 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
JAN1N758C-1 Microchip Technology 1月1N758C-1 5.1900
RFQ
ECAD 2338 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N758 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 8 V 10 v 17欧姆
JANTXV1N963CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N963CUR-1 28.8000
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N963 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 11.5欧姆
JANTX1N966DUR-1 Microchip Technology JANTX1N966DUR-1 18.0300
RFQ
ECAD 4356 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N966 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 12 V 16 V 17欧姆
JANTX1N967D-1 Microchip Technology JANTX1N967D-1 6.9000
RFQ
ECAD 8891 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N967 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 14 V 18 V 21欧姆
JANTXV1N968B-1 Microchip Technology JANTXV1N968B-1 -
RFQ
ECAD 6641 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 15 V 20 v 25欧姆
JANTX1N968CUR-1 Microchip Technology JANTX1N968CUR-1 10.7550
RFQ
ECAD 7411 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N968 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 15 V 20 v 25欧姆
JANTXV1N970BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N970BUR-1 7.5600
RFQ
ECAD 4081 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N970 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 18 V 24 V 33欧姆
JANTX1N748D-1 Microchip Technology JANTX1N748D-1 7.2600
RFQ
ECAD 4039 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N748 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
JANTXV1N752C-1 Microchip Technology JANTXV1N752C-1 11.3850
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N752 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2.5 V 5.6 v 11欧姆
JANTXV1N752DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N752DUR-1 23.9550
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N752 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2.5 V 5.6 v 11欧姆
JANTXV1N754DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N754DUR-1 23.9550
RFQ
ECAD 5345 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N754 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 5欧姆
JANTXV1N755CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N755CUR-1 19.1700
RFQ
ECAD 9091 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N755 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 5 V 7.5 v 6欧姆
JAN1N975C-1 Microchip Technology 1月1N975C-1 4.3950
RFQ
ECAD 8726 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N975 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 30 V 39 v 80欧姆
JANTXV1N975D-1 Microchip Technology JANTXV1N975D-1 11.1450
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N975 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 30 V 39 v 80欧姆
JANTXV1N977D-1 Microchip Technology JANTXV1N977D-1 13.2450
RFQ
ECAD 3784 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N977 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 36 V 47 V 105欧姆
JAN1N980CUR-1 Microchip Technology 1月1N980CUR-1 11.3850
RFQ
ECAD 2137 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N980 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 47 V 62 v 185欧姆
JANTXV1N980D-1 Microchip Technology JANTXV1N980D-1 9.4800
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N980 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 47 V 62 v 185欧姆
JAN1N981C-1 Microchip Technology 1月1N981C-1 4.8300
RFQ
ECAD 3331 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N981 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 52 V 68 v 230欧姆
JAN1N982DUR-1 Microchip Technology 1月1N982DUR-1 14.2500
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N982 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 56 V 75 v 270欧姆
JANTXV1N985C-1 Microchip Technology JANTXV1N985C-1 7.5750
RFQ
ECAD 6386 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N985 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 76 V 100 v 500欧姆
JANTXV1N985D-1 Microchip Technology JANTXV1N985D-1 9.4800
RFQ
ECAD 2098 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N985 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 76 V 100 v 500欧姆
JANTX1N5540C-1 Microchip Technology JANTX1N5540C-1 19.5300
RFQ
ECAD 9360 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5540 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 18 V 20 v 100欧姆
JANTXV1N5542DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N5542DUR-1 61.9050
RFQ
ECAD 1671年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5542 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 21.6 V 24 V 100欧姆
JAN1N4971CUS Microchip Technology Jan1n4971cus 21.1650
RFQ
ECAD 8174 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4971 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
JAN1N4973C Microchip Technology 1月1N4973C 14.9250
RFQ
ECAD 5680 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4973 5 w E,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 32.7 V 43 V 20欧姆
JAN1N4976CUS Microchip Technology Jan1n4976cus 23.5500
RFQ
ECAD 3054 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4976 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 42.6 V 56 v 35欧姆
JAN1N4990US Microchip Technology Jan1n4990us 13.2600
RFQ
ECAD 2488 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4990 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 167 V 220 v 550欧姆
JANTXV1N4573A-1 Microchip Technology JANTXV1N4573A-1 14.7600
RFQ
ECAD 9141 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4573 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 100欧姆
JANTX1N4580A-1 Microchip Technology JANTX1N4580A-1 4.8300
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4580 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 3 V 25欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库