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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N5712UR-1/TR	60.0900	RFQ	6701	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5712UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
1N3741R	158.8200	RFQ	9927	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N3741R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 800 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTX1N4954	6.3300	RFQ	6395	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4954		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
1N5711UBD/tr	32.3600	RFQ	3213	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-							100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	50 V	1 V @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C
CDLL5224	2.8650	RFQ	5062	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5224		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.8 v	30欧姆
S2110	33.4500	RFQ	9356	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S2110			1
JANTX1N6631U/TR	28.9350	RFQ	8790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6631U/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1000 v	1.4 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
CDLL5236C/TR	6.9150	RFQ	6335	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5236C/TR	Ear99	8541.10.0050	137				1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V				7.5 v	6欧姆
JANTXV1N2992RB	-	RFQ	5129	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A		10 µA @ 29.7 V				39 v	11欧姆
JANS1N4622DUR-1	481.6350	RFQ	9679	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
1N485	4.2150	RFQ	8197	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N485	标准		do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		180 v	1 V @ 100 ma		25 na @ 180 V	-65°C〜175°C	100mA	-
Jan1n2833b	-	RFQ	7820	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2833		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A		10 µA @ 47.1 V				62 v	7欧姆
JANTXV1N6636CUS	-	RFQ	4101	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V				4.7 v	2欧姆
1N751C	3.8171	RFQ	6294	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N751C	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				5.1 v	17欧姆
JANS1N4980D	374.1920	RFQ	3682	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4980D	Ear99	8541.10.0050	1
1N5931BE3/TR13	0.9900	RFQ	8443	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5931		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
JANTX1N4985DUS/TR	30.9000	RFQ	7114	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4985DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 98.8 V				130 v	190欧姆
1N5357CE3/TR13	1.3350	RFQ	4404	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250				1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
1N4778A/tr	133.4550	RFQ	8140	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4778A/TR	Ear99	8541.10.0050	1										8.5 v	200欧姆
JANTXV1N759C-1/TR	10.2410	RFQ	1720年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N759C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
1N5270/tr	2.2950	RFQ	8060	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5270/tr	Ear99	8541.10.0050	410				1.5 V @ 200 ma		100 na @ 66 V				91 v	400欧姆
Jan1n4488us/tr	10.6050	RFQ	3544	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4488US/TR	Ear99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 1 A		250 na @ 72.8 V				91 v	200欧姆
JANS1N4483CUS/TR	283.9800	RFQ	6067	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4483CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50				1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
1N4684/tr	3.6575	RFQ	2618	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4684/tr	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v
CD5711V	1.8900	RFQ	8016	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		肖特基		死	-			到达不受影响	150-CD5711V	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		50 V	1 V @ 15 ma		200 na @ 50 V	-55°C〜125°C	15mA	2pf @ 0v，1MHz
JAN1N748C-1/TR	4.7481	RFQ	3510	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N748C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
1 PMT4099E3/TR7	0.5400	RFQ	4934	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4099		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.17 V				6.8 v	200欧姆
1N5371BE3/TR8	2.6850	RFQ	1639年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5371		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000				1.2 V @ 1 A		500 NA @ 43 V				60 V	40欧姆
JANTX1N6941UTK3AS/TR	506.5350	RFQ	9446	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6941UTK3AS/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V	500 mv @ 50 a		5 ma @ 30 V	-65°C〜175°C	150a	7500pf @ 5V，1MHz
Jan1n3913ar	-	RFQ	1271	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v	1.4 V @ 50 A	150 ns		-65°C〜150°C	50a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²