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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4697-1/tr	5.0250	RFQ	6727	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4697-1/tr	Ear99	8541.10.0050	188			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V				10 v
JANTX1N3826DUR-1/TR	45.2466	RFQ	9508	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3826DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N5941PE3/TR12	0.9150	RFQ	3677	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5941		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
JANS1N6341C	358.7400	RFQ	1453	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6341C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
CDLL5246B/TR	2.8994	RFQ	1697年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5246B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 12 V				16 V	17欧姆
1N5349B/TR8	2.6800	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5349		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		2 µA @ 8.6 V				12 v	2.5欧姆
CD4731A	1.8354	RFQ	9897	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4731A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
CDLL756C	5.7300	RFQ	6368	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL756C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6 V				8.2 v	8欧姆
JAN1N4104D-1	13.1400	RFQ	9517	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4104			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
JANTX1N746D-1	-	RFQ	3698	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JANTX1N3314RB	-	RFQ	1686年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				15 v	1.4欧姆
1N4593	102.2400	RFQ	7988	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N4593	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	150a	-
Janhca1n55330c	-	RFQ	3932	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n55330c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
SMAJ5940AE3/TR13	0.6450	RFQ	6076	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5940		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
Jan1n4117c-1/tr	9.4430	RFQ	6863	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4117C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
1N5229BUR-1	2.8650	RFQ	3572	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5229		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
JANTX1N6634D	-	RFQ	1093	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
JANTXV1N4965CUS	26.4300	RFQ	4776	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4965CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 15.2 V				20 v	4.5欧姆
1N6351US	14.7750	RFQ	6149	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6351		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
SMBJ5363AE3/TR13	0.8100	RFQ	7018	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5363		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 21.6 V				30 V	8欧姆
1N5621/tr	4.7250	RFQ	4466	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5621/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.6 V @ 3 A	300 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 12v，1MHz
JANTX1N989DUR-1/TR	-	RFQ	5691	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	下载				150-JANTX1N989DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V				150 v	1500欧姆
JANTXV1N4978CUS	40.8900	RFQ	1084	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4978CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 51.7 V				68 v	50欧姆
JANTX1N6322U/TR	16.1861	RFQ	8987	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6322U/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V				8.2 v	5欧姆
CDLL3029B/TR	13.7522	RFQ	6418	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3029B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 na @ 18.2 V				24 V	25欧姆
1N5275B-1	3.3000	RFQ	9088	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5275B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 106 V				140 v	1300欧姆
JANTXV1N4468/TR	12.0631	RFQ	2576	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4468/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 10.4 V				13 V	8欧姆
JANS1N4118UR-1	48.9900	RFQ	1930年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4118		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
JANTXV1N2836B	-	RFQ	5761	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2836		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 62.2 V				82 v	11欧姆
1N2426	102.2400	RFQ	7634	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N2426	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	100a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²