RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5987D	5.1900	RFQ	2225	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5987	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	50 µA @ 1 V	3 V	95欧姆
1N5988A	1.9950	RFQ	2858	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5988	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	75 µA @ 500 mV	3.3 v	100欧姆
1N5989C	4.1550	RFQ	6864	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5989	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	15 µA @ 1 V	3.6 v	90欧姆
1N5990C	4.1550	RFQ	5118	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5990	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V	3.9 v	90欧姆
1N5991A	1.9950	RFQ	3492	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5991	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	15 µA @ 1 V	4.3 v	90欧姆
1N5991D	5.1900	RFQ	6269	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5991	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V	4.3 v	88欧姆
1N5995C	4.1550	RFQ	3235	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5995	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 4 V	6.2 v	10欧姆
1N5995D	5.1900	RFQ	5018	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5995	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 4 V	6.2 v	10欧姆
1N5996A	1.9950	RFQ	8193	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5996	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 3 V	6.8 v	25欧姆
1N5997C	4.1550	RFQ	5999	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5997	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	500 na @ 6 V	7.5 v	7欧姆
1N5998C	4.1550	RFQ	4640	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5998	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.5 V	8.2 v	7欧姆
1N6000D	5.1900	RFQ	3642	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6000	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 8 V	10 v	15欧姆
1N6002A	1.9950	RFQ	4729	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6002	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 8 V	12 v	32欧姆
1N6002D	5.1900	RFQ	1346	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6002	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 9.1 V	12 v	22欧姆
1N6003C	4.4400	RFQ	8180	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6003	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 9.9 V	13 V	25欧姆
1N6003D	-	RFQ	4278	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 9.9 V	13 V	25欧姆
1N6006D	5.1900	RFQ	4531	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6006	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 14 V	18 V	42欧姆
1N6009D	5.1900	RFQ	6339	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6009	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 18 V	24 V	62欧姆
1N6010C	4.1550	RFQ	9106	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6010	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 21 V	27 V	70欧姆
1N6011C	4.1550	RFQ	9920	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6011	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 23 V	30 V	78欧姆
1N6014A	1.9950	RFQ	5365	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6014	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 25 V	39 v	170欧姆
1N6014C	4.1550	RFQ	3282	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6014	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 30 V	39 v	130欧姆
1N6015D	5.1900	RFQ	5079	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6015	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 33 V	43 V	150欧姆
1N6016A	1.9950	RFQ	3643	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6016	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 30 V	47 V	200欧姆
1N6017A	1.9950	RFQ	8132	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6017	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 33 V	51 v	225欧姆
1N6017C	4.1550	RFQ	5671	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6017	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 39 V	51 v	180欧姆
1N6017D	5.1900	RFQ	7268	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6017	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 39 V	51 v	180欧姆
1N6018A	1.9950	RFQ	8069	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6018	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 36 V	56 v	240欧姆
1N6018C	4.1550	RFQ	2084	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6018	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 43 V	56 v	200欧姆
1N6018D	5.1900	RFQ	8426	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6018	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 43 V	56 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²