SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTXV1N5521DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N5521DUR-1 61.9050
RFQ
ECAD 4471 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5521 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1.5 V 4.3 v 18欧姆
JANTX1N5522D-1 Microchip Technology JANTX1N5522D-1 21.9150
RFQ
ECAD 5243 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5522 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 4.7 v 22欧姆
JANTXV1N5522D-1 Microchip Technology JANTXV1N5522D-1 29.2200
RFQ
ECAD 9521 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5522 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 4.7 v 22欧姆
JANTXV1N5522DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N5522DUR-1 61.9050
RFQ
ECAD 5887 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5522 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 4.7 v 22欧姆
JAN1N5523C-1 Microchip Technology JAN1N5523C-1 14.1300
RFQ
ECAD 9827 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5523 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 26欧姆
JANTX1N5523CUR-1 Microchip Technology JANTX1N5523CUR-1 45.7200
RFQ
ECAD 9050 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5523 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2.5 V 5.1 v 26欧姆
JAN1N5523D-1 Microchip Technology JAN1N5523D-1 -
RFQ
ECAD 7419 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 在sic中停产 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 26欧姆
JAN1N5523DUR-1 Microchip Technology JAN1N5523DUR-1 46.2900
RFQ
ECAD 6724 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5523 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 26欧姆
JAN1N5524BUR-1 Microchip Technology Jan1n5524bur-1 14.4600
RFQ
ECAD 3821 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5524 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 3.5 V 5.6 v 30欧姆
JAN1N5524CUR-1 Microchip Technology JAN1N5524CUR-1 37.0200
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5524 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 3.5 V 5.6 v 30欧姆
JANTX1N5524DUR-1 Microchip Technology JANTX1N5524DUR-1 47.2200
RFQ
ECAD 2139 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5524 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 3.5 V 5.6 v 30欧姆
JAN1N5525B-1 Microchip Technology JAN1N5525B-1 5.5200
RFQ
ECAD 8473 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5525 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5 V 6.2 v 30欧姆
JAN1N5525C-1 Microchip Technology JAN1N5525C-1 14.1300
RFQ
ECAD 7484 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5525 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5 V 6.2 v 30欧姆
JANTX1N5525C-1 Microchip Technology JANTX1N5525C-1 18.3750
RFQ
ECAD 2690 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5525 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5 V 6.2 v 30欧姆
JANTXV1N4623DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4623DUR-1 44.4900
RFQ
ECAD 5542 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4623 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 4.3 v 1600欧姆
JAN1N4624C-1 Microchip Technology JAN1N4624C-1 9.5850
RFQ
ECAD 8762 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4624 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JAN1N4624CUR-1 Microchip Technology JAN1N4624CUR-1 16.7700
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4624 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JAN1N4624D-1 Microchip Technology JAN1N4624D-1 12.0000
RFQ
ECAD 5394 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4624 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JANTX1N4624DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4624DUR-1 36.6000
RFQ
ECAD 7861 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4624 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JANTXV1N4624DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4624DUR-1 -
RFQ
ECAD 6751 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JAN1N4625D-1 Microchip Technology JAN1N4625D-1 12.0000
RFQ
ECAD 2417 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4625 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.1 v 1500欧姆
JAN1N4626-1 Microchip Technology 1月1N4626-1 -
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JAN1N4626C-1 Microchip Technology JAN1N4626C-1 9.5850
RFQ
ECAD 2365 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4626 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JANTXV1N4626C-1 Microchip Technology JANTXV1N4626C-1 24.1200
RFQ
ECAD 4387 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4626 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JAN1N4626D-1 Microchip Technology JAN1N4626D-1 12.0000
RFQ
ECAD 2805 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4626 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JANTX1N4626DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4626DUR-1 30.4050
RFQ
ECAD 5171 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4626 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JAN1N4626UR-1 Microchip Technology Jan1n4626ur-1 -
RFQ
ECAD 9549 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JAN1N4627CUR-1 Microchip Technology JAN1N4627CUR-1 16.7700
RFQ
ECAD 3594 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4627 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 5 V 6.2 v 1200欧姆
JANTX1N4627D-1 Microchip Technology JANTX1N4627D-1 -
RFQ
ECAD 6446 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 5 V 6.2 v 1200欧姆
JANTX1N4627DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4627DUR-1 34.2150
RFQ
ECAD 3780 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4627 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 5 V 6.2 v 1200欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库