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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5341BE3/TR12 Microchip Technology 1N5341BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 6377 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5341 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
1N5341E3/TR12 Microchip Technology 1N5341E3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9087 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5341 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
1N5341E3/TR13 Microchip Technology 1N5341E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5341 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
1N5342AE3/TR13 Microchip Technology 1N5342AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5342 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 4.9 V 6.8 v 1欧姆
1N5342BE3/TR12 Microchip Technology 1N5342BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 8300 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5342 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 4.9 V 6.8 v 1欧姆
1N5342CE3/TR13 Microchip Technology 1N5342CE3/TR13 1.3350
RFQ
ECAD 2708 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5342 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 4.9 V 6.8 v 1欧姆
1N5343AE3/TR13 Microchip Technology 1N5343AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 3331 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5343 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 5.4 V 7.5 v 1.5欧姆
1N5344E3/TR12 Microchip Technology 1N5344E3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 2053 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5344 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 5.9 V 8.2 v 1.5欧姆
1N5345B/TR12 Microchip Technology 1N5345B/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 2143 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5345 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 6.25 V 8.7 v 2欧姆
1N5345BE3/TR12 Microchip Technology 1N5345BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 9729 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5345 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 6.25 V 8.7 v 2欧姆
1N5345CE3/TR12 Microchip Technology 1N5345CE3/TR12 -
RFQ
ECAD 5919 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5345 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 6.25 V 8.7 v 2欧姆
1N5345CE3/TR13 Microchip Technology 1N5345CE3/TR13 1.3350
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5345 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 6.25 V 8.7 v 2欧姆
1N5346AE3/TR13 Microchip Technology 1N5346AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5346 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 7.5 µA @ 6.6 V 9.1 v 2欧姆
1N5346BE3/TR12 Microchip Technology 1N5346BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 5223 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5346 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 7.5 µA @ 6.6 V 9.1 v 2欧姆
1N5346C/TR12 Microchip Technology 1N5346C/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5346 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 7.5 µA @ 6.6 V 9.1 v 2欧姆
1N5348A/TR12 Microchip Technology 1N5348A/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5348 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 8 V 11 V 2.5欧姆
1N5348CE3/TR13 Microchip Technology 1N5348CE3/TR13 1.3350
RFQ
ECAD 3533 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5348 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 8 V 11 V 2.5欧姆
1N5348E3/TR12 Microchip Technology 1N5348E3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9359 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5348 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 8 V 11 V 2.5欧姆
1N5348E3/TR13 Microchip Technology 1N5348E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 4272 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5348 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 8 V 11 V 2.5欧姆
1N5349/TR12 Microchip Technology 1N5349/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 8245 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5349 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 8.6 V 12 v 2.5欧姆
1N5349CE3/TR12 Microchip Technology 1N5349CE3/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 3067 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5349 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 8.6 V 12 v 2.5欧姆
1N5350/TR12 Microchip Technology 1N5350/TR12 -
RFQ
ECAD 5582 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5350 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 9.4 V 13 V 2.5欧姆
1N5350BE3/TR13 Microchip Technology 1N5350BE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 6380 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5350 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 9.4 V 13 V 2.5欧姆
1N5350C/TR12 Microchip Technology 1N5350C/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 8786 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5350 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 9.4 V 13 V 2.5欧姆
1N5350CE3/TR13 Microchip Technology 1N5350CE3/TR13 1.3350
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5350 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 9.4 V 13 V 2.5欧姆
1N5351/TR12 Microchip Technology 1N5351/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 2360 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5351 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5351AE3/TR13 Microchip Technology 1N5351AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 9033 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5351 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5351C/TR12 Microchip Technology 1N5351C/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 9407 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5351 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5351CE3/TR12 Microchip Technology 1N5351CE3/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 4821 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5351 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5352BE3/TR13 Microchip Technology 1N5352BE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5352 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.8 V 15 v 2.5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库