RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n6632c	-	RFQ	4256	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JAN1N6632C	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V						3.3 v	3欧姆
JANTXV1N6322D	45.0600	RFQ	1518年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6322D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V						8.2 v	5欧姆
JAN1N6333C	39.6300	RFQ	7909	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JAN1N6333C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V						24 V	24欧姆
680-6e3	246.7800	RFQ	2211	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	na	标准		na	-	到达不受影响	150-680-6E3	Ear99	8541.10.0080	1			1.2 V @ 2 A		2 µA @ 600 V		10 a		单相	600 v
1N4100D-1	6.1500	RFQ	9316	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4100D-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V						7.5 v	200欧姆
CDLL5241C	7.1400	RFQ	8971	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5241C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 8.4 V						11 V	22欧姆
1N5274	3.0750	RFQ	4905	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5274	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V						130 v	1100欧姆
CDLL6634	14.7300	RFQ	1737年	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDLL6634	Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4990DUS	527.9550	RFQ	8391	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANS1N4990DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V						220 v	550欧姆
Janhca1n754c	-	RFQ	5305	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n754c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						6.8 v	5欧姆
CD4735B	2.0700	RFQ	3591	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死		1 w	死	-	到达不受影响	150-CD4735B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V						6.2 v	2欧姆
1N4531UR-1	3.4050	RFQ	1767年	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	标准		do-213aa	下载	到达不受影响	150-1N4531UR-1	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	125mA	-
Janhca1n5540c	-	RFQ	4817	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n5540c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V						20 v	100欧姆
CDS5522BUR-1	-	RFQ	6737	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDS5522BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
jankca1n4614c	-	RFQ	7379	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4614C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1 V						1.8 v	1200欧姆
JANTXV1N4484CUS	45.1350	RFQ	8432	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4484CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 49.6 V						62 v	80欧姆
UZ8710	22.4400	RFQ	3080	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向		1 w	a，轴向	-	到达不受影响	150-UZ8710	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 7.6 V						10 v	7欧姆
1N959A	2.7150	RFQ	3258	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		500兆	do-7	-	到达不受影响	150-1N959A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V						8.2 v	6.5欧姆
jankca1n5540c	-	RFQ	9405	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N5540C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V						20 v	100欧姆
1n4436ft	204.6750	RFQ	1417	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜160°C	底盘安装	按适合	标准		按适合	下载	到达不受影响	150-1N4436FT	Ear99	8541.10.0080	1			1.2 V @ 10 A		10 µA @ 200 V		10 a		单相	200 v
1N4436F	204.6750	RFQ	3423	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜160°C	底盘安装	按适合	标准		按适合	下载	到达不受影响	150-1N4436F	Ear99	8541.10.0080	1			1.2 V @ 10 A		10 µA @ 200 V		10 a		单相	200 v
JANTXV1N6345C	37.5300	RFQ	7107	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6345C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V						75 v	180欧姆
1N3618	44.1600	RFQ	7600	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	标准		DO-4（do-203AA）	-	到达不受影响	150-1N3618	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	16a	-
Janhca1n977d	-	RFQ	7511	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n977d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V						47 V	105欧姆
CDS3827A-1	-	RFQ	4793	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDS3827A-1	Ear99	8541.10.0050	50
UZ5222	32.2650	RFQ	3575	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5222	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 158 V						220 v	550欧姆
1N3968	62.1150	RFQ	4339	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N3968	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N5539	1.8150	RFQ	8512	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5539	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16 V						19 v
jankca1n4127c	-	RFQ	9422	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4127C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V						56 v	300欧姆
1N2438	102.2400	RFQ	5945	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	到达不受影响	150-1N2438	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	150a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²