RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5364B/TR12	2.6850	RFQ	3718	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5364	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 23.8 V	33 V	10欧姆
1N5364BE3/TR12	2.6850	RFQ	9590	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5364	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 23.8 V	33 V	10欧姆
1N5365A/TR12	2.6250	RFQ	4035	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 25.9 V	36 V	11欧姆
1N5365AE3/TR12	2.6250	RFQ	4683	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 25.9 V	36 V	11欧姆
1N5365C/TR12	3.3900	RFQ	7741	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 25.9 V	36 V	11欧姆
1N5365E3/TR12	2.6250	RFQ	1724年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 25.9 V	36 V	11欧姆
1N5366A/TR12	2.6250	RFQ	9905	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5366	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 28.1 V	39 v	14欧姆
1N5366BE3/TR12	2.6850	RFQ	1196	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5366	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 28.1 V	39 v	14欧姆
1N5367/TR12	2.6250	RFQ	2374	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 na @ 31 V	43 V	20欧姆
1N5367AE3/TR13	0.9900	RFQ	1617年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 na @ 31 V	43 V	20欧姆
1N5367BE3/TR13	0.9900	RFQ	4582	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 na @ 31 V	43 V	20欧姆
1N5368/TR12	2.6250	RFQ	8521	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 33.8 V	47 V	25欧姆
1N5368A/TR12	-	RFQ	8821	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 33.8 V	47 V	25欧姆
1N5368AE3/TR13	0.9900	RFQ	7960	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 33.8 V	47 V	25欧姆
1N5368B/TR12	2.6850	RFQ	3860	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 33.8 V	47 V	25欧姆
1N5368C/TR12	3.3900	RFQ	6250	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 33.8 V	47 V	25欧姆
1N5368E3/TR13	0.9900	RFQ	9082	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 33.8 V	47 V	25欧姆
1N5369/TR12	2.6250	RFQ	2343	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5369	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 36.7 V	51 v	27欧姆
1N5369B/TR12	2.6850	RFQ	5604	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5369	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 36.7 V	51 v	27欧姆
1N5370AE3/TR13	0.9900	RFQ	8163	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 40.3 V	56 v	35欧姆
1N5370B/TR12	2.6850	RFQ	4242	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 40.3 V	56 v	35欧姆
1N5370BE3/TR12	2.6850	RFQ	4500	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 40.3 V	56 v	35欧姆
1N5370CE3/TR13	1.3350	RFQ	7371	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 40.3 V	56 v	35欧姆
1N5370E3/TR13	0.9900	RFQ	5753	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 40.3 V	56 v	35欧姆
1N5371/TR12	2.6250	RFQ	6263	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5371	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 43 V	60 V	40欧姆
1N5371AE3/TR13	0.9900	RFQ	5239	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5371	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 43 V	60 V	40欧姆
1N5371CE3/TR12	3.3900	RFQ	5513	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5371	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 43 V	60 V	40欧姆
1N5372/TR12	2.6250	RFQ	4294	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 44.6 V	62 v	42欧姆
1N5372BE3/TR13	0.9900	RFQ	5547	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 44.6 V	62 v	42欧姆
1N5372CE3/TR12	3.3900	RFQ	1342	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 44.6 V	62 v	42欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²