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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANTXV1N5541D-1 | 29.2200 | ![]() | 5764 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5541 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19.8 V | 22 v | 100欧姆 | |||||||||
JANTX1N5542B-1 | 7.4251 | ![]() | 7205 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5542 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19.8 V | 22 v | 100欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n5542bur-1 | 14.4600 | ![]() | 8849 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5542 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 21.6 V | 24 V | 100欧姆 | ||||||||
JANTX1N5542C-1 | 18.8100 | ![]() | 7458 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5542 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 21.6 V | 24 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N5542CUR-1 | 49.5150 | ![]() | 9914 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5542 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 21.6 V | 24 V | 100欧姆 | ||||||||
JANTX1N5542D-1 | 23.5200 | ![]() | 1019 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5542 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 21.6 V | 24 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | JAN1N5542DUR-1 | 36.1650 | ![]() | 9965 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5542 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 21.6 V | 24 V | 100欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N5542DUR-1 | 61.9050 | ![]() | 1671年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5542 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 21.6 V | 24 V | 100欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N5543BUR-1 | 19.3500 | ![]() | 4527 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5543 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.4 V | 25 v | 100欧姆 | ||||||||
JANTXV1N5543D-1 | 29.2200 | ![]() | 4257 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5543 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.4 V | 25 v | 100欧姆 | |||||||||
JANTXV1N5544B-1 | 9.1200 | ![]() | 1211 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5544 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 25.2 V | 28 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N5544BUR-1 | 19.3500 | ![]() | 9629 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5544 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 25.2 V | 28 V | 100欧姆 | ||||||||
JAN1N5544C-1 | 11.0400 | ![]() | 1167 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5544 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 25.2 V | 28 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N5544CUR-1 | 49.5150 | ![]() | 9517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5544 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 25.2 V | 28 V | 100欧姆 | ||||||||
JANTX1N5544D-1 | 21.9150 | ![]() | 7852 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5544 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 25.2 V | 28 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n5545bur-1 | - | ![]() | 1505 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27 V | 30 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N5545BUR-1 | - | ![]() | 5491 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27 V | 30 V | 100欧姆 | |||||||||
JAN1N5545C-1 | 11.0400 | ![]() | 6632 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5545 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27 V | 30 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | JAN1N5546CUR-1 | 28.9200 | ![]() | 6084 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5546 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 29.7 V | 33 V | 100欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N5546CUR-1 | 49.5150 | ![]() | 3153 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5546 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 29.7 V | 33 V | 100欧姆 | ||||||||
Jan1n5552us | - | ![]() | 4703 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||
JANTXV1N5554US | - | ![]() | 2725 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||
JANTX1N5619US | 9.0900 | ![]() | 7464 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/429 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5619 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 3 A | 250 ns | 500 NA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 12V,1MHz | |||||||
Jan1n5623us | 8.8200 | ![]() | 2355 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/429 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5623 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.6 V @ 3 A | 500 ns | 500 NA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 12V,1MHz | |||||||
JANTX1N5802URS | 22.0200 | ![]() | 3565 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5802 | 标准 | A夫人 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | |||||||
JANTXV1N5802URS | 26.9850 | ![]() | 2304 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5802 | 标准 | A夫人 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | |||||||
JANTXV1N5804urs | 27.9300 | ![]() | 3842 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5804 | 标准 | A夫人 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | |||||||
JANTX1N5806 | 22.0200 | ![]() | 1096 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5806 | 标准 | A夫人 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | |||||||
JANTXV1N5806 | 27.9300 | ![]() | 9856 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5806 | 标准 | A夫人 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | |||||||
![]() | Jan1n5807urs | 17.4750 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5807 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V,1MHz |
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