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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4733CP/TR12	2.2800	RFQ	9495	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4733		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N4574A-1	29.3250	RFQ	1547年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
1N5617/tr	4.7850	RFQ	9094	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5617/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.6 V @ 3 A	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	35pf @ 12V，1MHz
1N5342/TR12	2.6250	RFQ	7673	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5342		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
1N4122-1/tr	2.3408	RFQ	2661	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4122-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27.4 V				36 V	200欧姆
1N935A-1	5.5350	RFQ	3461	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N935A-1	Ear99	8541.10.0050	1									9 V	20欧姆
1N5524BUR-1	6.4800	RFQ	5378	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
JANS1N4584AR-1/TR	121.9650	RFQ	7203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4584AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANS1N4620CUR-1/TR	154.6904	RFQ	1978年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4620CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1.65欧姆
1N5995UR	3.5850	RFQ	1296	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5995				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
SMBG5354A/TR13	2.2200	RFQ	3689	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5354		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 12.2 V				17 V	2.5欧姆
1N4959	6.6150	RFQ	4513	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4959		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 8.4 V				11 V	2.5欧姆
JANTXV1N983B-1/TR	2.7664	RFQ	9141	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N983B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
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JANTX1N6327CUS	67.2000	RFQ	4841	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6327		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V				13 V	8欧姆
JANS1N4956DUS	577.5900	RFQ	6115	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANS1N4956DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1 PMT5928A/TR7	2.2200	RFQ	8743	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
UES1305E3	30.5850	RFQ	2391	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响	150-ues1305e3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.25 V @ 3 A	50 ns	20 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	3a	-
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1N5916D	7.5450	RFQ	9802	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5916		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	6欧姆
JANTXV1N6313D	62.9550	RFQ	7954	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6313		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		3 µA @ 1 V				3.6 v	25欧姆
CD5259D	8.1600	RFQ	8209	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5259D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 30 V				39 v	80欧姆
1N5079	23.4000	RFQ	4597	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5079	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 27.4 V				36 V	21欧姆
JANTXV1N6642UB/TR	24.0730	RFQ	3608	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6642UB/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N5232/tr	2.8950	RFQ	4445	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N5232/tr	Ear99	8541.10.0050	325			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 2.9 V				5.6 v	11欧姆
Jan1n3034bur-1	12.7350	RFQ	1177	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3034		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
1N6326DUS	32.4387	RFQ	7889	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6326DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V				12 v	7欧姆
JANTX1N5968US	-	RFQ	8411	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N5968		5 w	E，轴向	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5000 µA @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
1N5419US/TR	11.3700	RFQ	7299	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5419US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.5 V @ 9 A	250 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²