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![]() | JANS1N4105UR-1 | 47.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4105 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 8.5 V | 11 V | 200欧姆 | ||||||||
JANS1N4469US | - | ![]() | 3923 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 na @ 12 V | 15 v | 600欧姆 | ||||||||||
![]() | JANS1N4568AR-1 | 81.7500 | ![]() | 3585 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4568 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200欧姆 | |||||||||
JANS1N4960US | 92.0400 | ![]() | 9381 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4960 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 2.5欧姆 | |||||||||
JANS1N4962US | 92.9250 | ![]() | 2509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4962 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 3.5欧姆 | |||||||||
JANS1N4996US | 552.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 16.7 V | 22 v | 5欧姆 | ||||||||||
![]() | JANS1N5418 | 56.3850 | ![]() | 7657 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5418 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | 165pf @ 4V | ||||||
![]() | JANS1N6324US | 136.0950 | ![]() | 3397 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6324 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 8 V | 10 v | 500欧姆 | ||||||||
JANS1N6326US | 136.0950 | ![]() | 7730 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6326 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N1186 | 107.3700 | ![]() | 7379 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/297 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1186 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 35a | - | |||||||
![]() | JANTX1N1202A | 69.5850 | ![]() | 6491 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/260 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1202 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 2.3 V @ 240 A | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||||
JANTX1N1614 | - | ![]() | 9522 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/162 | 大部分 | 在sic中停产 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.5 V @ 15 A | 50 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||
JANTX1N3020B-1 | 8.5800 | ![]() | 4061 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3020 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 25 µA @ 7.6 V | 10 v | 7欧姆 | |||||||||
JANTX1N3025B-1 | 8.6700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3025 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |||||||||
JANTX1N3033B-1 | 10.0650 | ![]() | 8102 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3033 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 50欧姆 | |||||||||
JANTX1N3289 | - | ![]() | 4226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/246 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3289 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1.55 V @ 310 A | 10 mA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | ||||||||
![]() | JANTX1N3671A | 54.1800 | ![]() | 2902 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/260 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3671 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 2.3 V @ 240 A | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||||
JANTX1N3891 | 299.2500 | ![]() | 9929 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/304 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3891 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.5 V @ 38 A | 200 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 12a | - | |||||||
![]() | JANTX1N4099UR-1 | 10.5300 | ![]() | 7101 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4099 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.17 V | 6.8 v | 200欧姆 | ||||||||
JANTX1N4100-1 | 6.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4100 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.7 V | 7.5 v | 200欧姆 | |||||||||
JANTX1N4101-1 | 9.2250 | ![]() | 2386 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4101 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.3 V | 8.2 v | 200欧姆 | |||||||||
JANTX1N4102-1 | - | ![]() | 4062 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.7 V | 8.7 v | 200欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N4103UR-1 | 8.0400 | ![]() | 9661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4103 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 7 V | 9.1 v | 200欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N4104UR-1 | 13.0311 | ![]() | 6737 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军队 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4104 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 7.6 V | 10 v | 200欧姆 | ||||||||
JANTX1N4105-1 | 6.3300 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4105 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 8.5 V | 11 V | 200欧姆 | |||||||||
JANTX1N4106-1 | 4.8300 | ![]() | 1184 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4106 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.2 V | 12 v | 200欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N4108UR-1 | 12.2700 | ![]() | 3122 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4108 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 10.7 V | 14 V | 200欧姆 | ||||||||
JANTX1N4112DUR-1 | 45.5700 | ![]() | 6061 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4112 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 13.7 V | 18 V | 100欧姆 | |||||||||
JANTX1N4123-1 | 5.3550 | ![]() | 8483 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4123 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 29.7 V | 39 v | 200欧姆 | |||||||||
JANTX1N4129-1 | - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 47.1 V | 62 v | 500欧姆 |
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