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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
UM7504E	-	RFQ	2711	微芯片技术	UM7500	托盘	积极的		-65°C〜175°C		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UM7504E	Ear99	8541.10.0060	1			10 W							1pf @ 100V，1MHz	PIN-单	400V			1OHM @ 50mA，100MHz
1N5223A/TR	1.8088	RFQ	4658	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5223A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		75 µA @ 950 mv						2.7 v	30欧姆
1N5809	7.2400	RFQ	3	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5809	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			100 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N6642US	9.6150	RFQ	4390	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6642	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			100 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 100 V	-65°C〜175°C	300mA	-
JAN1N3019CUR-1/TR	29.0339	RFQ	6751	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3019CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V						9.1 v	6欧姆
Jan1n3614/tr	4.5600	RFQ	7273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/228	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3614/TR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			800 v	1.1 V @ 1 A		1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTX1N4579A-1	30.1500	RFQ	2492	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4579		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						3 V	50欧姆
GC4492-115-2	-	RFQ	3999	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		模块				-	-			到达不受影响	150-GC4492-115-2	Ear99	8541.10.0070	1		50 mA								0.5pf @ 50V，1MHz	PIN-单	750V			1 OHM @ 100mA，100MHz
1N5994D	5.2500	RFQ	3044	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5994		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3 V						5.6 v	25欧姆
1N5924E3/TR13	-	RFQ	5544	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5924		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V						9.1 v	4欧姆
CDLL5226	2.8650	RFQ	5515	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5226		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.3 v	28欧姆
GC4712-00	-	RFQ	1466	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		死				芯片	-			到达不受影响	150-GC4712-00	Ear99	8541.10.0040	1			4 W							0.3pf @ 6V，1MHz	PIN-单	45V			1.2OHM @ 10mA，100MHz
JANS1N7050UR-1/TR	163.0650	RFQ	5745	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N7050UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
UPP1004E3/TR7	1.8450	RFQ	5349	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		do-216aa	UPP1004			do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000			2.5 w							1.6pf @ 100V，1MHz	PIN-单	100V			1 OHM @ 10mA，100MHz
JANTXV1N6323	14.6700	RFQ	8292	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6323		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 7 V						9.1 v	6欧姆
JAN1N3033D-1	21.6750	RFQ	6426	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3033		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V						36 V	50欧姆
1N935A/tr	5.7300	RFQ	2063	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N935A/tr	Ear99	8541.10.0050	1													9 V	20欧姆
1N3492	66.2550	RFQ	1539年	微芯片技术	-	大部分	积极的			按适合	DO-208AA		标准		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3492	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			100 v	1.1 V @ 35 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	35a	-
UM4002SM	-	RFQ	6230	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-		SQ-MELF				-	-			到达不受影响	150-UM4002SMTR	Ear99	8541.10.0060	1			20 w							3pf @ 100V，1MHz	PIN-单	200V			500MOHM @ 100mA，100MHz
UM7301B	-	RFQ	7574	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UM7301BTR	Ear99	8541.10.0060	1			4 W							0.7pf @ 100V，1MHz	PIN-单	100V			3ohm @ 100mA，100MHz
1N4469/tr	5.3998	RFQ	5958	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4469/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 na @ 12 V						15 v	9欧姆
1N4578-1/tr	9.1200	RFQ	9515	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4578-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	50欧姆
UM4306SM	-	RFQ	2612	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-		SQ-MELF				-	-			到达不受影响	150-UM4306SMTR	Ear99	8541.10.0060	1			15 W							2.2pf @ 100V，1MHz	PIN-单	600V			1.5OHM @ 100mA，100MHz
UM7204D	-	RFQ	9491	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C		螺柱				-	-			到达不受影响	150-UM7204DTR	Ear99	8541.10.0060	1			7.5 w							2.2pf @ 100V，1MHz	PIN-单	400V			250MOHM @ 100mA，100MHz
UM9441HR2/tr	-	RFQ	7569	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜175°C		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UM9441HR2/tr	Ear99	8541.10.0060	1										10pf @ 50V，1MHz	PIN-单	100V			-
LXP1004-23-0/TR	4.2900	RFQ	6571	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXP1004			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1,000		10 MA	250兆							0.75pf @ 20V，1MHz	PIN-单	20V			600MOHM @ 10mA，100MHz
1N6000C-1E3/TR	4.0166	RFQ	5312	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6000C-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8 V						10 v	15欧姆
Jan1n5523bur-1/tr	12.9542	RFQ	2125	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5523BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2.5 V						5.1 v	26欧姆
JANS1N6324US	136.0950	RFQ	3397	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6324		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8 V						10 v	500欧姆
JANTX1N4618C-1	13.6650	RFQ	2457	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4618		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							500 na @ 1 V						2.7 v	1500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²