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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
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JANS1N4960CUS	343.6210	RFQ	1312	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4960CUS	Ear99	8541.10.0050	1
1 PMT4134E3/TR7	0.4950	RFQ	4944	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4134		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 69.16 V				91 v	250欧姆
JANS1N6328D	448.4400	RFQ	9245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6328D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V				15 v	10欧姆
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1N5366/TR8	-	RFQ	2626	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5366		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 28.1 V				39 v	14欧姆
JANS1N4617C-1/TR	116.4206	RFQ	1797年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4617C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				2.4 v	1.4欧姆
1N4737ur/tr	3.6150	RFQ	3434	微芯片技术	MIL-PRF-19500	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-1N4737ur/tr	Ear99	8541.10.0050	272			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
JANTX1N4104D-1	-	RFQ	5468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
JANTX1N4104C-1	12.1800	RFQ	9666	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4104		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
JANTXV1N966C-1	8.9100	RFQ	2798	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N966		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V				16 V	17欧姆
S5340T	158.8200	RFQ	4864	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S5340T			1
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JANTX1N4119DUR-1	-	RFQ	8988	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 21.3 V				28 V	200欧姆
S3840	61.1550	RFQ	2665	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	-			到达不受影响	150-S3840	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.15 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	100a	-
1N2134A	74.5200	RFQ	9642	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2134A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	350 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 350 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTX1N3826CUR-1/TR	36.2292	RFQ	1905年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3826CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N4910A/TR	92.4900	RFQ	5819	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4910A/TR	Ear99	8541.10.0050	1									12.8 v	50欧姆
JAN1N4618DUR-1	20.9700	RFQ	6011	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4618		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
1N5367B/TR12	2.6850	RFQ	5132	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V				43 V	20欧姆
SMBJ5931BE3/TR13	0.9000	RFQ	8134	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5931		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
JAN1N5527C-1/TR	12.6749	RFQ	2147	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5527C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.8 V				7.5 v	35欧姆
JAN1N3048B-1	-	RFQ	4955	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13			1 w	DO-13（do-202AA）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 114 V				150 v	1000欧姆
1月1N6324C	25.3650	RFQ	7253	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6324		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8 V				10 v	6欧姆
1N5360C/TR8	3.3900	RFQ	8653	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5360		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 18 V				25 v	4欧姆
JANTX1N4577AR-1	11.0100	RFQ	7590	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4577		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				3 V	50欧姆
JANTXV1N3307B	-	RFQ	7817	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		50 µA @ 5.4 V				8.2 v	0.4欧姆
JANTX1N984BUR-1	6.0900	RFQ	7580	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N984		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 69 V				91 v	400欧姆
JANTXV1N4132D-1	28.9500	RFQ	7885	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4132		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V				82 v	800欧姆
JANS1N4111D-1/TR	94.7000	RFQ	5238	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4111D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V				17 V	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²