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二极管（（34409）
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| JANTX1N6349US | 18.0900 | | 9045 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF，b | 1N6349 | 500兆 | B，平方米 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 84 V | 110 v | 500欧姆 | ||||||||
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| JANTXV1N986DUR-1 | 24.2250 | | 5682 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N986 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 ma | 500 NA @ 84 V | 110 v | 750欧姆 | ||||||||
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| JAN1N756DUR-1 | 14.2500 | | 7996 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N756 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 8欧姆 | ||||||||
| JANTX1N756DUR-1 | 17.8950 | | 9794 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N756 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 8欧姆 | ||||||||
| JANTXV1N756DUR-1 | 23.9550 | | 8797 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N756 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 8欧姆 | ||||||||
| 1月1N757C-1 | 5.1900 | | 8151 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N757 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 | ||||||||
| Jan1n757d-1 | 6.4950 | | 2685 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N757 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 | ||||||||
| JANTXV1N757DUR-1 | 23.9550 | | 5028 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N757 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 | ||||||||
| 1月1N758C-1 | 5.1900 | | 2338 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N758 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 | ||||||||
| JANTXV1N758C-1 | 12.9750 | | 8258 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N758 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 | ||||||||
| JANTXV1N758D-1 | 16.2450 | | 7103 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N758 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 | ||||||||
| Jan1n759aur-1 | 4.4400 | | 1390 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N759 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9 V | 12 v | 30欧姆 | ||||||||
| JANTXV1N759C-1 | 11.3850 | | 7140 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N759 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9 V | 12 v | 30欧姆 | ||||||||
| JAN1N759CUR-1 | 11.3850 | | 4305 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N759 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9 V | 12 v | 30欧姆 |
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