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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
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CD5377B	5.0274	RFQ	7123	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死		5 w	死	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD5377B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 NA @ 69.2 V				91 v	75欧姆
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CD4763A	1.8354	RFQ	6951	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		1 w	死	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD4763A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 69.2 V				91 v	250欧姆
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JANTX1N4247/TR	6.3300	RFQ	4090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/286	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向	标准		a，轴向	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4247/TR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
CDLL5526/tr	5.9052	RFQ	4117	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5526/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.5 V				6.8 v	30欧姆
JAN1N4123DUR-1/TR	24.8843	RFQ	6898	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4123DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
CD981B	1.5029	RFQ	8234	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD981B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
JANTX1N3028D-1/TR	24.4853	RFQ	3512	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	do-41	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N3028D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
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JANTXV1N3595A-1/TR	6.0914	RFQ	3737	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	标准		do-35	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N3595A-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	125 v	920 MV @ 100 mA	3 µs	2 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	-
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Janhca1n5546b	6.7564	RFQ	2893	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-Janhca1n5546b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
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Jan1n4117ur-1/tr	7.8736	RFQ	8724	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4117UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
JANTX1N4132C-1/TR	12.1695	RFQ	5089	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4132C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V				82 v	800欧姆
CDLL5244A/TR	2.7132	RFQ	3449	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5244A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 10 V				14 V	15欧姆
JANTXV1N6627US/TR	40.3350	RFQ	3248	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	标准		D-5B	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N6627US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	440 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 440 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
JANTX1N3333RB	-	RFQ	8069	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N333333RB	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 42.6 V				52 v	5.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²