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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JAN1N4621-1/TR Microchip Technology Jan1n4621-1/tr 3.4580
RFQ
ECAD 5348 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4621-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3.5 µA @ 2 V 3.6 v 1700欧姆
1N4699-1E3 Microchip Technology 1N4699-1E3 3.6575
RFQ
ECAD 8509 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N4699-1E3 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.1 V 12 v
JANTXV1N6642U/TR Microchip Technology JANTXV1N6642U/TR 9.4696
RFQ
ECAD 1892年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/578 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,d 标准 D-5D - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N6642U/TR Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 100 ma 20 ns 500 NA @ 100 V -65°C〜175°C 300mA -
JANTX1N4622-1/TR Microchip Technology JANTX1N4622-1/TR 4.1762
RFQ
ECAD 4230 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4622-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 2.5 µA @ 2 V 3.9 v 1650年
JANTXV1N4121UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4121UR-1/TR 10.1080
RFQ
ECAD 7517 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N4121UR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 25.1 V 33 V 200欧姆
JANS1N4582AUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4582AR-1/TR 123.9150
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TA) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4582AUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 25欧姆
JANHCA1N4371A Microchip Technology Janhca1n4371a 7.4746
RFQ
ECAD 9348 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n4371a Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 60 µA @ 1 V 2.7 v 30欧姆
JANTX1N4102UR-1/TR Microchip Technology JANTX1N4102UR-1/TR 5.8919
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4102UR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.7 V 8.7 v 200欧姆
JAN1N3042D-1/TR Microchip Technology Jan1n3042d-1/tr 26.4271
RFQ
ECAD 8627 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N3042D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 62.2 V 82 v 200欧姆
JANTX1N4971/TR Microchip Technology JANTX1N4971/TR 5.7323
RFQ
ECAD 7670 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 5 w 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4971/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
CDLL4757/TR Microchip Technology CDLL4757/tr 3.2319
RFQ
ECAD 2543 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf do-213ab 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL4757/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 38.8 V 51 v 95欧姆
JANS1N4460US/TR Microchip Technology JANS1N4460US/TR 86.7300
RFQ
ECAD 3435 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w a,平方米 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4460US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 3.72 V 6.2 v 4欧姆
CD6322 Microchip Technology CD6322 2.1014
RFQ
ECAD 5710 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - - 表面安装 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD6322 Ear99 8541.10.0050 1
JAN1N3025CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N3025CUR-1/TR 29.0339
RFQ
ECAD 2646 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N3025CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 12.2 V 16 V 16欧姆
JANTX1N4107DUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N4107DUR-1/TR 22.8494
RFQ
ECAD 9740 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4107DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.9 V 13 V 200欧姆
JAN1N5532D-1/TR Microchip Technology Jan1n5532d-1/tr 15.8137
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5532D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 10.8 V 12 v 90欧姆
JANTX1N3329RB Microchip Technology JANTX1N3329RB -
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N3329RB Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 32.7 V 45 v 4.5欧姆
JANS1N4102DUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4102DUR-1/TR 137.4500
RFQ
ECAD 6052 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4102DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.7 V 8.7 v 200欧姆
CDLL4915/TR Microchip Technology CDLL4915/tr 106.9950
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜100°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL4915/tr Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 12.8 v 25欧姆
JAN1N4124-1/TR Microchip Technology Jan1n4124-1/tr 3.7772
RFQ
ECAD 3156 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4124-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 32.7 V 43 V 250欧姆
JANTX1N3027D-1/TR Microchip Technology JANTX1N3027D-1/TR 24.4853
RFQ
ECAD 4563 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N3027D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 15.2 V 20 v 22欧姆
CDLL4924/TR Microchip Technology CDLL4924/tr 50.2200
RFQ
ECAD 7747 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜100°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL4924/tr Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 12 V 19.2 v 150欧姆
JANTXV1N4107CUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4107CUR-1/TR 27.0123
RFQ
ECAD 3020 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N4107CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.9 V 13 V 200欧姆
JAN1N4132D-1/TR Microchip Technology Jan1n4132d-1/tr 11.7838
RFQ
ECAD 5827 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4132D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 62.4 V 82 v 800欧姆
JANTX1N5529C-1/TR Microchip Technology JANTX1N5529C-1/TR 17.5294
RFQ
ECAD 9587 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5529C-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 8.2 V 9.1 v 45欧姆
CDLL5546A/TR Microchip Technology CDLL5546A/TR 5.9052
RFQ
ECAD 1621年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf 500兆 do-213ab - rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5546A/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 28 V 33 V 100欧姆
JANTX1N5532DUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N5532DUR-1/TR 48.0795
RFQ
ECAD 9986 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5532DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 10.8 V 12 v 90欧姆
1N5419/TR Microchip Technology 1N5419/tr 5.7900
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,b 标准 B,平方米 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5419/tr Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.5 V @ 9 A 250 ns 1 µA @ 500 V -65°C〜175°C 3a -
JAN1N5546D-1/TR Microchip Technology Jan1n5546d-1/tr 12.3823
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5546D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 29.7 V 33 V 100欧姆
JAN1N4108CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N4108CUR-1/TR 13.0606
RFQ
ECAD 5568 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4108CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 10.7 V 14 V 200欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库