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二极管（（34409）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（（） | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电阻 @ if，f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UPR60/TR7 | 8.2350 |  | 9948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | do-216aa | UPR60 | 标准 | Powermite | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 600 v | 1.6 V @ 2 A | 30 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||
 | UPS1100/TR7 | 0.6300 | | 4963 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | UPS1100 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
| UPS1100E3/TR7 | 0.4350 | | 6684 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | UPS1100 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
| UPS120E/TR7 | 0.5550 | | 7880 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | do-216aa | UPS120 | 肖特基 | Powermite | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 20 v | 450 MV @ 1 A | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | 80pf @ 5V，1MHz | |||||||||||||
| UPS130L/TR7 | 0.6150 | | 4998 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | UPS130 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
| UPS130LE3/TR7 | 0.4800 | | 3277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | UPS130 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
| UPS160/TR7 | 0.5550 | | 5111 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | do-216aa | UPS160 | 肖特基 | Powermite | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 600 mV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55°C〜125°C | 1a | 55pf @ 4V，1MHz | |||||||||||||
| UPS190E3/TR7 | 0.4800 | | 4404 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | UPS190 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
| UPS5817/TR7 | 0.5250 | | 1630 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | do-216aa | UPS5817 | 肖特基 | Powermite | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 20 v | 450 MV @ 1 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||
| MBR20150CTE3/TU | 1.1700 | | 6023 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 管子 | 积极的 | MBR20150 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||
| MBR20150FCTE3/TU | 1.1700 | | 6066 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 管子 | 积极的 | MBR20150 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||
 | MBR2045CTE3/TU | 1.1700 | | 17 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR2045 | 肖特基 | TO-220AB | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 700 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | 150°C （最大） | |||||||||||||
| MBR2060CTE3/TU | 1.1700 | | 6438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 管子 | 积极的 | MBR2060 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||
| MBR30150CTE3/TU | - | | 1598年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 管子 | 积极的 | MBR30150 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||
| MBR3040CTE3/TU | 1.1700 | | 2586 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR3040 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1对普通阴极 | 40 V | 15a | 700 MV @ 15 A | 50 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||
| MBR3060FCTE3/TU | 1.1700 | | 7429 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR3060 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 750 MV @ 15 A | 50 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | |||||||||||||
| MBR40200PTE3/TU | 1.1700 | | 8534 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 管子 | 积极的 | MBR40200 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||
| MBR4080PTE3/TU | 1.1700 | | 8086 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 管子 | 积极的 | MBR4080 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||
 | S16-4148E3/TR7 | 2.9200 | | 4248 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | S16-4148 | 标准 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 500 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 8独立 | 75 v | 400mA（DC） | 1.2 V @ 100 ma | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
| S16-4150E3/TR7 | 2.8950 | | 5560 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | S16-4150 | 标准 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 500 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 8独立 | 50 V | 400mA（DC） | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
 | S8-4150/TR7 | 3.3600 | | 5720 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | S8-4150 | 标准 | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 500 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 4独立 | 50 V | 400mA（DC） | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
| UPP1001/TR7 | 8.8650 | | 2777 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | do-216aa | UPP1001 | do-216 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2.5 w | 1.6pf @ 100V，1MHz | PIN-单 | 100V | 1 OHM @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||||
 | SMAJ5928BE3/TR13 | 0.6450 | | 2550 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac，SMA | SMAJ5928 | 3 W | DO-214AC（SMAJ） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7欧姆 | ||||||||||||||
| SMAJ5928E3/TR13 | 0.6450 | | 5966 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±20％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac，SMA | SMAJ5928 | 3 W | DO-214AC（SMAJ） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7欧姆 | ||||||||||||||
| SMAJ5929AE3/TR13 | 0.6450 | | 7445 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac，SMA | SMAJ5929 | 3 W | DO-214AC（SMAJ） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 11.4 V | 15 v | 9欧姆 | ||||||||||||||
| SMAJ5930AE3/TR13 | 0.6450 | | 4928 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac，SMA | SMAJ5930 | 3 W | DO-214AC（SMAJ） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10欧姆 | ||||||||||||||
| SMAJ5930BE3/TR13 | 0.6450 | | 7606 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac，SMA | SMAJ5930 | 3 W | DO-214AC（SMAJ） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10欧姆 | ||||||||||||||
| SMAJ5930CE3/TR13 | 0.6450 | | 5096 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac，SMA | SMAJ5930 | 3 W | DO-214AC（SMAJ） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10欧姆 | ||||||||||||||
| SMAJ5930E3/TR13 | 0.6450 | | 7445 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±20％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac，SMA | SMAJ5930 | 3 W | DO-214AC（SMAJ） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10欧姆 | ||||||||||||||
| SMAJ5931BE3/TR13 | 0.6450 | | 1168 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac，SMA | SMAJ5931 | 3 W | DO-214AC（SMAJ） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
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