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Jan1n4621-1/tr | 3.4580 | ![]() | 5348 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4621-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700欧姆 | |||||||||
1N4699-1E3 | 3.6575 | ![]() | 8509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4699-1E3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.1 V | 12 v | ||||||||||
![]() | JANTXV1N6642U/TR | 9.4696 | ![]() | 1892年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,d | 标准 | D-5D | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6642U/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 100 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | ||||||
JANTX1N4622-1/TR | 4.1762 | ![]() | 4230 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4622-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650年 | ||||||||||
![]() | JANTXV1N4121UR-1/TR | 10.1080 | ![]() | 7517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4121UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 25.1 V | 33 V | 200欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N4582AR-1/TR | 123.9150 | ![]() | 3679 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TA) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4582AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | |||||||||
![]() | Janhca1n4371a | 7.4746 | ![]() | 9348 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n4371a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N4102UR-1/TR | 5.8919 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4102UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.7 V | 8.7 v | 200欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n3042d-1/tr | 26.4271 | ![]() | 8627 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N3042D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 v | 200欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N4971/TR | 5.7323 | ![]() | 7670 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4971/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11欧姆 | |||||||||
![]() | CDLL4757/tr | 3.2319 | ![]() | 2543 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL4757/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 100 na @ 38.8 V | 51 v | 95欧姆 | |||||||||
JANS1N4460US/TR | 86.7300 | ![]() | 3435 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | a,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4460US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 v | 4欧姆 | |||||||||
![]() | CD6322 | 2.1014 | ![]() | 5710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | - | 表面安装 | 死 | 死 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD6322 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | JAN1N3025CUR-1/TR | 29.0339 | ![]() | 2646 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N3025CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N4107DUR-1/TR | 22.8494 | ![]() | 9740 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4107DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.9 V | 13 V | 200欧姆 | ||||||||
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![]() | JANTX1N3329RB | - | ![]() | 5093 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N3329RB | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 32.7 V | 45 v | 4.5欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N4102DUR-1/TR | 137.4500 | ![]() | 6052 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4102DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.7 V | 8.7 v | 200欧姆 | ||||||||
![]() | CDLL4915/tr | 106.9950 | ![]() | 9544 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜100°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL4915/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 v | 25欧姆 | |||||||||
Jan1n4124-1/tr | 3.7772 | ![]() | 3156 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4124-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N3027D-1/TR | 24.4853 | ![]() | 4563 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N3027D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 15.2 V | 20 v | 22欧姆 | ||||||||
![]() | CDLL4924/tr | 50.2200 | ![]() | 7747 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜100°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL4924/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 v | 150欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N4107CUR-1/TR | 27.0123 | ![]() | 3020 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4107CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.9 V | 13 V | 200欧姆 | ||||||||
Jan1n4132d-1/tr | 11.7838 | ![]() | 5827 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4132D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 62.4 V | 82 v | 800欧姆 | ||||||||||
JANTX1N5529C-1/TR | 17.5294 | ![]() | 9587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5529C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 8.2 V | 9.1 v | 45欧姆 | |||||||||
![]() | CDLL5546A/TR | 5.9052 | ![]() | 1621年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 500兆 | do-213ab | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5546A/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 28 V | 33 V | 100欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N5532DUR-1/TR | 48.0795 | ![]() | 9986 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5532DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 10.8 V | 12 v | 90欧姆 | ||||||||
![]() | 1N5419/tr | 5.7900 | ![]() | 4122 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 标准 | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5419/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.5 V @ 9 A | 250 ns | 1 µA @ 500 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||
Jan1n5546d-1/tr | 12.3823 | ![]() | 2036 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5546D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 29.7 V | 33 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | JAN1N4108CUR-1/TR | 13.0606 | ![]() | 5568 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4108CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 10.7 V | 14 V | 200欧姆 |
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