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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
JANTXV1N3029B-1/TR	10.6799	RFQ	3282	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3029B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V						24 V	25欧姆
1N4692	4.8811	RFQ	4154	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4692	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.1 V						6.8 v
1N4553A	53.5800	RFQ	9113	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4553		50 W	DO-5（do-203ab）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V						5.6 v	0.12欧姆
SMBG5343AE3/TR13	1.1250	RFQ	7673	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5343		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.4 V						7.5 v	1.5欧姆
MSCDC200KK170D1PAG	464.5333	RFQ	3368	微芯片技术	-	盒子	积极的			底盘安装	模块	MSCDC200	SIC （碳化硅）		D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC200KK170D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1700 v	200a	1.8 V @ 200 A	0 ns	800 µA @ 1700 V	-40°C〜175°C
SMAJ5923CE3/TR13	0.6450	RFQ	9317	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5923		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V						8.2 v	3.5欧姆
JANTX1N970B-1/TR	2.1147	RFQ	1650	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N970B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 18 V						24 V	33欧姆
JANTX1N6313CUS/TR	44.6250	RFQ	5526	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6313CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		3 µA @ 1 V						3.6 v	25欧姆
MPP4206-206	3.6000	RFQ	2547	微芯片技术	Gigamite®	托盘	积极的		-		0402（（1005公制）	MPP4206			0402	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4206-206	Ear99	8541.10.0070	100										0.15pf @ 10V，1MHz	PIN-单	200V			2.5OHM @ 10mA，100MHz
Janhca1n914	5.2402	RFQ	3240	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n914	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1.2 V @ 50 mA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N5418E3	10.0950	RFQ	7594	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5418E3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
1月1N7055-1	7.6500	RFQ	1786年	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N7055				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
SMBG5344C/TR13	2.8650	RFQ	7614	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5344		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V						8.2 v	1.5欧姆
1 PMT4124C/TR7	1.2450	RFQ	2295	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4124		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 32.65 V						43 V	250欧姆
JANS1N6310DUS	356.3550	RFQ	9089	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6310		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆
JANTX1N937BUR-1/TR	-	RFQ	1210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N937BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V						9 V	20欧姆
MSD7804	-	RFQ	1763年	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C		死				死	-			到达不受影响	150-MSD7804			1										-	PIN-单	18V			-
1N5520D/tr	5.6850	RFQ	3649	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5520D/tr	Ear99	8541.10.0050	167					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						3.9 v	22欧姆
1N4748P/TR8	1.8600	RFQ	3907	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4748		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V						22 v	23欧姆
JAN1N6332DUS	38.2200	RFQ	2982	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6332DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V						22 v	20欧姆
1N6025D	6.9600	RFQ	5175	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6025		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 84 V						110 v	650欧姆
JANTX1N3822A-1	8.5800	RFQ	6651	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3822		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V						3.6 v	10欧姆
Janhca1n4626	12.1695	RFQ	6643	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4626	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V						5.6 v	1400欧姆
JAN1N4128D-1	13.1400	RFQ	5875	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4128			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V						60 V	400欧姆
1N991Bur-1/tr	14.3600	RFQ	3073	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	100					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 137 V						180 v	2200欧姆
jankca1n5519c	-	RFQ	6885	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5519C	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
CDLL5268/tr	3.3516	RFQ	3118	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5268/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 62 V						82 v	330欧姆
R2030	33.4500	RFQ	6532	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R2030			1
Jan1n5712ubd/tr	84.4500	RFQ	4932	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-				150-JAN1N5712UBD/TR			100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	16 V	75mA	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C
jankca1n4114d	-	RFQ	6153	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-JANKCA1N4114D	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V						20 v	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²