- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
二极管（（34409）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1月1N3025C-1 | 17.3250 |  | 9464 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N3025 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |
| JANTXV1N3025C-1 | 30.4350 | | 8109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N3025 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |
 | JANTX1N3025CUR-1 | 37.3500 | | 2198 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N3025 | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |
| JANTX1N3025D-1 | 27.4500 | | 2470 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N3025 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |
| JANTXV1N3025DUR-1 | 56.9100 | | 5923 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N3025 | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |
| JAN1N3026B-1 | - | | 9432 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | ||
| JANTXV1N3026B-1 | 11.8800 | | 1047 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N3026 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | |
| JANTX1N3026BUR-1 | 14.5800 | | 8951 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N3026 | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | |
| JANTXV1N3026BUR-1 | 18.0150 | | 8907 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N3026 | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | |
| JANTX1N3026C-1 | 25.5600 | | 8903 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N3026 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | |
| JAN1N3026D-1 | 21.6750 | | 6433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N3026 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | |
| JAN1N3026DUR-1 | 40.7250 | | 5012 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N3026 | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | |
| JAN1N3027CUR-1 | 32.5950 | | 9688 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N3027 | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 15.2 V | 20 v | 22欧姆 | |
 | JANTX1N4122C-1 | 16.4550 | | 6555 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4122 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200欧姆 | |
 | JANTX1N4122CUR-1 | 24.3150 | | 1677年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4122 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200欧姆 | |
| JANTXV1N4122CUR-1 | 28.8000 | | 7251 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4122 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200欧姆 | |
| JANTXV1N4122D-1 | 28.9500 | | 7916 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4122 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200欧姆 | |
| JAN1N4123CUR-1 | 22.3200 | | 6182 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4123 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 29.7 V | 39 v | 200欧姆 | ||
| Jan1n4123ur-1 | 8.7150 | | 4420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4123 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 29.7 V | 39 v | 200欧姆 | ||
| 1月1N4124-1 | 4.1100 | | 5399 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4124 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250欧姆 | ||
| JANTXV1N4124-1 | 9.0450 | | 8083 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4124 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250欧姆 | |
| JANTXV1N4124C-1 | 23.1600 | | 9926 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4124 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250欧姆 | |
| JAN1N4124CUR-1 | 22.3200 | | 1937年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4124 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250欧姆 | ||
| JANTXV1N4124CUR-1 | 28.8000 | | 7461 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4124 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250欧姆 | |
| JANTX1N4124DUR-1 | 30.4050 | | 5586 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4124 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250欧姆 | |
| JANTX1N4124UR-1 | 9.4950 | | 4217 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4124 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250欧姆 | |
| JAN1N4125CUR-1 | 22.3200 | | 3928 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4125 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 35.8 V | 47 V | 250欧姆 | ||
| JAN1N4125D-1 | 13.1400 | | 2573 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4125 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 35.8 V | 47 V | 250欧姆 | ||
| JANTX1N4125DUR-1 | 30.4050 | | 5223 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4125 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 35.8 V | 47 V | 250欧姆 | |
| 1月1N4126-1 | - | | 2252 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 38.8 V | 51 v | 300欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）