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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Janhca1n4123	13.2734	RFQ	3367	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4123	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
JANTX1N5419	9.2700	RFQ	4657	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5419	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.5 V @ 9 A	250 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
Jan1n6638u/tr	5.9584	RFQ	8922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N666638U/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.1 V @ 200 ma	20 ns	500 NA @ 150 V	-65°C〜175°C	300mA	2.5pf @ 0v，1MHz
1N5346BE3/TR12	2.6850	RFQ	5223	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5346		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		7.5 µA @ 6.6 V				9.1 v	2欧姆
1N2061R	158.8200	RFQ	6739	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2061R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTX1N6627U/TR	18.2700	RFQ	4043	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6627U/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1.75a	-
1N5342BE3/TR12	2.6850	RFQ	8300	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5342		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
JANS1N4479DUS	330.2550	RFQ	9490	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4479DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V				39 v	30欧姆
JANTXV1N6320DUS/TR	68.7000	RFQ	4448	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6320DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
JANTX1N6628	17.5500	RFQ	2137	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			通过洞	E，轴向	1N6628	标准			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	660 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
UPR60E3/TR13	2.6850	RFQ	1363	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR60	标准		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.6 V @ 2 A	30 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	2a	-
1N5940APE3/TR8	0.9150	RFQ	4191	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5940		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
SMBG5383BE3/TR13	1.1400	RFQ	3031	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5383		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 108 V				150 v	330欧姆
JANTXV1N6318CUS/TR	54.9900	RFQ	7133	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6318CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
1N3004A	36.9900	RFQ	8070	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3004		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 69.2 V				91 v	35欧姆
1N3620	44.1600	RFQ	9228	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3620	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 30 A		10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	25a	-
JAN1N6332DUS/TR	38.3700	RFQ	1094	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6332DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
JANTX1N6348US	18.0900	RFQ	3956	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6348		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V				100 v	340欧姆
JANTX1N3826D-1	27.4650	RFQ	3292	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3826		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N4740CPE3/TR12	1.1550	RFQ	6376	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4740		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
CDLL5537D/TR	16.3950	RFQ	1676年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5537D/tr	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
MPP4402-206/tr	5.0700	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4402-206/tr	Ear99	8541.10.0060	1,000
1N3662R	41.6850	RFQ	1147	微芯片技术	-	大部分	积极的			按适合	DO-208AA		标准，反极性		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3662R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.1 V @ 35 A		10 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	35a	-
1 PMT4124CE3/TR7	0.4950	RFQ	3064	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4124		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 32.65 V				43 V	250欧姆
JANTXV1N5527DUR-1	61.9050	RFQ	8162	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5527		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.8 V				7.5 v	35欧姆
JANTX1N5519D-1	21.9150	RFQ	1473	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5519		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
Jan1n938bur-1/tr	-	RFQ	1184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N938BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
APT30DQ60KG	0.8900	RFQ	1924年	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	APT30DQ60	标准		TO-220 [K]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	2.4 V @ 30 A	30 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	30a	-
1 PMT5939/TR13	2.2200	RFQ	5842	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
SMBJ5944AE3/TR13	0.8850	RFQ	8902	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5944		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²