SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JAN1N3020CUR-1 Microchip Technology JAN1N3020CUR-1 32.5950
RFQ
ECAD 8867 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3020 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 7.6 V 10 v 7欧姆
JANTX1N3020CUR-1 Microchip Technology JANTX1N3020CUR-1 37.3500
RFQ
ECAD 8082 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3020 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 7.6 V 10 v 7欧姆
JANTXV1N3020CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3020CUR-1 46.1250
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3020 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 7.6 V 10 v 7欧姆
JANTXV1N3021B-1 Microchip Technology JANTXV1N3021B-1 11.8800
RFQ
ECAD 6225 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3021 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
JAN1N3021BUR-1 Microchip Technology Jan1n3021bur-1 12.7350
RFQ
ECAD 4197 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3021 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
JANTX1N3021BUR-1 Microchip Technology JANTX1N3021BUR-1 14.5800
RFQ
ECAD 8963 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3021 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
JANTXV1N3021BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3021BUR-1 -
RFQ
ECAD 2228 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
JANTXV1N3021D-1 Microchip Technology JANTXV1N3021D-1 38.0400
RFQ
ECAD 3182 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3021 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
JANTXV1N3021DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3021DUR-1 56.9100
RFQ
ECAD 6568 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3021 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
JANTXV1N3022B-1 Microchip Technology JANTXV1N3022B-1 11.8800
RFQ
ECAD 4219 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3022 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
JANTX1N3022BUR-1 Microchip Technology JANTX1N3022BUR-1 -
RFQ
ECAD 8004 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
JANTX1N3022C-1 Microchip Technology JANTX1N3022C-1 26.2650
RFQ
ECAD 4396 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3022 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
JANTX1N3022CUR-1 Microchip Technology JANTX1N3022CUR-1 37.3500
RFQ
ECAD 4335 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3022 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
JAN1N3022D-1 Microchip Technology JAN1N3022D-1 29.6550
RFQ
ECAD 3280 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3022 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
JANTXV1N3022D-1 Microchip Technology JANTXV1N3022D-1 38.0400
RFQ
ECAD 1154 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3022 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
JAN1N3023B-1 Microchip Technology JAN1N3023B-1 -
RFQ
ECAD 2819 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
JAN1N3023BUR-1 Microchip Technology Jan1n3023bur-1 12.7350
RFQ
ECAD 7176 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3023 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
JANTX1N3023BUR-1 Microchip Technology JANTX1N3023BUR-1 14.5800
RFQ
ECAD 6071 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3023 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
JAN1N3023C-1 Microchip Technology Jan1n3023c-1 17.3250
RFQ
ECAD 1706年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3023 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
JAN1N3023CUR-1 Microchip Technology JAN1N3023CUR-1 32.5950
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3023 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
JAN1N3023D-1 Microchip Technology JAN1N3023D-1 21.6750
RFQ
ECAD 9874 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3023 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
JAN1N3023DUR-1 Microchip Technology JAN1N3023DUR-1 40.7250
RFQ
ECAD 7377 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3023 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
JAN1N3024B-1 Microchip Technology JAN1N3024B-1 -
RFQ
ECAD 7240 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
JANTXV1N3024BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3024BUR-1 -
RFQ
ECAD 2193 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
JANTX1N3024C-1 Microchip Technology JANTX1N3024C-1 22.6500
RFQ
ECAD 9902 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3024 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
JANTX1N3024CUR-1 Microchip Technology JANTX1N3024CUR-1 37.3500
RFQ
ECAD 8526 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3024 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
JANTXV1N3024D-1 Microchip Technology JANTXV1N3024D-1 36.2100
RFQ
ECAD 3466 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3024 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
JAN1N3024DUR-1 Microchip Technology JAN1N3024DUR-1 40.7250
RFQ
ECAD 5708 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3024 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
JANTX1N3024DUR-1 Microchip Technology JANTX1N3024DUR-1 46.6950
RFQ
ECAD 6431 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3024 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
JAN1N3025B-1 Microchip Technology JAN1N3025B-1 -
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 12.2 V 16 V 16欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库