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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
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JAN1N4132DUR-1/TR	24.8843	RFQ	7782	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4132DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V				82 v	800欧姆
CDLL829A/TR	26.4750	RFQ	4960	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.83％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL829A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
CD4684	2.3408	RFQ	8289	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD4684	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v
JANTXV1N4116D-1/TR	25.8153	RFQ	1460	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N4116D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
JANS1N4971US/TR	86.0502	RFQ	5734	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N4971US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 27.4 V				36 V	11欧姆
JANTX1N3042B-1/TR	9.0573	RFQ	4248	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N3042B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				8.2 v	200欧姆
CDLL4758A/TR	3.2319	RFQ	4717	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4758A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 42.6 V				56 v	110欧姆
JAN1N555525C-1/TR	12.6749	RFQ	4812	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N5525C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
JANTX1N4125DUR-1/TR	27.0921	RFQ	6179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4125DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 35.8 V				47 V	250欧姆
JANTX1N4128-1/TR	4.8412	RFQ	4674	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4128-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
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JANS1N4991US/TR	107.9502	RFQ	6601	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N4991US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 182 V				240 v	650欧姆
Jan1n4567a-1/tr	6.3600	RFQ	6000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4567A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
1N957B-1E3	3.1388	RFQ	8668	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N957B-1E3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	4.5欧姆
JANTX1N4134D-1/TR	15.1886	RFQ	6951	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4134D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
1N4930A/TR	69.4350	RFQ	1640年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4930A/TR	Ear99	8541.10.0050	1									19.2 v	36欧姆
1n962a/tr	2.0083	RFQ	7777	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		500兆	do-7	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N962A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 8.4 V				11 V	9.5欧姆
jankca1n5524b	-	RFQ	2954	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANKCA1N5524B	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
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Janhca1n4105	13.2734	RFQ	8677	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-Janhca1n4105	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.44 V				11 V	200欧姆
UES1105/tr	24.5700	RFQ	9017	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向	标准		a，轴向	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-ues1105/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.25 V @ 1 A	50 ns		-55°C〜150°C	2a	-
JANTX1N4113CUR-1/TR	21.7056	RFQ	7325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4113CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V				19 v	150欧姆
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Jan1n750aur-1/tr	4.0831	RFQ	1088	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N750AR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
jankca1n5544b	-	RFQ	7719	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANKCA1N5544B	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.2 V				28 V	100欧姆
BZV55C75/tr	2.7664	RFQ	3565	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-BZV55C75/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 52.2 V				75 v
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Janhca1n4109	13.2734	RFQ	5143	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-Janhca1n4109	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²