电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻 @ if,f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5920B | 4.6950 | ![]() | 2779 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5920 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N5920BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 2欧姆 | |||||||||||||||||
1N827A-1 | 7.4250 | ![]() | 9091 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 包 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N827 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | 到达不受影响 | 1N827A-1M | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 5.89 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||
1月1N6315 | 9.5100 | ![]() | 7911 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6315 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||
Jan1n6315us | 15.2850 | ![]() | 3072 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6315 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||
Jan1n6317c | 24.3300 | ![]() | 3094 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6317 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 14欧姆 | |||||||||||||||||||
JAN1N6318CUS | 39.1350 | ![]() | 5868 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6318 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 8欧姆 | |||||||||||||||||||
JANTX1N6320CUS | 44.4750 | ![]() | 6239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6320 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3欧姆 | |||||||||||||||||||
JANTXV1N6312 | 14.0700 | ![]() | 2882 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6312 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27欧姆 | |||||||||||||||||||
JANTXV1N6314D | 45.0600 | ![]() | 5077 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6314 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | |||||||||||||||||||
JANTXV1N6316D | 45.0600 | ![]() | 9168 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6316 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 17欧姆 | |||||||||||||||||||
MSC050SDA120BCT | 32.8100 | ![]() | 196 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | MSC050 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSC050SDA120BCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 50 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 109a | 246pf @ 400V,1MHz | ||||||||||||||||
APT60DQ60SG | 3.5100 | ![]() | 9907 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | APT60DQ60 | 标准 | d3pa k | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-APT60DQ60SG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2.4 V @ 60 A | 35 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 60a | - | |||||||||||||||||
![]() | MSCDC50H1201AG | 103.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCDC50 | schottky | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCDC50H1201AG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 50 A | 200 µA @ 1700 V | 50 a | 单相 | 1.2 kV | ||||||||||||||||
![]() | MSCDC200H170AG | 925.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCDC200 | schottky | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCDC200H170AG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 200 A | 800 µA @ 1700 V | 200 a | 单相 | 1.7 kV | ||||||||||||||||
![]() | MSCDC50H1701AG | 192.2100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCDC50 | schottky | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCDC50H1701AG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 50 A | 200 µA @ 1700 V | 50 a | 单相 | 1.7 kV | ||||||||||||||||
![]() | MSCDC50X1201AG | 139.6500 | ![]() | 1966年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCDC50 | schottky | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCDC50X1201AG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 50 A | 200 µA @ 1200 V | 50 a | 三期 | 1.2 kV | ||||||||||||||||
apt60d100sg/tr | 7.3800 | ![]() | 7377 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | APT60D100 | 标准 | d3pa k | 下载 | 到达不受影响 | 150-APT60D100SG/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 2.5 V @ 60 A | 280 ns | 250 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 60a | - | |||||||||||||||||
MSC50DC70HJ | 55.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MSC50DC70 | schottky | SOT-227(ISOTOP®) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSC50DC70HJ | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 50 A | 200 µA @ 700 V | 50 a | 单相 | 700 v | |||||||||||||||||
![]() | GC15012-150D/TR | - | ![]() | 3173 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 死 | GC15012 | 芯片 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-GC15012-150D/tr | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 6.8pf @ 20V,1MHz | 单身的 | 22 v | 13 | C0/C20 | 400 @ 4V,50MHz | ||||||||||||||||
![]() | MG1021-M16 | - | ![]() | 8198 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 包 | 积极的 | - | 螺柱 | MG1021 | - | - | 到达不受影响 | 150-MG1021-M16 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 800 MA | 50兆 | - | PIN-单 | 4V | - | |||||||||||||||||||
![]() | MG49158-M11 | - | ![]() | 4587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | 螺柱 | MG49158 | - | - | 到达不受影响 | 150-MG49158-M11 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MV21003-150A/TR | - | ![]() | 3494 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | 死 | 芯片 | - | 到达不受影响 | 150-MV21003-150A/TR | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.5pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 30 V | 3.4 | C0/C30 | 7000 @ 4V,50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MV21010-190 | - | ![]() | 3280 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | 死 | 芯片 | - | 到达不受影响 | 150-MV21010-190 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.2pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 30 V | 4.6 | C0/C30 | 4000 @ 4V,50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MV21001-150A | - | ![]() | 9074 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | 死 | 芯片 | - | 到达不受影响 | 150-MV21001-150ATR | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.3pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 30 V | 2.8 | C0/C30 | 8000 @ 4V,50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MV21009-150A | - | ![]() | 1965年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | 死 | 芯片 | - | 到达不受影响 | 150-MV21009-150ATR | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 1.8pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 30 V | 4.5 | C0/C30 | 5000 @ 4V,50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MV21003-M23 | - | ![]() | 9704 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | - | - | - | 到达不受影响 | 150-MV21003-M23 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 0.5pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 30 V | 3.4 | C0/C30 | 7000 @ 4V,50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MV21008-82 | - | ![]() | 6786 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | 死 | 芯片 | - | 到达不受影响 | 150-MV21008-82 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1.5pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 30 V | 4.3 | C0/C30 | 5000 @ 4V,50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MV21001-150A/TR | - | ![]() | 9357 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | 死 | 芯片 | - | 到达不受影响 | 150-MV21001-150A/TR | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.3pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 30 V | 2.8 | C0/C30 | 8000 @ 4V,50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | GC4432-115-2 | - | ![]() | 8188 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C〜150°C | 模块 | - | - | 到达不受影响 | 150-GC4432-115-2 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 mA | 0.5pf @ 50V,1MHz | PIN-单 | 300V | 1 OHM @ 100mA,100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | GC4602-110C | - | ![]() | 3906 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C | - | - | - | 到达不受影响 | 150-GC4602-110C | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1pf @ 50V,1MHz | PIN-单 | 2000V | 250MOHM @ 500mA,100MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库