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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5269A | 2.8350 | ![]() | 1702 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5269 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 68 V | 87 v | 370欧姆 | |||||||
![]() | CDLL5996 | 2.2950 | ![]() | 5576 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL5996 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | CDLL941 | 4.6350 | ![]() | 1804年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | CDLL941 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30欧姆 | |||||||
1N5519B | 1.8150 | ![]() | 8546 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5519 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24欧姆 | |||||||
1N5527B | 1.8150 | ![]() | 2472 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5527 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.8 V | 7.5 v | 35欧姆 | |||||||
1N5530B | 3.4350 | ![]() | 9100 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5530 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.1 V | 10 v | 60欧姆 | |||||||
![]() | 1N5540BUR-1 | 6.4800 | ![]() | 1187 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 1N5540 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 18 V | 20 v | 100欧姆 | ||||||
![]() | 1N5938A | 3.4050 | ![]() | 2408 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5938 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38欧姆 | ||||||
![]() | 1N5938D | 8.2950 | ![]() | 3764 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5938 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38欧姆 | ||||||
![]() | 469-03 | 428.4000 | ![]() | 4623 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 469-03 | 标准 | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.35 V @ 15.7 A | 2 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | ||||||
![]() | 469-04 | - | ![]() | 6634 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方 | 469-04 | 标准 | MD | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.35 V @ 15.7 A | 2 µA @ 880 V | 10 a | 单相 | 800 v | ||||||
![]() | 483-01 | 478.0950 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 我 | 483-01 | 标准 | 我 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.3 V @ 39 A | 1 µA @ 200 V | 25 a | 三期 | 200 v | ||||||
![]() | 678-6 | 401.7300 | ![]() | 7222 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | NC | 678-6 | 标准 | NC | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2266-678-6 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 10 A | 10 µA @ 600 V | 25 a | 三期 | 600 v | |||||
![]() | 679-3 | 391.7400 | ![]() | 4168 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4,NB | 679-3 | 标准 | NB | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 10 A | 20 µA @ 300 V | 25 a | 单相 | 300 v | ||||||
![]() | 679-4 | 391.7400 | ![]() | 4698 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4,NB | 679-4 | 标准 | NB | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 10 A | 20 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | ||||||
![]() | 680-3 | 216.7050 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | na | 680-3 | 标准 | na | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 2 A | 2 µA @ 300 V | 10 a | 单相 | 300 v | ||||||
![]() | 683-3 | 391.7400 | ![]() | 1671年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4,NB | 683-3 | 标准 | NB | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 5 A | 10 µA @ 300 V | 20 a | 单相 | 300 v | ||||||
![]() | 683-5 | 391.7400 | ![]() | 7319 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4,NB | 683-5 | 标准 | NB | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 5 A | 10 µA @ 500 V | 20 a | 单相 | 500 v | ||||||
![]() | 684-6 | 312.7800 | ![]() | 8762 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | na | 684-6 | 标准 | na | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | ||||||
![]() | 695-6 | 452.7000 | ![]() | 6484 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | NC | 695-6 | 标准 | NC | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 15 a | 三期 | 600 v | ||||||
![]() | 696-3 | 452.7000 | ![]() | 8139 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | NC | 696-3 | 标准 | NC | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 2 A | 5 µA @ 300 V | 15 a | 三期 | 300 v | ||||||
![]() | 800-4 | 523.2150 | ![]() | 4315 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 我 | 800-4 | 标准 | 我 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 950 MV @ 10 A | 20 µA @ 150 V | 40 a | 三期 | 150 v | ||||||
![]() | CDLL5987 | 2.2950 | ![]() | 1177 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL5987 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5985ur | 3.5850 | ![]() | 6672 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N5985 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5997ur | 3.5850 | ![]() | 6167 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N5997 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 1N6001UR-1 | 3.5850 | ![]() | 4146 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N6001 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 1n6003ur | 3.5850 | ![]() | 2472 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N6003 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 1N6012UR | 3.5850 | ![]() | 4319 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N6012 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 1N6323 | 8.4150 | ![]() | 9845 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | B,轴向 | 1N6323 | 500兆 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 6欧姆 | ||||||
1N6348 | 8.4150 | ![]() | 3733 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6348 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 76 V | 100 v | 340欧姆 |
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