SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5359C/TR8 Microchip Technology 1N5359C/TR8 3.3900
RFQ
ECAD 9069 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5359 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 17.3 V 24 V 3.5欧姆
1N5359E3/TR8 Microchip Technology 1N5359E3/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 7692 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5359 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 17.3 V 24 V 3.5欧姆
1N5360/TR8 Microchip Technology 1N5360/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 6605 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5360 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 na @ 18 V 25 v 4欧姆
1N5360A/TR8 Microchip Technology 1N5360A/TR8 -
RFQ
ECAD 9830 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5360 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 na @ 18 V 25 v 4欧姆
1N5360AE3/TR8 Microchip Technology 1N5360AE3/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 4089 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5360 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 na @ 18 V 25 v 4欧姆
1N5360C/TR8 Microchip Technology 1N5360C/TR8 3.3900
RFQ
ECAD 8653 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5360 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 na @ 18 V 25 v 4欧姆
1N5361/TR8 Microchip Technology 1N5361/TR8 -
RFQ
ECAD 8641 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5361 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 19.4 V 27 V 5欧姆
1N5361AE3/TR8 Microchip Technology 1N5361AE3/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 8348 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5361 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 19.4 V 27 V 5欧姆
1N5362B/TR8 Microchip Technology 1N5362B/TR8 2.6850
RFQ
ECAD 4160 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5362 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 20.1 V 28 V 6欧姆
1N5362BE3/TR8 Microchip Technology 1N5362BE3/TR8 2.6850
RFQ
ECAD 2717 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5362 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 20.1 V 28 V 6欧姆
1N5364CE3/TR8 Microchip Technology 1N5364CE3/TR8 3.3900
RFQ
ECAD 4736 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5364 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 23.8 V 33 V 10欧姆
1N5365/TR8 Microchip Technology 1N5365/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 3508 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5365 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 25.9 V 36 V 11欧姆
1N5365A/TR8 Microchip Technology 1N5365A/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5365 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 25.9 V 36 V 11欧姆
1N5365AE3/TR8 Microchip Technology 1N5365AE3/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 3542 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5365 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 25.9 V 36 V 11欧姆
1N5365B/TR8 Microchip Technology 1N5365B/TR8 2.6850
RFQ
ECAD 1745年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5365 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 25.9 V 36 V 11欧姆
1N5365C/TR8 Microchip Technology 1N5365C/TR8 3.3900
RFQ
ECAD 9042 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5365 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 25.9 V 36 V 11欧姆
1N5365CE3/TR8 Microchip Technology 1N5365CE3/TR8 3.3900
RFQ
ECAD 2623 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5365 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 25.9 V 36 V 11欧姆
1N5365E3/TR8 Microchip Technology 1N5365E3/TR8 -
RFQ
ECAD 6130 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5365 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 25.9 V 36 V 11欧姆
1N5366/TR8 Microchip Technology 1N5366/TR8 -
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5366 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 28.1 V 39 v 14欧姆
SMBJ4759AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ4759AE3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4759 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
SMBJ4759E3/TR13 Microchip Technology SMBJ4759E3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 5466 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4759 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
SMBJ4760A/TR13 Microchip Technology SMBJ4760A/TR13 0.8850
RFQ
ECAD 5861 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4760 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 51.7 V 68 v 150欧姆
SMBJ4761AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ4761AE3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 3858 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4761 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 56 V 75 v 175欧姆
SMBJ4762E3/TR13 Microchip Technology SMBJ4762E3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 6071 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4762 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 62.2 V 82 v 200欧姆
SMBJ4763E3/TR13 Microchip Technology SMBJ4763E3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4763 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
SMBJ4764/TR13 Microchip Technology SMBJ4764/TR13 0.8700
RFQ
ECAD 3769 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4764 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
SMBJ4764AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ4764AE3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 2108 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4764 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
SMBJ5341C/TR13 Microchip Technology SMBJ5341C/TR13 2.1900
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5341 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
SMBJ5342A/TR13 Microchip Technology SMBJ5342A/TR13 1.6350
RFQ
ECAD 3339 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5342 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 4.9 V 6.8 v 1欧姆
SMBJ5343AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5343AE3/TR13 0.8100
RFQ
ECAD 4689 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5343 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 5.4 V 7.5 v 1.5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库