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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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![]() | JANS1N4126CUR-1 | 97.9650 | ![]() | 4064 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 38.8 V | 51 v | 300欧姆 | |||||||
JANS1N4127D-1 | 101.3100 | ![]() | 4108 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 42.6 V | 56 v | 300欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N4130DUR-1 | 147.2700 | ![]() | 6308 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 51.7 V | 68 v | 700欧姆 | |||||||
JANS1N4134C-1 | 67.5450 | ![]() | 8356 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 69.2 V | 91 v | 1200欧姆 | ||||||||
JANS1N4461US | 92.7750 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | a,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 4.08 V | 6.8 v | 2.5欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N2973B | - | ![]() | 2274 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 10 W | DO-213AA(DO-4) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 2欧姆 | |||||||
![]() | JANTX1N3320RB | - | ![]() | 9611 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 16.7 V | 22 v | 2.5欧姆 | |||||||
![]() | MQSPB25 | 613.7550 | ![]() | 4769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4438 | 204.6750 | ![]() | 6597 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜160°C(TA) | 底盘,螺柱坐骑 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 10 A | 10 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | |||||||
![]() | 1N3156-1 | 31.5600 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N3156 | 500兆 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 v | 15欧姆 | |||||||
![]() | 1N4102UR-1 | 3.7950 | ![]() | 3086 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 1N4102 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.7 V | 8.7 v | 200欧姆 | |||||
1N4114-1 | 2.4450 | ![]() | 6108 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4114 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 15.2 V | 20 v | 150欧姆 | |||||||
1N4116-1 | 3.7950 | ![]() | 8294 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4116 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150欧姆 | |||||||
![]() | 1N4119UR-1 | 3.7950 | ![]() | 9881 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 1N4119 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 21.3 V | 28 V | 200欧姆 | |||||
1N4124-1 | 2.6400 | ![]() | 7259 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4124 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250欧姆 | |||||||
1N4570A-1 | 3.7800 | ![]() | 3431 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4570 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100欧姆 | ||||||||
1N4571-1 | 6.5250 | ![]() | 4824 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | 0°C〜75°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4571 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100欧姆 | ||||||||
1N4576A-1 | 3.4950 | ![]() | 5566 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4576 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 50欧姆 | ||||||||
JANS1N4575A-1 | 74.6250 | ![]() | 9881 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TA) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 50欧姆 | |||||||||
JANS1N4970DUS | 460.2000 | ![]() | 3540 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10欧姆 | ||||||||
![]() | 1N4436FS | 204.6750 | ![]() | 8722 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5527DUR-1 | 16.2000 | ![]() | 6068 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.8 V | 7.5 v | 35欧姆 | ||||||||
1N6319US | 14.7800 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 v | 3欧姆 | ||||||||
![]() | 684-1 | 312.7800 | ![]() | 2416 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C | 底盘安装 | 4,NB | 标准 | NB | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 2 A | 5 µA @ 100 V | 10 a | 单相 | 100 v | ||||||||
![]() | Jan1n3337b | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 56 V | 75 v | 9欧姆 | ||||||||
![]() | 1月1N967DUR-1 | 14.2500 | ![]() | 3281 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N4969 | 80.1900 | ![]() | 2571 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | B,轴向 | 5 w | B,轴向 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 22.8 V | 30 V | 8欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N6327DUS | 334.3200 | ![]() | 3872 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 9.9 V | 13 V | 8欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N6333US | 134.8050 | ![]() | 9843 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6333 | 500兆 | B,平方米 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 18 V | 24 V | 24欧姆 | |||||||
![]() | 1月1N2808RB | - | ![]() | 8843 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | to-204ad | 1N2808 | 25 w | TO-204AD(TO-3) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 25 µA @ 6.7 V | 10 v | 0.6欧姆 |
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