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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANS1N4126CUR-1 Microchip Technology JANS1N4126CUR-1 97.9650
RFQ
ECAD 4064 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 38.8 V 51 v 300欧姆
JANS1N4127D-1 Microchip Technology JANS1N4127D-1 101.3100
RFQ
ECAD 4108 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 42.6 V 56 v 300欧姆
JANS1N4130DUR-1 Microchip Technology JANS1N4130DUR-1 147.2700
RFQ
ECAD 6308 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 51.7 V 68 v 700欧姆
JANS1N4134C-1 Microchip Technology JANS1N4134C-1 67.5450
RFQ
ECAD 8356 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 69.2 V 91 v 1200欧姆
JANS1N4461US Microchip Technology JANS1N4461US 92.7750
RFQ
ECAD 4368 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w a,平方米 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 4.08 V 6.8 v 2.5欧姆
JANTXV1N2973B Microchip Technology JANTXV1N2973B -
RFQ
ECAD 2274 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 10 W DO-213AA(DO-4) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 25 µA @ 6.9 V 9.1 v 2欧姆
JANTX1N3320RB Microchip Technology JANTX1N3320RB -
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 16.7 V 22 v 2.5欧姆
MQSPB25 Microchip Technology MQSPB25 613.7550
RFQ
ECAD 4769 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 1
1N4438 Microchip Technology 1N4438 204.6750
RFQ
ECAD 6597 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜160°C(TA) 底盘,螺柱坐骑 模块 标准 模块 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.2 V @ 10 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
1N3156-1 Microchip Technology 1N3156-1 31.5600
RFQ
ECAD 2240 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N3156 500兆 do-7 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 5.5 V 8.4 v 15欧姆
1N4102UR-1 Microchip Technology 1N4102UR-1 3.7950
RFQ
ECAD 3086 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 1N4102 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.7 V 8.7 v 200欧姆
1N4114-1 Microchip Technology 1N4114-1 2.4450
RFQ
ECAD 6108 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4114 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 15.2 V 20 v 150欧姆
1N4116-1 Microchip Technology 1N4116-1 3.7950
RFQ
ECAD 8294 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4116 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 18.3 V 24 V 150欧姆
1N4119UR-1 Microchip Technology 1N4119UR-1 3.7950
RFQ
ECAD 9881 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 1N4119 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 21.3 V 28 V 200欧姆
1N4124-1 Microchip Technology 1N4124-1 2.6400
RFQ
ECAD 7259 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4124 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 32.7 V 43 V 250欧姆
1N4570A-1 Microchip Technology 1N4570A-1 3.7800
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4570 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 100欧姆
1N4571-1 Microchip Technology 1N4571-1 6.5250
RFQ
ECAD 4824 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% 0°C〜75°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4571 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 100欧姆
1N4576A-1 Microchip Technology 1N4576A-1 3.4950
RFQ
ECAD 5566 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4576 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 50欧姆
JANS1N4575A-1 Microchip Technology JANS1N4575A-1 74.6250
RFQ
ECAD 9881 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TA) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 50欧姆
JANS1N4970DUS Microchip Technology JANS1N4970DUS 460.2000
RFQ
ECAD 3540 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 25.1 V 33 V 10欧姆
1N4436FS Microchip Technology 1N4436FS 204.6750
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
1N5527DUR-1 Microchip Technology 1N5527DUR-1 16.2000
RFQ
ECAD 6068 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.8 V 7.5 v 35欧姆
1N6319US Microchip Technology 1N6319US 14.7800
RFQ
ECAD 100 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 3.5 V 6.2 v 3欧姆
684-1 Microchip Technology 684-1 312.7800
RFQ
ECAD 2416 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜150°C 底盘安装 4,NB 标准 NB - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.2 V @ 2 A 5 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
JAN1N3337B Microchip Technology Jan1n3337b -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 56 V 75 v 9欧姆
JAN1N967DUR-1 Microchip Technology 1月1N967DUR-1 14.2500
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 14 V 18 V 21欧姆
JANS1N4969 Microchip Technology JANS1N4969 80.1900
RFQ
ECAD 2571 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 B,轴向 5 w B,轴向 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 22.8 V 30 V 8欧姆
JANS1N6327DUS Microchip Technology JANS1N6327DUS 334.3200
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 9.9 V 13 V 8欧姆
JANS1N6333US Microchip Technology JANS1N6333US 134.8050
RFQ
ECAD 9843 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 1N6333 500兆 B,平方米 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 na @ 18 V 24 V 24欧姆
JAN1N2808RB Microchip Technology 1月1N2808RB -
RFQ
ECAD 8843 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 to-204ad 1N2808 25 w TO-204AD(TO-3) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 25 µA @ 6.7 V 10 v 0.6欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库