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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
jankca1n4135d	-	RFQ	5575	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-JANKCA1N4135D	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1500欧姆
jankca1n4118d	-	RFQ	3735	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Jankca1n4118d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.45 V				27 V	150欧姆
1N5100	23.4000	RFQ	5429	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5100	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 122 V				160 v	700欧姆
JANS1N4489D	343.5150	RFQ	7367	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANS1N4489D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 80 V				100 v	250欧姆
CD4681d	10.3950	RFQ	1119	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD4681d	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.4 v
CDLL5265C	6.7200	RFQ	3429	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5265C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 47 V				62 v	185欧姆
JAN1N6322DUS	38.2200	RFQ	6545	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6322DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V				8.2 v	5欧姆
APT60DQ60SG	3.5100	RFQ	9907	微芯片技术	-	管子	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT60DQ60	标准		d3pa k	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT60DQ60SG	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		2.4 V @ 60 A	35 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	60a	-
MSC050SDA120BCT	32.8100	RFQ	196	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	MSC050	SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC050SDA120BCT	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1200 v	1.8 V @ 50 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	109a	246pf @ 400V，1MHz
1月1N978C-1/tr	4.7481	RFQ	4147	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N978C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆
JANTXV1N5542B-1/TR	8.2327	RFQ	6197	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5542B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V				22 v	100欧姆
Jan1n4619c-1/tr	8.6317	RFQ	7180	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4619C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
JANTXV1N4113D-1/TR	25.8153	RFQ	6246	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4113D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V				19 v	150欧姆
JANTXV1N6331US/TR	19.9234	RFQ	5121	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6331US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
CD6344	2.1014	RFQ	8730	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD6344	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL5231/TR	2.8329	RFQ	6733	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5231/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	17欧姆
Jan1n5529bur-1/tr	12.9542	RFQ	4239	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5529BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
CDLL6320/tr	12.2227	RFQ	7728	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL6320/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
1N944A-1E3	22.7850	RFQ	6455	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N944A-1E3	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
Jan1n4116ur-1/tr	5.1870	RFQ	4509	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4116UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
1N5535BUR-1/TR	5.7855	RFQ	4190	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5535BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
JANS1N6632U/TR	-	RFQ	7987	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6632US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V				3.3 v	3欧姆
JANTX1N4958/TR	6.5702	RFQ	8221	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4958/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	2欧姆
Jan1n6912utk2cs/tr	364.6950	RFQ	8433	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6912UTK2CS/TR	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	45 v	640 mv @ 25 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
1N828/tr	14.7300	RFQ	2818	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N828/tr	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANTX1N5711UB/TR	59.3700	RFQ	2107	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5711UB/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
JANTX1N3017BUR-1/TR	13.0739	RFQ	4680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3017BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
JANTX1N3018B-1/TR	8.9908	RFQ	7099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3018B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	4.5欧姆
1月1N989B-1/tr	-	RFQ	2709	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N989B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V				150 v	1.5欧姆
1N4917/tr	102.4950	RFQ	9993	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4917/tr	Ear99	8541.10.0050	1									19.2 v	600欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²