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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1 PMT4099E3/TR7	0.5400	RFQ	4934	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4099		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.17 V				6.8 v	200欧姆
SBT2520	62.1000	RFQ	1192	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		肖特基		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-SBT2520	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	1 V @ 25 A		350 µA @ 20 V	-	25a	-
JANS1N4483CUS/TR	283.9800	RFQ	6067	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4483CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
1N4684/tr	3.6575	RFQ	2618	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4684/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v
1N4913A/TR	53.3550	RFQ	2583	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4913A/tr	Ear99	8541.10.0050	1									12.8 v	25欧姆
1N5420E3	8.1000	RFQ	4703	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.5 V @ 9 A	400 ns		-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N6335CUS	527.5650	RFQ	7990	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6335CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 23 V				30 V	32欧姆
1N5281BE3/tr	3.3117	RFQ	3400	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5281BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V
JANS1N4625C-1/TR	56.9000	RFQ	9952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4625C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.1 v	1.5欧姆
1N5361E3/TR12	2.6250	RFQ	8323	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5361		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 19.4 V				27 V	5欧姆
JANTXV1N759C-1/TR	10.2410	RFQ	1720年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N759C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
1N5371BE3/TR8	2.6850	RFQ	1639年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5371		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 43 V				60 V	40欧姆
JAN1N3033DUR-1	40.7250	RFQ	2426	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3033		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
JAN1N4371D-1	9.3450	RFQ	1662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4371			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
JAN1N3040B-1/TR	8.3524	RFQ	2357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3040B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
MSASC25H80K/TR	-	RFQ	9658	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC25H80K/TR			100
JANTXV1N759C-1	11.3850	RFQ	7140	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N759		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
Jan1n4488us/tr	10.6050	RFQ	3544	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4488US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		250 na @ 72.8 V				91 v	200欧姆
CD5711V	1.8900	RFQ	8016	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		肖特基		死	-			到达不受影响	150-CD5711V	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-55°C〜125°C	15mA	2pf @ 0v，1MHz
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JANTX1N5621US	10.2450	RFQ	6482	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5621	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.6 V @ 3 A	150 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 12v，1MHz
Jan1n4977us/tr	9.3600	RFQ	1131	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4977US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
SMBJ4753AE3/TR13	0.4350	RFQ	4953	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4753		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
JANTX1N4371C-1/TR	10.5602	RFQ	7491	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4371C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
JANS1N4995DUS	-	RFQ	7532	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 274 V				360 v	1400欧姆
Jan1n6305r	-	RFQ	3800	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	70a
1N4715UR-1/tr	5.2400	RFQ	2354	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 27.3 V				36 V
JANTXV1N4371DUR-1	29.5200	RFQ	8156	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4371		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N2242	44.1600	RFQ	9670	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2242	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	5a	-
CDLL4567A	10.1400	RFQ	5683	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	DO-213AA（）	CDLL4567		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²