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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N6621U	15.8250	RFQ	2497	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6621	标准		D-5A	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜150°C	1.2a	-
1N3035B-1	-	RFQ	7278	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3035		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
Janhca1n4370a	6.9160	RFQ	8840	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4370a	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
CDLL5919BE3	3.6575	RFQ	3815	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5919BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	2欧姆
1 PMT5945A/TR7	2.2200	RFQ	2308	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V				68 v	120欧姆
JANTXV1N5529B-1/TR	8.2327	RFQ	3367	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5529B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
JANTXV1N5418/TR	10.0200	RFQ	1887年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5418/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTXV1N4461US	17.2200	RFQ	3015	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4461		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		5 µA @ 4.08 V				6.8 v	2.5欧姆
UT3010	9.2550	RFQ	9937	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		标准		b	-			到达不受影响	150-UT3010	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1 V @ 2 A		5 µA @ 100 V	-195°C〜175°C	3a	-
1N5525BE3/tr	2.4450	RFQ	2539	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5525BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	391			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
Jan1n6313c	24.3300	RFQ	1481	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6313		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		3 µA @ 1 V				3.6 v	25欧姆
JANTXV1N3821DUR-1/TR	55.1418	RFQ	8545	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3821DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
JANTXV1N4466DUS	-	RFQ	6681	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
1N3070UR	9.0600	RFQ	6696	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N3070ur	Ear99	8541.10.0080	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	200 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 NA @ 175 V	-	100mA	-
SMBJ5926AE3/TR13	0.8850	RFQ	3543	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5926		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
1N4481US/TR	10.2410	RFQ	7669	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4481US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
1N6941UTK3CS	267.2850	RFQ	5675	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-1N6941UTK3CS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	500 mv @ 50 a		5 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	150a	7500pf @ 5V，1MHz
JANTXV1N4479US/TR	18.2250	RFQ	8074	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4479US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V				39 v	30欧姆
UTR4360	12.8400	RFQ	5008	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响	150-UTR4360	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.1 V @ 4 A	400 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	160pf @ 0v，1MHz
CDLL5269B/TR	3.3516	RFQ	9987	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5269B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 68 V				87 v	370欧姆
JANTX1N4476/TR	6.3707	RFQ	7168	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4476/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V				30 V	20欧姆
JANTX1N4974US	-	RFQ	3619	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V				47 V	25欧姆
JANTXV1N4494	19.7400	RFQ	5539	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4494		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 128 V				160 v	1000欧姆
1N5931APE3/TR8	0.9150	RFQ	9716	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5931		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
CDLL5236C/TR	6.9150	RFQ	6335	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5236C/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V				7.5 v	6欧姆
JAN1N3671AR	56.9250	RFQ	5056	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3671	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	12a	-
MSASC25W45KV/TR	232.8600	RFQ	5424	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MSASC25W45KV/TR			1
1N5623E3/tr	6.5101	RFQ	5065	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5623E3/tr	Ear99	8541.10.0080	1
1N4471D	22.1400	RFQ	3868	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4471d	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
JANS1N4477US	91.8900	RFQ	6346	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 26.4 V				33 V	25欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²