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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3665	41.6850	RFQ	9438	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-208AA		标准		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3665	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.1 V @ 35 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	35a	-
UPS315/TR13	2.3400	RFQ	4788	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS315	肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		15 v		320 mv @ 3 a		2 ma @ 15 V	-55°C〜125°C	3a	-
1n988b/tr	4.9476	RFQ	9315	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N988B/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 98.8 V				130 v	1100欧姆
R30460	40.6350	RFQ	9415	微芯片技术	R304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R304	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JAN1N5539CUR-1/TR	25.7887	RFQ	4610	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5539CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
1N2062R	158.8200	RFQ	3890	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2062R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		450 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 450 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTXV1N4491US	17.6250	RFQ	6215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4491		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		250 NA @ 96 V				120 v	400欧姆
CDS5534DUR-1	-	RFQ	6453	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5534DUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N5526A	1.6093	RFQ	1403	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5526A	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.5 V				6.8 v
1N6022UR-1/TR	3.7400	RFQ	8488	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 ma						82 v
JANTX1N555520BUR-1/TR	13.2202	RFQ	2570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N555520BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
Jan1n4111c-1/tr	9.4430	RFQ	4412	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4111C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V				17 V	100欧姆
1月1N4627-1	3.7500	RFQ	6426	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4627		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
CDLL5519C/TR	13.5300	RFQ	8719	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5519C/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1N5816E3	62.4150	RFQ	6673	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
Jan1n3174r	-	RFQ	6781	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1.55 V @ 940 A		10 mA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANTXV1N4131UR-1	11.2500	RFQ	6771	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4131		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
1N4954US	8.3000	RFQ	1	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4954		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
JANTX1N5616	5.0000	RFQ	60	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5616	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 400 V	-65°C 〜200°C	1a	-
CDLL5822/tr	6.7500	RFQ	8818	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDLL5822/tr			140
ST3040D	63.3000	RFQ	5549	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3040	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3040D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	400 v	15a	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C
JAN1N6316DUS/TR	49.0650	RFQ	1792年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6316DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	17欧姆
1N4588D	102.2400	RFQ	7845	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N4588D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JANTX1N4990DUS/TR	30.9000	RFQ	5238	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4990DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
CD5530D-1	-	RFQ	1839年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5530D-1	Ear99	8541.10.0050	50
S30640	39.0750	RFQ	7971	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S30640	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.1 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	85a	-
Janhca1n4113	13.2734	RFQ	9745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4113	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.44 V				19 v	150欧姆
1N5936E3/TR13	-	RFQ	9165	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
JANTX1N6628US	23.8800	RFQ	1135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6628	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		660 v		1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²