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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5119/tr	23.3550	RFQ	9280	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-1N5119/tr	Ear99	8541.10.0050	100								40 V	14欧姆
cdll828/tr	14.7300	RFQ	5128	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.83％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL828/tr	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANTX1N6351US	18.0900	RFQ	4121	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6351		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
Janhca1n4581a	11.4600	RFQ	4914	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANHCA1N4581A	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N3342A	49.3800	RFQ	9742	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3342		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 83 V				110 v	30欧姆
S20480	33.4500	RFQ	6513	微芯片技术	S204	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S20480	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.2 V @ 30 A	10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	12a	-
JAN1N4956CUS/TR	23.5200	RFQ	7508	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4956CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1N5988B/TR	2.8994	RFQ	4277	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5988B/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
1N4900A	25.8900	RFQ	7309	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4900		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1								12.8 v	200欧姆
MBR4090PTE3/TU	1.1700	RFQ	1887年	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR4090				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
1N5341A/TR8	2.6250	RFQ	5765	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5341		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A	1 µA @ 3 V				6.2 v	1欧姆
1N8233	4.7550	RFQ	8300	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N823		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
LSM840JE3/TR13	0.8100	RFQ	2303	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM840	肖特基		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	520 mv @ 8 a	2 ma @ 40 V	-55°C〜150°C	8a	-
SMBG5355C/TR13	2.8650	RFQ	1998	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5355		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 13 V				18 V	2.5欧姆
R4320	102.2400	RFQ	1953年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-R4320	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.1 V @ 200 A	50 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JANS1N4619UR-1/TR	69.1050	RFQ	1755年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-JANS1N4619UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.1 V @ 200 ma	400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
JANTXV1N4465US	25.5000	RFQ	5922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4465		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA	300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
Jan1n3037bur-1/tr	11.4247	RFQ	2585	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3037BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 35.8 V				51 v	95欧姆
JAN1N4121C-1/TR	9.4430	RFQ	2079	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4121C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
Janhca1n5545b	6.7564	RFQ	6296	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5545b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
Jan1n4470dus	33.4500	RFQ	6747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4470		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA	50 na @ 12.8 V				16 V	10欧姆
JANTXV1N5526DUR-1	61.9050	RFQ	4480	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5526		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
Jan1n3043c-1/tr	15.5078	RFQ	6691	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3043C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
1N4466C	17.7000	RFQ	6551	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4466C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
1月1N942BUR-1	-	RFQ	9100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
S306100	39.0750	RFQ	4330	微芯片技术	S306	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S306100	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.25 V @ 200 A	25 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N4571A	6.5800	RFQ	9475	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-1N4571A	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
Jan1n4493dus	33.4500	RFQ	3244	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4493		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA	250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
SMBJ5920CE3/TR13	1.3350	RFQ	9816	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5920		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²