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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4567A-1	103.1250	RFQ	5854	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JANTX1N4102C-1/TR	12.1695	RFQ	9410	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4102C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
MSASC75W80F/TR	-	RFQ	7988	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC75W80F/tr			100
JAN1N6642U	7.7800	RFQ	5654	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
JAN1N4614C-1	-	RFQ	6253	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	过时的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
CDLL5228B/TR	2.7132	RFQ	8996	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5228B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
CDLL4904/tr	183.6600	RFQ	7910	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4904/tr	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	100欧姆
JANTXV1N4108DUR-1	36.0000	RFQ	1559年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4108		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
Jan1n6323dus	38.2200	RFQ	9642	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6323DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 7 V				9.1 v	6欧姆
CDLL4758	3.4650	RFQ	4850	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4758			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 42.6 V				56 v	110欧姆
1N6333US/TR	14.7900	RFQ	6648	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
JANTX1N2979B	-	RFQ	6968	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2979		10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 11.4 V				15 v	3欧姆
1月1N821-1	-	RFQ	6879	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3 V				7.5 v	15欧姆
1N647UR-1	3.9600	RFQ	1906年	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AA（）	1N647	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	400mA	-
JANTX1N980BUR-1/TR	5.5328	RFQ	6976	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N980BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
1 PMT5928/TR7	2.2200	RFQ	9902	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
1N759A	2.0400	RFQ	355	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-1N759A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
R21120	33.4500	RFQ	9870	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	R21120	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1200 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	22a	-
JANS1N4124D-1/TR	94.7000	RFQ	2739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4124D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
MNS1N4567AUR-1/TR	13.0500	RFQ	7708	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-MNS1N4567AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100					2 µA @ 3 V					200欧姆
1N946A/tr	62.8050	RFQ	8661	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N946A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
Janhca1n4107d	-	RFQ	4495	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4107d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.857 V				13 V	200欧姆
1 PMT4117C/TR13	1.2450	RFQ	7388	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
JANTX1N6631US	19.1850	RFQ	4745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6631	标准		D-5B	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.6 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V，1MHz
JANTX1N6634C	-	RFQ	2341	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
CDLL5255B/TR	2.1014	RFQ	6206	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5255B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				28 V	44欧姆
JANS1N4460D	258.8850	RFQ	1595年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 3.72 V				6.2 v	4欧姆
JANS1N4972US	86.7300	RFQ	3	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 29.7 V				39 v	14欧姆
JANTXV1N983DUR-1	24.2250	RFQ	1750	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N983		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
HSM835J/TR13	2.0100	RFQ	5825	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	HSM835	肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	35 v	620 MV @ 8 A		250 µA @ 35 V	-55°C 〜175°C	8a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²