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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4583-1	8.9400	RFQ	5947	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4583		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N4486US	11.3550	RFQ	6433	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	下载			到达不受影响	1N4486USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 60 V				75 v	130欧姆
JANTX1N5616	5.0000	RFQ	60	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5616	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 400 V	-65°C 〜200°C	1a	-
Jan1n6626/tr	11.4450	RFQ	6410	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6626/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	220 v	1.35 V @ 1.2 A	30 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
1N4100D-1/TR	6.3300	RFQ	2633	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4100D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	150			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
1月1N982B-1	1.7100	RFQ	1803年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
1N3665	41.6850	RFQ	9438	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-208AA		标准		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3665	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 35 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	35a	-
JANTX1N6761UR-1	-	RFQ	8730	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N6761	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	380 mv @ 100 ma		100 µA @ 100 V	-65°C〜125°C	1a	-
JANTX1N4123CUR-1/TR	21.7056	RFQ	9140	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4123CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
CDLL5519BE3	5.9052	RFQ	8435	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5519BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1月1N5617	4.4700	RFQ	71	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5617	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.6 V @ 3 A	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
Jan1n4118ur-1/tr	7.8736	RFQ	3196	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4118UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
1 PMT4123E3/TR13	0.4950	RFQ	3877	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4123		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
JANTX1N4370DUR-1	28.9500	RFQ	9887	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4370		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
Jan1n4111c-1/tr	9.4430	RFQ	4412	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4111C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V				17 V	100欧姆
JANTX1N3009RB	-	RFQ	5403	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 98.8 V				130 v	100欧姆
1N5986	3.4050	RFQ	4095	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5986	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 500 mV				2.7 v	110欧姆
JAN1N5539CUR-1/TR	25.7887	RFQ	4610	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5539CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
JANTXV1N4113C-1	23.1600	RFQ	8618	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4113		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V				19 v	150欧姆
JANTX1N5615US	8.7450	RFQ	1295	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.6 V @ 3 A	150 ns		-65°C〜175°C	1a	-
1 PMT4121/TR13	0.9600	RFQ	7371	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4121		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 25.08 V				33 V	200欧姆
SMBJ5936A/TR13	1.5600	RFQ	9405	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5936		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
Jan1n3826a-1/tr	6.1446	RFQ	4522	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3826A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
CDLL5822/tr	6.7500	RFQ	8818	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDLL5822/tr			140
JANTX1N4558RB	-	RFQ	4963	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad			50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		150 µA @ 500 mV				4.3 v	0.16欧姆
1N976B	2.0700	RFQ	1389	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N976		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N976BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	93欧姆
UZ7840	468.9900	RFQ	2867	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7840	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 28.8 V				40 V	15欧姆
JANS1N4576A-1	142.3350	RFQ	3039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
UZ120SMT2	33.3150	RFQ	2589	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			3 W	a，平方米	-			到达不受影响	150-UZ120SMT2	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 152 V				200 v	950欧姆
JANTXV1N5552	17.0850	RFQ	3832	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5552	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	5a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²