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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3013A	36.9900	RFQ	8262	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3013		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 135 V				220 v	250欧姆
JANS1N6348CUS	527.5650	RFQ	1427	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6348CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V				100 v	340欧姆
SMBJ5360B/TR13	1.6650	RFQ	1083	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5360		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 18 V				25 v	4欧姆
JAN1N4617CUR-1	16.7700	RFQ	5900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4617		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				2.4 v	1400欧姆
JANTX1N6332DUS/TR	58.0500	RFQ	1897年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6332DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
CDLL4746A/TR	3.2319	RFQ	6586	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4746A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 13.7 V				18 V	20欧姆
JANTX1N3040CUR-1/TR	33.2500	RFQ	5568	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3040CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
JANTXV1N981CUR-1/TR	17.3166	RFQ	7015	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N981CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
MSASC100H45H	-	RFQ	4081	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™1		肖特基		Thinkey™1	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	650 mv @ 80 A			-65°C〜150°C	100a	-
JANTXV1N5536BUR-1/TR	17.2900	RFQ	5609	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5536BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
SMBG5363A/TR13	2.2200	RFQ	6041	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5363		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 21.6 V				30 V	8欧姆
1 PMT4126E3/TR13	0.4950	RFQ	3629	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4126		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.76 V				51 v	300欧姆
1N4120ur/tr	3.9450	RFQ	3624	微芯片技术	MIL-STD-750	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N4120ur/tr	Ear99	8541.10.0050	249			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200欧姆
JANTXV1N3020D-1	38.0400	RFQ	4132	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3020		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
Jan1n3033bur-1/tr	11.4247	RFQ	3166	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3033BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
SMBJ5929A/TR13	1.5600	RFQ	1391	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5929		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V				15 v	9欧姆
JANS1N936B-1	443.9400	RFQ	8507	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N936B-1	Ear99	8541.10.0050	1									9 V	20欧姆
JANTX1N4954/TR	5.6924	RFQ	3243	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4954/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
CD4571	7.3650	RFQ	8575	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4571	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTXV1N4464CUS	30.8850	RFQ	6412	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4464CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 NA @ 5.46 V				9.1 v	4欧姆
Jan1n4460d	25.4550	RFQ	4444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4460		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		10 µA @ 3.72 V				6.2 v	4欧姆
JAN1N4108C-1	9.0300	RFQ	4126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4108			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
1N2994RB	36.9900	RFQ	8342	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2994		10 W	DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2994RB	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 33 V				45 v	13欧姆
1N4125ur	3.7950	RFQ	6546	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4125		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 35.75 V				47 V	250欧姆
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1N6007A	1.9950	RFQ	8305	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6007		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 12 V				20 v	62欧姆
1N5222BUR-1	2.8650	RFQ	2045	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5222		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆
JANS1N5417US	71.2650	RFQ	2763	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N4967CUS/TR	24.7500	RFQ	8185	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4967CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²