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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
jankca1n4122c	-	RFQ	9565	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Jankca1n4122c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 27.38 V				36 V	200欧姆
Jan1n4472c	-	RFQ	7171	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 na @ 16 V				20 v	12欧姆
JANTX1N4131UR-1/TR	8.5652	RFQ	8057	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4131UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
CD020B-1	-	RFQ	8521	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3020B-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N976B	2.0700	RFQ	1389	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N976		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N976BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	93欧姆
1N5928C	4.0650	RFQ	7486	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5928		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
JAN1N3033C-1	17.3250	RFQ	6841	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3033		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
JANTX1N1190	62.0700	RFQ	1411	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/297	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1190	标准		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.4 V @ 110 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	35a	-
Janhca1n5543c	-	RFQ	6155	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n5543c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
1月1N6774	-	RFQ	3719	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
JANTXV1N6352DUS/TR	-	RFQ	9419	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6352DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V				150 v	1000欧姆
JANTXV1N4471DUS	81.6600	RFQ	7077	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4471		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
JANS1N4990C	415.7700	RFQ	9522	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4990C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
JAN1N3018C-1/TR	17.4895	RFQ	9464	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3018C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				8.2 v	4.5欧姆
CD4484	4.3624	RFQ	8642	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4484	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N979D-1	9.4800	RFQ	3573	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N979		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 43 V				56 v	150欧姆
JANTXV1N3025B-1	11.8800	RFQ	4309	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3025		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
1月1N988DUR-1/tr	-	RFQ	6163	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	-				150-JAN1N988DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 99 V				130 v	1100欧姆
MSASC75W80F/TR	-	RFQ	7988	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC75W80F/tr			100
JANTX1N6631US	19.1850	RFQ	4745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6631	标准		D-5B	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.6 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N5802	-	RFQ	6284	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	在sic中停产			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
JANTX1N6673	-	RFQ	2105	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/617	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.55 V @ 20 A	35 ns	50 µA @ 320 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
1N6344US	14.6400	RFQ	6627	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6344		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V				68 v	155欧姆
JAN1N4956CUS/TR	23.5200	RFQ	7508	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4956CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
JANS1N6350/TR	130.9402	RFQ	7149	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6350/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 91 V				120 v	600欧姆
CDS752A-1	-	RFQ	6077	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS752A-1	Ear99	8541.10.0050	50
R3640	52.5750	RFQ	1918年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R3640	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.25 V @ 200 A	5 µs	25 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	70a	-
JANTXV1N55330D-1	29.2200	RFQ	9167	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5530		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
1 PMT5939AE3/TR13	0.7350	RFQ	6325	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
JANTX1N980BUR-1/TR	5.5328	RFQ	6976	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N980BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²