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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N825-1E3/tr	8.5950	RFQ	1888年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N825-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANTXV1N4496C	33.0000	RFQ	1591年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4496C	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 160 V				200 v	1500欧姆
JANTX1N555520BUR-1/TR	13.2202	RFQ	2570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N555520BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
Janhca1n4113	13.2734	RFQ	9745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4113	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.44 V				19 v	150欧姆
JANTX1N6628US	23.8800	RFQ	1135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6628	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		660 v		1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
ST3040D	63.3000	RFQ	5549	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3040	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3040D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	400 v	15a	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C
JANTX1N4990DUS/TR	30.9000	RFQ	5238	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4990DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
CD5530D-1	-	RFQ	1839年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5530D-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N5526A	1.6093	RFQ	1403	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5526A	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.5 V				6.8 v
1月1N4627-1	3.7500	RFQ	6426	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4627		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
CDLL5519C/TR	13.5300	RFQ	8719	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5519C/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
Jan1n3174r	-	RFQ	6781	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1.55 V @ 940 A		10 mA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	300A	-
1N4954US	8.3000	RFQ	1	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4954		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
SMBJ5936A/TR13	1.5600	RFQ	9405	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5936		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
UTR2305	11.8800	RFQ	4979	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响	150-UTR2305	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.1 V @ 2 A	250 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	2a	600pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N4465US	25.5000	RFQ	5922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4465		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
CD5822	9.7200	RFQ	6300	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5822	Ear99	8541.10.0040	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		550 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N6840	161.9550	RFQ	6729	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N6840	肖特基		U3 （SMD-0.5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	35 v	10a	750 MV @ 10 A		100 µA @ 35 V	-55°C〜150°C
1N2132RA	74.5200	RFQ	5819	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2132RA	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		250 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 250 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTXV1N6662US	-	RFQ	6364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6662	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	-
1N249C	74.5200	RFQ	6647	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N249C	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	20a	-
JANTX1N5615US	8.7450	RFQ	1295	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.6 V @ 3 A	150 ns		-65°C〜175°C	1a	-
1N4573ur-1/tr	18.7050	RFQ	6325	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4573UR-1/tr	Ear99	8541.10.0050	100							2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
CD5523B	2.0482	RFQ	7526	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5523B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 2.5 V				5.1 v	26欧姆
SMAJ4752AE3/TR13	0.6450	RFQ	4443	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4752		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1N4616	2.6250	RFQ	7648	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4616	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
JANS1N4491	137.4000	RFQ	9830	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 96 V				120 v	400欧姆
1N3042B-1	8.1900	RFQ	2340	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3042		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
JANTXV1N4113C-1	23.1600	RFQ	8618	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4113		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V				19 v	150欧姆
1 PMT4131C/TR7	1.2450	RFQ	4221	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	250欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²