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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Janhca1n986c	-	RFQ	3739	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n986c	Ear99	8541.10.0050	100			1.3 V @ 200 ma		5 µA @ 83.6 V				110 v	750欧姆
1N978D-1	5.1900	RFQ	8002	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆
JANTXV1N3306B	-	RFQ	5890	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		125 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
1 PMT4105CE3/TR7	0.4950	RFQ	8902	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.44 V				11 V	200欧姆
1 PMT5944BE3/TR13	0.7350	RFQ	1496年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆
JANTX1N5804US	8.4900	RFQ	3739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5804	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
1N5995C/TR	3.8437	RFQ	6038	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5995C/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
SMBJ5927BE3/TR13	0.3000	RFQ	2222	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5927		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
CD755A	1.5029	RFQ	2485	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD755A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
JANTXV1N6488CUS/TR	-	RFQ	8183	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTXV1N6488CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
JANS1N7050UR-1	162.9150	RFQ	1044	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5922P/TR8	1.8600	RFQ	6121	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5922		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 v	3欧姆
1N750/tr	2.0748	RFQ	3748	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N750/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				4.7 v	19欧姆
JANTXV1N4461	12.6150	RFQ	9584	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4461		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		5 µA @ 4.08 V				6.8 v	2.5欧姆
S38160	61.1550	RFQ	2916	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S38160			1
CDS5711UR-1	182.1000	RFQ	23	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDS5711				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
Janhca1n5712	5.3100	RFQ	6536	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5712	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
CD4745A	1.8354	RFQ	8831	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4745A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 12.2 V				16 V	16欧姆
JANTXV1N756D-1	14.2500	RFQ	3004	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N756		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6 V				8.2 v	8欧姆
JANTXV1N7052UR-1	12.8250	RFQ	4636	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5229B/tr	1.8088	RFQ	3303	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5229B/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
1 PMT5945AE3/TR7	0.7350	RFQ	6562	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V				68 v	120欧姆
1N4686	3.9300	RFQ	8766	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4686		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				3.9 v
S43140T	112.3200	RFQ	1061	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-S43140T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
SMBG5340A/TR13	2.2200	RFQ	1538年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5340		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
HSM540JE3/TR13	0.9600	RFQ	5216	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					HSM540				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
JANTXV1N4130D-1	28.9500	RFQ	3160	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4130		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆
1 PMT4103C/TR7	1.2450	RFQ	6882	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.92 V				9.1 v	200欧姆
1 PMT5952E3/TR7	0.7350	RFQ	2750	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V				130 v	450欧姆
CDLL3039B/TR	13.7522	RFQ	9729	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3039B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 47.1 V				62 v	125欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²