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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
R4330T	102.2400	RFQ	7281	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-R4330T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N5271b/tr	2.8861	RFQ	5380	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5271b/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
MSCDC200A70D1PAG	182.5200	RFQ	13	微芯片技术	-	盒子	积极的			底盘安装	模块	MSCDC200	SIC （碳化硅）		D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC200A70D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	700 v	200a	1.8 V @ 200 A	0 ns	800 µA @ 700 V	-40°C〜175°C
1N2135RA	74.5200	RFQ	8843	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2135RA	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTXV1N4484US/TR	17.7750	RFQ	9777	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4484US/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 49.6 V				62 v	80欧姆
JANTXV1N746CUR-1	16.5600	RFQ	4894	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N746		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JANS1N6872UTK2	608.4000	RFQ	3699	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JANS1N6872UTK2	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
JANTXV1N4107C-1	21.6900	RFQ	2745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4107		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				13 V	200欧姆
Jan1n4128ur-1	8.7150	RFQ	9403	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4128			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
JANTXV1N5522CUR-1/TR	44.0363	RFQ	5969	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5522CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.7 v	22欧姆
CDLL3016B/TR	14.4571	RFQ	2693	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3016B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	3.5欧姆
JANTXV1N5526DUR-1	61.9050	RFQ	4480	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5526		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
CDLL5926B	3.8100	RFQ	2756	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5926		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
JAN1N5522D-1	17.6700	RFQ	6146	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5522		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.7 v	22欧姆
JANS1N4100D-1/TR	94.7100	RFQ	7420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4100D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
R5340T	158.8200	RFQ	5198	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R5340TS			1
CDLL5237/tr	2.7132	RFQ	1253	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5237/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V				8.2 v	8欧姆
JANTX1N5522B-1	7.2300	RFQ	1361	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5522		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.7 v	22欧姆
CD4099V	3.0900	RFQ	7255	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD4099V	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 5.17 V				6.8 v	200欧姆
1N5942B	3.4050	RFQ	2933	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5942		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V				51 v	70欧姆
JANTXV1N4996	-	RFQ	7770	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
MSCDC100A120D1PAG	155.4700	RFQ	35	微芯片技术	-	盒子	积极的			底盘安装	模块	MSCDC100	SIC （碳化硅）		D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC100A120D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	1200 v	100a	1.8 V @ 100 A	0 ns	400 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C
1月1N2972B	-	RFQ	7719	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1月1N4974	5.8350	RFQ	5975	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4974		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V				47 V	25欧姆
Jan1n6634c	-	RFQ	3664	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
JANTX1N6638U	7.0050	RFQ	2839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6638	标准		D-5B	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		125 v		1.1 V @ 200 ma	4.5 ns	500 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N5246A	3.2250	RFQ	2972	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5246		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 11.4 V				16 V	17欧姆
JANTX1N6319US	-	RFQ	4218	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
JAN1N6911UTK2	-	RFQ	2203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）		30 V		540 mv @ 25 A		1.2 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	25a
JANTX1N4099-1/TR	4.5486	RFQ	3206	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4099-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²