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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
UES1101SME3/tr	24.5400	RFQ	1278	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-US1101SME3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	975 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 50 V	175°C	2.5a	-
1N5341CE3/TR13	-	RFQ	8058	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5341		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6.2 v	1欧姆
JANTX1N6677-1/TR	-	RFQ	6027	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6677-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	-
JANTXV1N4996CUS/TR	-	RFQ	2892	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4996CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
UFS380J/TR13	2.6100	RFQ	7198	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	UFS380	标准		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.2 V @ 3 A	60 ns	10 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C	3a	-
JANS1N5416US/TR	70.5900	RFQ	4388	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5416US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
DR-1061	-	RFQ	3451	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DR-1061			1
1N4976US	9.4650	RFQ	7319	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4976		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V				56 v	35欧姆
CDLL4463	11.3550	RFQ	6489	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4463		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
ST6060	78.9000	RFQ	2223	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST6060	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	20a	-
jankca1n5546c	-	RFQ	7416	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5546C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
JANS1N6313/TR	114.7350	RFQ	9471	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6313		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	50			1.4 V @ 1 A		3 µA @ 1 V				3.6 v	25欧姆
JANTXV1N444454-1	3.3900	RFQ	2527	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/144	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	JANTXV1N444454-1MS	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1 V @ 10 mA	4 ns	100 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N6857-1	-	RFQ	9714	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	350 mv @ 1 mA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA
DSB0.2A30	-	RFQ	3819	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.2	肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	650 MV @ 500 mA		10 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N4618C-1/TR	13.2335	RFQ	3729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4618C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
mbr6040pte3/tu	2.0100	RFQ	1023	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR604				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
JANTX1N6353CUS/TR	-	RFQ	8869	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载				150-JANTX1N6353CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V				160 v	1200欧姆
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JANTXV1N4105C-1/TR	20.6815	RFQ	5701	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4105C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
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CD0.2A40	2.2650	RFQ	3176	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD0.2A40	Ear99	8541.10.0040	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
JANTX1N755DUR-1	17.8950	RFQ	8664	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N755		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
UES1302SME3/tr	40.5900	RFQ	8936	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-ues1302sme3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	925 mv @ 6 a	30 ns	5 µA @ 100 V	175°C	6a	-
1 PMT5951C/TR13	2.7600	RFQ	6527	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 v	380欧姆
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1N5372C/TR8	3.3900	RFQ	3327	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆
JAN1N6337DUS	43.0800	RFQ	5560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	包	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6337		500兆	B，平方米	下载			到达不受影响	JAN1N6337DUSMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V				36 V	50欧姆
R712	55.6500	RFQ	3860	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	R712	标准		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.4 V @ 15 A	200 ns	1 mA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²