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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL4738A/TR	3.2319	RFQ	7678	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4738A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
1N5345E3/TR13	0.9900	RFQ	9763	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5345		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 6.25 V				8.7 v	2欧姆
JANTXV1N6345CUS	57.1050	RFQ	1728年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6345CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
JANTX1N986DUR-1	19.4700	RFQ	6054	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N986		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 84 V				110 v	750欧姆
1N4955US/TR	7.4613	RFQ	7661	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4955US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	1.5欧姆
Jan1n5417us	9.3600	RFQ	4806	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N5417	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
UFR3280	199.2450	RFQ	7806	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.35 V @ 30 A	60 ns		175°c （最大）	30a
Jan1n5416	6.6300	RFQ	4320	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5416	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N5420U	70.4400	RFQ	7227	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.5 V @ 9 A	400 ns		-65°C〜175°C	3a	-
1N4751AP/TR8	1.8900	RFQ	5727	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4751		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
1N3034BUR-1	15.3000	RFQ	1066	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3034		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
JANTXV1N5812R	246.3300	RFQ	6150	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
1月1N1124A	-	RFQ	3819	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	2.2 V @ 10 A		5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C		-
R4210	102.2400	RFQ	8103	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-R4210	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	125a	-
JANTXV1N4982DUS	51.1200	RFQ	8825	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4982DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 76 V				100 v	110欧姆
JAN1N6642U	7.7800	RFQ	5654	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
JANS1N6487US	-	RFQ	2750	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
JANTX1N4101-1/TR	8.3258	RFQ	6164	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4101-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V				8.2 v	200欧姆
1N1200BR	34.7100	RFQ	9806	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1200	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	12a	-
1 PMT5929BE3/TR13	-	RFQ	7848	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V				15 v	8欧姆
1N6317US/TR	19.1254	RFQ	1489	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6317US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
1 PMT5931AE3/TR13	0.7350	RFQ	8245	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
JANS1N4992DUS/TR	346.6800	RFQ	2837	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4992DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V				270 v	800欧姆
JANTX1N5526C-1/TR	17.4496	RFQ	3106	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5526C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
SMBJ5376CE3/TR13	1.0800	RFQ	6274	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5376		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 63 V				87 v	75欧姆
JANTXV1N5814	-	RFQ	6420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	在sic中停产			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
CDLL4706/tr	3.0989	RFQ	4000	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4706/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.4 V				19 v
JANTXV1N6323US/TR	22.4700	RFQ	5167	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6323US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 7 V				9.1 v	6欧姆
SMBJ5954C/TR13	2.0850	RFQ	2330	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5954		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V				160 v	700欧姆
1N4751P/TR12	1.8600	RFQ	4551	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4751		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²