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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MSC2X31SDA070J	38.0700	RFQ	9	微芯片技术	-	管子	积极的					MSC2X31				-		（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC2X31SDA070J	Ear99	8541.10.0080	1
JANTX1N6631US	19.1850	RFQ	4745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6631	标准		D-5B	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1100 v		1.6 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V，1MHz
1N5345/TR8	2.6250	RFQ	2020	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5345		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 6.25 V				8.7 v	2欧姆
1N4754AUR/TR	3.6200	RFQ	8971	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
JANS1N5807/TR	25.7850	RFQ	4447	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5807/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		875 mv @ 4 A	30 ns		-65°C〜175°C	6a	-
1N976B	2.0700	RFQ	1389	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N976		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N976BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	93欧姆
UES702R	58.9950	RFQ	7186	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UES702	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		950 MV @ 25 A	35 ns	20 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	25a	-
1N4921	90.1500	RFQ	1769年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4921		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											19.2 v	300欧姆
APT2X101D100J	34.8000	RFQ	6356	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	1000 v	95a	2.5 V @ 100 A	300 ns	250 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C
1 PMT5939BE3/TR7	0.7350	RFQ	3636	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
MBR3045CTE3/TU	-	RFQ	6434	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	MBR3045	肖特基		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	700 MV @ 15 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
JANTXV1N645-1/TR	-	RFQ	7376	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N645-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		225 v		1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	400mA	-
1N2068R	158.8200	RFQ	9695	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2068R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1000 V	-65°C 〜190°C	275a	-
CD6341	2.1014	RFQ	1526年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD6341	Ear99	8541.10.0050	1
1N5931A	3.0300	RFQ	3478	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5931		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
JANTX1N6326DUS/TR	51.4843	RFQ	1454	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6326DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V				12 v	7欧姆
1N4729ur-1/tr	3.6200	RFQ	4465	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
Jan1n6642us	7.7100	RFQ	9866	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		75 v		1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	40pf @ 0v，1MHz
1月1N980C-1	4.8300	RFQ	5186	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
1N5274-1	3.0750	RFQ	4348	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5274-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
1N1343	45.3600	RFQ	7029	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1343	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		150 v		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANTXV1N982CUR-1/TR	17.3166	RFQ	4456	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N982CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
JANTX1N4624CUR-1	29.2650	RFQ	7292	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4624		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
1N5811USE3/tr	6.7200	RFQ	9627	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5811USE3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		875 mv @ 4 A	30 ns		-65°C〜175°C	3a	-
Jan1n4465c	16.7700	RFQ	6859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4465		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
UFS310G/TR13	3.0150	RFQ	4518	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS310	标准		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		950 mv @ 3 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	3a	-
1N2058	158.8200	RFQ	2981	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2058	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		250 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 250 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTX1N3172R	-	RFQ	5658	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.55 V @ 940 A		10 ma @ 800 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANTXV1N6351C	37.5300	RFQ	4966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6351C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
Jan1n6352us/tr	-	RFQ	4428	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载				150-JAN1N6352US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V				150 v	1000欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²