电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX1N6640 | 10.8600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/609 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | D,轴向 | 1N6640 | 标准 | D-5D | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | |||||||
![]() | SMBG5385AE3/TR13 | 1.1250 | ![]() | 9498 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5385 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 122 V | 170 v | 380欧姆 | |||||||||
![]() | S43120T | 112.3200 | ![]() | 8839 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | 到达不受影响 | 150-S43120T | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.1 V @ 200 A | 50 µA @ 1200 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | ||||||||||
![]() | JANTXV1N5542DUR-1/TR | 55.0221 | ![]() | 1423 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5542DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 21.6 V | 24 V | 100欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N3297R | 102.2400 | ![]() | 2488 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3297 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 1400 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | |||||||||
![]() | JANS1N4475D | 258.8850 | ![]() | 4493 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 21.6 V | 27 V | 18欧姆 | |||||||||||
JANTX1N5620U | 9.1650 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5620 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||
![]() | 1N3168R | 201.6150 | ![]() | 3170 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 1N3168 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3168RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.55 V @ 940 A | 10 ma @ 400 V | -65°C 〜200°C | 300A | - | ||||||||
![]() | CDS976B-1 | - | ![]() | 5341 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDS976B-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4580AR-1/TR | 5.5800 | ![]() | 8760 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 175 | 2 µA @ 3 V | 25欧姆 | |||||||||||||||
![]() | SMBJ5344CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 4640 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5344 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 5.9 V | 8.2 v | 1.5欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n3038bur-1 | 12.7350 | ![]() | 2306 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3038 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 42.6 V | 56 v | 110欧姆 | |||||||||
![]() | CDLL4697/TR | 3.1255 | ![]() | 1504 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL4697/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7.6 V | 10 v | |||||||||||
![]() | JANTX1N4967CUS/TR | 24.7500 | ![]() | 8185 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4967CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N2982RB | - | ![]() | 4189 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 10 W | DO-213AA(DO-4) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 4欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N2240 | 44.1600 | ![]() | 9209 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2240 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | JANTX1N3295R | - | ![]() | 1403 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/246 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1.55 V @ 310 A | 10 mA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | |||||||||||
![]() | 1N3043A-1/TR | 8.3700 | ![]() | 3803 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N3043 | 1 w | do-41 | - | 到达不受影响 | 150-1N3043A-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 113 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 69.2 V | 91 v | 250欧姆 | ||||||||||
CDLL5921D | 11.7300 | ![]() | 6150 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5921 | 1.25 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 2.5欧姆 | ||||||||||
JANTX1N3827D-1 | 27.4650 | ![]() | 3527 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3827 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 3 µA @ 2 V | 5.6 v | 5欧姆 | ||||||||||
CDLL5926B | 3.8100 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5926 | 1.25 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 5.5欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N4478US | 11.3550 | ![]() | 4046 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4478 | 1.5 w | a,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N4478USM | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 28.8 V | 36 V | 27欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n944b-1/tr | - | ![]() | 7411 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N944B-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30欧姆 | |||||||||||
JANTX1N5528B-1/TR | 5.5328 | ![]() | 2397 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5528B-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 7.5 V | 8.2 v | 40欧姆 | |||||||||||
1N4103-1 | 2.4450 | ![]() | 4713 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4103 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 7 V | 9.1 v | 200欧姆 | |||||||||||
JANS1N4996CUS | - | ![]() | 2896 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 16.7 V | 22 v | 1800欧姆 | ||||||||||||
JANTX1N4495US | 15.0600 | ![]() | 5560 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4495 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 250 NA @ 144 V | 180 v | 1300欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTXV1N750CUR-1 | 19.7700 | ![]() | 2078 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N750 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 19欧姆 | |||||||||
![]() | 1N1343 | 45.3600 | ![]() | 7029 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1343 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 150 V | -65°C 〜200°C | 16a | - | |||||||||
![]() | 1N3531A | 2.4900 | ![]() | 7296 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N3531 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 36 V | 75欧姆 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库