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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTX1N6640 Microchip Technology JANTX1N6640 10.8600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/609 大部分 积极的 通过洞 D,轴向 1N6640 标准 D-5D 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -65°C〜175°C 300mA -
SMBG5385AE3/TR13 Microchip Technology SMBG5385AE3/TR13 1.1250
RFQ
ECAD 9498 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5385 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 122 V 170 v 380欧姆
S43120TS Microchip Technology S43120T 112.3200
RFQ
ECAD 8839 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 到达不受影响 150-S43120T Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 200 A 50 µA @ 1200 V -65°C 〜200°C 150a -
JANTXV1N5542DUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5542DUR-1/TR 55.0221
RFQ
ECAD 1423 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5542DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 21.6 V 24 V 100欧姆
1N3297R Microchip Technology 1N3297R 102.2400
RFQ
ECAD 2488 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3297 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.2 V @ 200 A 50 µA @ 1400 V -65°C 〜200°C 100a -
JANS1N4475D Microchip Technology JANS1N4475D 258.8850
RFQ
ECAD 4493 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.5 w do-41 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 21.6 V 27 V 18欧姆
JANTX1N5620US Microchip Technology JANTX1N5620U 9.1650
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N5620 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 800 V -65°C〜175°C 1a -
1N3168R Microchip Technology 1N3168R 201.6150
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 1N3168 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N3168RMS Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.55 V @ 940 A 10 ma @ 400 V -65°C 〜200°C 300A -
CDS976B-1 Microchip Technology CDS976B-1 -
RFQ
ECAD 5341 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-CDS976B-1 Ear99 8541.10.0050 50
1N4580AUR-1/TR Microchip Technology 1N4580AR-1/TR 5.5800
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 175 2 µA @ 3 V 25欧姆
SMBJ5344CE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5344CE3/TR13 1.0800
RFQ
ECAD 4640 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5344 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 5.9 V 8.2 v 1.5欧姆
JAN1N3038BUR-1 Microchip Technology Jan1n3038bur-1 12.7350
RFQ
ECAD 2306 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3038 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 42.6 V 56 v 110欧姆
CDLL4697/TR Microchip Technology CDLL4697/TR 3.1255
RFQ
ECAD 1504 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL4697/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 7.6 V 10 v
JANTX1N4967CUS/TR Microchip Technology JANTX1N4967CUS/TR 24.7500
RFQ
ECAD 8185 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - 150-JANTX1N4967CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
JANTX1N2982RB Microchip Technology JANTX1N2982RB -
RFQ
ECAD 4189 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 10 W DO-213AA(DO-4) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 13.7 V 18 V 4欧姆
1N2240 Microchip Technology 1N2240 44.1600
RFQ
ECAD 9209 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 DO-4(do-203AA) 下载 到达不受影响 150-1N2240 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.3 V @ 30 A 10 µA @ 800 V -65°C 〜200°C 5a -
JANTX1N3295R Microchip Technology JANTX1N3295R -
RFQ
ECAD 1403 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/246 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 标准 DO-205AA(DO-8) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1.55 V @ 310 A 10 mA @ 1000 V -65°C 〜200°C 100a -
1N3043A-1/TR Microchip Technology 1N3043A-1/TR 8.3700
RFQ
ECAD 3803 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N3043 1 w do-41 - 到达不受影响 150-1N3043A-1/TR Ear99 8541.10.0050 113 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
CDLL5921D Microchip Technology CDLL5921D 11.7300
RFQ
ECAD 6150 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5921 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 5.2 V 6.8 v 2.5欧姆
JANTX1N3827D-1 Microchip Technology JANTX1N3827D-1 27.4650
RFQ
ECAD 3527 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3827 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 2 V 5.6 v 5欧姆
CDLL5926B Microchip Technology CDLL5926B 3.8100
RFQ
ECAD 2756 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5926 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 5.5欧姆
1N4478US Microchip Technology 1N4478US 11.3550
RFQ
ECAD 4046 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1N4478 1.5 w a,平方米 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N4478USM Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 28.8 V 36 V 27欧姆
JAN1N944B-1/TR Microchip Technology Jan1n944b-1/tr -
RFQ
ECAD 7411 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N944B-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
JANTX1N5528B-1/TR Microchip Technology JANTX1N5528B-1/TR 5.5328
RFQ
ECAD 2397 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5528B-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 7.5 V 8.2 v 40欧姆
1N4103-1 Microchip Technology 1N4103-1 2.4450
RFQ
ECAD 4713 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4103 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 7 V 9.1 v 200欧姆
JANS1N4996CUS Microchip Technology JANS1N4996CUS -
RFQ
ECAD 2896 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 16.7 V 22 v 1800欧姆
JANTX1N4495US Microchip Technology JANTX1N4495US 15.0600
RFQ
ECAD 5560 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1N4495 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 250 NA @ 144 V 180 v 1300欧姆
JANTXV1N750CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N750CUR-1 19.7700
RFQ
ECAD 2078 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N750 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1.5 V 4.7 v 19欧姆
1N1343 Microchip Technology 1N1343 45.3600
RFQ
ECAD 7029 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N1343 标准 DO-4(do-203AA) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 150 v 1.3 V @ 30 A 10 µA @ 150 V -65°C 〜200°C 16a -
1N3531A Microchip Technology 1N3531A 2.4900
RFQ
ECAD 7296 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N3531 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 36 V 75欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库