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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5237BUR-1/TR Microchip Technology 1N5237BUR-1/TR 3.0200
RFQ
ECAD 8664 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 329 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6.5 V 8.2 v 8欧姆
1N6701US/TR Microchip Technology 1N6701US/TR 30.1200
RFQ
ECAD 8998 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,c 肖特基 D-5C 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 470 mv @ 5 a 200 µA @ 30 V -65°C〜125°C 5a -
1N5242BUR-1/TR Microchip Technology 1N5242BUR-1/TR 3.0200
RFQ
ECAD 2407 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 329 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 30欧姆
1N4753AUR/TR Microchip Technology 1N47533龙/tr 3.6200
RFQ
ECAD 3073 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 27.4 V 36 V 50欧姆
1N5274BUR-1/TR Microchip Technology 1N5274BUR-1/TR 5.3400
RFQ
ECAD 1062 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 182 1.1 V @ 200 ma 100 NA @ 99 V 130 v 1100欧姆
1N4987US/TR Microchip Technology 1N4987US/TR 13.1100
RFQ
ECAD 7645 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 121.6 V 160 v 350欧姆
1N4115UR-1/TR Microchip Technology 1N4115UR-1/tr 3.9400
RFQ
ECAD 7796 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 16.8 V 22 v 150欧姆
1N4692UR-1/TR Microchip Technology 1N4692UR-1/TR 5.2400
RFQ
ECAD 4225 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 ma 10 µA @ 5.1 V 6.8 v
1N4114UR/TR Microchip Technology 1N4114ur/tr 3.9400
RFQ
ECAD 6809 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 15.2 V 20 v 150欧姆
1N3043BUR-1/TR Microchip Technology 1N3043BUR-1/TR 15.4500
RFQ
ECAD 6735 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 100 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
1N4488US/TR Microchip Technology 1N4488US/TR 11.5000
RFQ
ECAD 7068 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 na @ 72.8 V 91 v 200欧姆
1N5711UB/TR Microchip Technology 1N5711UB/TR 23.5500
RFQ
ECAD 1878年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 3-SMD,没有铅 肖特基 UB 100 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 15 ma 200 na @ 50 V -65°C〜150°C 33ma 2pf @ 0v,1MHz
1N6489US/TR Microchip Technology 1n6489us/tr 14.0400
RFQ
ECAD 2261 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 4 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
1N4749UR-1/TR Microchip Technology 1N4749ur-1/tr 3.6200
RFQ
ECAD 7146 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
1N5806URS/TR Microchip Technology 1N5806urs/tr 32.5400
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 标准 a,平方米 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 150 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
1N4989US/TR Microchip Technology 1N4989US/TR 13.1100
RFQ
ECAD 3671 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,E 5 w E-Melf Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 152 V 200 v 500欧姆
1N3595AUS/TR Microchip Technology 1N3595AUS/TR 9.9200
RFQ
ECAD 9392 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-213aa 标准 do-213aa 100 小信号= <200ma(io(io),任何速度 125 v 920 MV @ 100 mA 3 µs 2 NA @ 125 V -65°C〜175°C 150mA 8pf @ 0v,1MHz
1N6633US/TR Microchip Technology 1N6633US/TR 22.2800
RFQ
ECAD 5390 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 µA @ 1 V 3.6 v 2.5欧姆
1N4729AUR/TR Microchip Technology 1N4729AUR/TR 3.6200
RFQ
ECAD 8657 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
1N5535CUR-1/TR Microchip Technology 1N5535CUR-1/TR 13.1400
RFQ
ECAD 3271 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 13.5 V 15 v 100欧姆
1N4121UR-1/TR Microchip Technology 1N4121UR-1/TR 3.9400
RFQ
ECAD 6103 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 25.1 V 33 V 200欧姆
1N5946BUR-1/TR Microchip Technology 1N5946BUR-1/TR 4.6800
RFQ
ECAD 7368 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1.25 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 209 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 v 140欧姆
1N5541BUR-1/TR Microchip Technology 1N5541Bur-1/tr 6.6300
RFQ
ECAD 9497 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 146 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19.8 V 22 v 100欧姆
1N5279BUR-1/TR Microchip Technology 1N5279BUR-1/TR 5.3400
RFQ
ECAD 1753年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 182 1.1 V @ 200 ma 100 NA @ 137 V 180 v 2200欧姆
1N4748AUR/TR Microchip Technology 1N4748AR/TR 3.6200
RFQ
ECAD 5184 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 16.7 V 22 v 23欧姆
1N3825AUR-1/TR Microchip Technology 1N3825AR-1/TR 8.9400
RFQ
ECAD 9695 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1.5 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 108 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
1N5236BUR-1/TR Microchip Technology 1N5236BUR-1/TR 3.0900
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 323 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6 V 7.5 v 6欧姆
1N5712UBCA/TR Microchip Technology 1N5712UBCA/TR 32.0600
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/444 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 3-SMD,没有铅 肖特基 UB 100 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 16 V 75mA 1 V @ 35 MA 150 na @ 16 V -65°C〜150°C
1N4756UR-1/TR Microchip Technology 1N4756ur-1/tr 3.6200
RFQ
ECAD 1985 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
1N4742AURE3/TR Microchip Technology 1N4742AURE3/tr 3.8000
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 258 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库