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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3290A	93.8550	RFQ	6864	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	1N3290	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1n3290ams	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.1 V @ 200 A		200 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N4627	2.6250	RFQ	1058	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
JANTXV1N6318C	36.0300	RFQ	2042	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6318		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
JANS1N6487DUS/TR	-	RFQ	7001	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6487DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
JANTX1N750AR-1	4.7550	RFQ	3770	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	15欧姆
JANTXV1N555520C-1/TR	20.8544	RFQ	9953	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N555520C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
JAN1N4618C-1	9.4650	RFQ	5562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4618		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
JANS1N6355	-	RFQ	1281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 152 V				200 v	1800欧姆
1N5993CE3	3.8437	RFQ	6279	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5993CE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	50欧姆
JANS1N4115D-1	101.3100	RFQ	9484	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
JANTX1N2973B	-	RFQ	7670	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
1N5231BUR-1	4.8200	RFQ	258	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N5231		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	17欧姆
JANS1N4625UR-1	35.2950	RFQ	9009	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
JAN1N4101C-1/TR	9.2300	RFQ	1071	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4101C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V				8.2 v	200欧姆
JANS1N6632CUS/TR	-	RFQ	4553	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANS1N666632CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V				3.3 v	3欧姆
1N3525A	2.4900	RFQ	7820	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3525		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						20 v	20欧姆
JANTXV1N4124C-1/TR	20.6815	RFQ	9729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4124C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
1N4751CE3/TR13	1.1700	RFQ	2565	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4751		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
JAN1N4570A-1	3.4650	RFQ	6825	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4570		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTXV1N3295R	-	RFQ	2501	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/246	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1.55 V @ 310 A		10 mA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	100a	-
CD5359B	5.0274	RFQ	9088	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5359B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 na @ 18.2 V				24 V	3.5欧姆
Jan1n5537b-1/tr	5.0407	RFQ	3900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N555537B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
JANTX1N3030CUR-1/TR	33.2500	RFQ	1522	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3030CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
SMBJ4745/TR13	0.8700	RFQ	7367	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4745		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
UES1301	24.3900	RFQ	4846	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	925 mv @ 6 a	30 ns		-55°C 〜175°C	6a	-
1N5252BUR-1/TR	2.7132	RFQ	7044	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5252BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 18 V				24 V	33欧姆
CDLL5531	6.4800	RFQ	6051	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5531		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 9 V				11 V	80欧姆
JANTXV1N3043BUR-1	18.0150	RFQ	5917	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3043		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
JANTX1N3045D-1	32.2200	RFQ	1307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3045		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
1N1202A	34.7100	RFQ	6180	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载			到达不受影响	1n1202am	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	12a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²