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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX1N5543CUR-1/TR | 33.6357 | ![]() | 8173 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5543CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.4 V | 25 v | 100欧姆 | ||||||||||
![]() | LSM845GE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 4637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | LSM845 | 肖特基 | do-215ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 520 mv @ 8 a | 2 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||
![]() | 1N4475 | 7.9200 | ![]() | 6028 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N4475 | 1.5 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N4475MS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 21.6 V | 27 V | 18欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n3330b | - | ![]() | 2378 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/158 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3330 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 5欧姆 | |||||||||
![]() | 1N5943AP/TR12 | 1.8600 | ![]() | 4822 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5943 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 v | 86欧姆 | |||||||||
1N5528B | 1.8150 | ![]() | 6498 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5528 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 7.5 V | 8.2 v | 40欧姆 | |||||||||||
JANS1N6487DUS/TR | - | ![]() | 7001 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | a,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6487DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 35 µA @ 1 V | 3.9 v | 9欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N969BUR-1 | 7.5600 | ![]() | 6571 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N969 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29欧姆 | |||||||||
![]() | 1N1186 | 74.5200 | ![]() | 6618 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | 到达不受影响 | 1N1186MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 35a | - | ||||||||||
![]() | 1N3290R | 102.2400 | ![]() | 6246 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3290 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3290RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 300 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | ||||||||
![]() | JAN1N4983DUS/TR | 36.0900 | ![]() | 9204 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4983DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 83.6 V | 110 v | 125欧姆 | ||||||||||||
![]() | Jan1n757dur-1 | 14.2500 | ![]() | 1833年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N757 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N4120-1/TR | 31.6700 | ![]() | 4027 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4120-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N4615 | 2.6250 | ![]() | 4407 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2.5 µA @ 1 V | 2 v | 1250欧姆 | ||||||||||||
![]() | CDLL4625C | 6.0450 | ![]() | 8817 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 包 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | CDLL4625 | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | CDLL4625CMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N5812 | 62.2350 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N5812 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 mv @ 20 a | 15 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 20a | 300pf @ 10V,1MHz | |||||||
1N6700US | 30.9300 | ![]() | 9915 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 1N6700 | 肖特基 | D-5C | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 470 mv @ 5 a | 200 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 5a | - | |||||||||
![]() | 1N1583 | 38.3850 | ![]() | 8953 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N1583 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 16a | - | ||||||||||
![]() | 1N3296A | 93.8550 | ![]() | 2033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3296 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1n3296am | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.1 V @ 200 A | 200 µA @ 1200 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | ||||||||
UZ112 | 22.4400 | ![]() | 7112 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | a,轴向 | 3 W | a,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-UZ112 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 91.2 V | 120 v | 325欧姆 | |||||||||||||
![]() | UFR7005 | 97.1250 | ![]() | 6300 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | DO-5(do-203ab) | - | 到达不受影响 | 150-UFR7005 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 975 MV @ 70 A | 30 ns | 25 µA @ 50 V | - | 70a | - | |||||||||
![]() | R30460 | 40.6350 | ![]() | 9415 | 0.00000000 | 微芯片技术 | R304 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | R304 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.19 V @ 90 A | 5 µs | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | ||||||||
![]() | 1N5945bp/tr8 | 1.8900 | ![]() | 7147 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5945 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 v | 120欧姆 | |||||||||
JANTX1N6332D | 39.7950 | ![]() | 6808 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6332D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 17 V | 22 v | 20欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1月1N984CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 9522 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N984 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 69 V | 91 v | 400欧姆 | |||||||||
UZ8830 | 20.5751 | ![]() | 5436 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | 轴向 | 1 w | a,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-UZ8830 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 22.8 V | 30 V | 40欧姆 | ||||||||||||
1N5250B | 2.7750 | ![]() | 5167 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5250 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1N5250BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | |||||||||
1N4685/tr | 3.6575 | ![]() | 3079 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TA) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4685/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 v | ||||||||||||
JANS1N4955US/TR | 108.9908 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4955US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 v | 1.5欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N1187A | 74.5200 | ![]() | 6297 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1187 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1n1187ams | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 300 V | -65°C 〜200°C | 40a | - |
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