SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTX1N5543CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N5543CUR-1/TR 33.6357
RFQ
ECAD 8173 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5543CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.4 V 25 v 100欧姆
LSM845GE3/TR13 Microchip Technology LSM845GE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 4637 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-215ab,SMC Gull机翼 LSM845 肖特基 do-215ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 520 mv @ 8 a 2 ma @ 45 V -55°C〜150°C 8a -
1N4475 Microchip Technology 1N4475 7.9200
RFQ
ECAD 6028 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N4475 1.5 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N4475MS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 21.6 V 27 V 18欧姆
JAN1N3330B Microchip Technology Jan1n3330b -
RFQ
ECAD 2378 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/158 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3330 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 35.8 V 47 V 5欧姆
1N5943AP/TR12 Microchip Technology 1N5943AP/TR12 1.8600
RFQ
ECAD 4822 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5943 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 v 86欧姆
1N5528B Microchip Technology 1N5528B 1.8150
RFQ
ECAD 6498 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5528 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 7.5 V 8.2 v 40欧姆
JANS1N6487DUS/TR Microchip Technology JANS1N6487DUS/TR -
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w a,平方米 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N6487DUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 35 µA @ 1 V 3.9 v 9欧姆
JANTXV1N969BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N969BUR-1 7.5600
RFQ
ECAD 6571 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N969 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 17 V 22 v 29欧姆
1N1186 Microchip Technology 1N1186 74.5200
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 到达不受影响 1N1186MS Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 35a -
1N3290R Microchip Technology 1N3290R 102.2400
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3290 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N3290RMS Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.2 V @ 200 A 50 µA @ 300 V -65°C 〜200°C 100a -
JAN1N4983DUS/TR Microchip Technology JAN1N4983DUS/TR 36.0900
RFQ
ECAD 9204 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - 150-JAN1N4983DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 83.6 V 110 v 125欧姆
JAN1N757DUR-1 Microchip Technology Jan1n757dur-1 14.2500
RFQ
ECAD 1833年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N757 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
JANS1N4120-1/TR Microchip Technology JANS1N4120-1/TR 31.6700
RFQ
ECAD 4027 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4120-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
1N4615 Microchip Technology 1N4615 2.6250
RFQ
ECAD 4407 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2.5 µA @ 1 V 2 v 1250欧姆
CDLL4625C Microchip Technology CDLL4625C 6.0450
RFQ
ECAD 8817 0.00000000 微芯片技术 - 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa CDLL4625 500兆 do-213aa - 到达不受影响 CDLL4625CMS Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 3 V 5.1 v 1500欧姆
1N5812 Microchip Technology 1N5812 62.2350
RFQ
ECAD 1005 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N5812 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 mv @ 20 a 15 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 20a 300pf @ 10V,1MHz
1N6700US Microchip Technology 1N6700US 30.9300
RFQ
ECAD 9915 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,c 1N6700 肖特基 D-5C 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 470 mv @ 5 a 200 µA @ 20 V -65°C〜125°C 5a -
1N1583 Microchip Technology 1N1583 38.3850
RFQ
ECAD 8953 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 DO-4(do-203AA) 下载 到达不受影响 150-1N1583 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.3 V @ 30 A 10 µA @ 200 V -65°C 〜200°C 16a -
1N3296A Microchip Technology 1N3296A 93.8550
RFQ
ECAD 2033 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3296 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1n3296am Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 200 A 200 µA @ 1200 V -65°C 〜200°C 150a -
UZ112 Microchip Technology UZ112 22.4400
RFQ
ECAD 7112 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 a,轴向 3 W a,轴向 - 到达不受影响 150-UZ112 Ear99 8541.10.0050 1 1 µA @ 91.2 V 120 v 325欧姆
UFR7005 Microchip Technology UFR7005 97.1250
RFQ
ECAD 6300 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 DO-5(do-203ab) - 到达不受影响 150-UFR7005 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 975 MV @ 70 A 30 ns 25 µA @ 50 V - 70a -
R30460 Microchip Technology R30460 40.6350
RFQ
ECAD 9415 0.00000000 微芯片技术 R304 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 R304 标准 do-5 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.19 V @ 90 A 5 µs 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 40a -
1N5945BP/TR8 Microchip Technology 1N5945bp/tr8 1.8900
RFQ
ECAD 7147 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5945 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 51.2 V 68 v 120欧姆
JANTX1N6332D Microchip Technology JANTX1N6332D 39.7950
RFQ
ECAD 6808 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JANTX1N6332D Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 na @ 17 V 22 v 20欧姆
JAN1N984CUR-1 Microchip Technology 1月1N984CUR-1 11.3850
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N984 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 69 V 91 v 400欧姆
UZ8830 Microchip Technology UZ8830 20.5751
RFQ
ECAD 5436 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 轴向 1 w a,轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-UZ8830 Ear99 8541.10.0050 1 500 NA @ 22.8 V 30 V 40欧姆
1N5250B Microchip Technology 1N5250B 2.7750
RFQ
ECAD 5167 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5250 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 1N5250BMS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 v 25欧姆
1N4685/TR Microchip Technology 1N4685/tr 3.6575
RFQ
ECAD 3079 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TA) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N4685/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 7.5 µA @ 2 V 3.6 v
JANS1N4955US/TR Microchip Technology JANS1N4955US/TR 108.9908
RFQ
ECAD 3865 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4955US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 100 µA @ 5.7 V 7.5 v 1.5欧姆
1N1187A Microchip Technology 1N1187A 74.5200
RFQ
ECAD 6297 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1187 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1n1187ams Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.19 V @ 90 A 10 µA @ 300 V -65°C 〜200°C 40a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库