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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n5553us	9.9900	RFQ	9015	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5553	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	-
Jan1n4493c	25.6050	RFQ	6012	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4493		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
1N5355A/TR8	2.6250	RFQ	4852	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5355		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13 V				18 V	2.5欧姆
1月1N829-1/tr	9.1050	RFQ	7870	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N829-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANS1N6642US	16.7600	RFQ	3398	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	D，平方米		标准		D-5D	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6642US	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N4134UR-1/TR	10.1080	RFQ	3694	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4134UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
Jan1n6306r	-	RFQ	1050	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	70a
JANTXV1N3671AR	71.1600	RFQ	1215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3671	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	12a	-
R34130	49.0050	RFQ	2711	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R34130			1
JANTX1N4468DUS/TR	35.3550	RFQ	8498	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444468DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 10.4 V				13 V	8欧姆
JANTX1N983BUR-1	6.0900	RFQ	1228	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N983		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
S3280	49.0050	RFQ	1971年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S3280			1
CDLL5251	2.8650	RFQ	8239	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5251		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 17 V				22 v	29欧姆
CDLL4583	18.4950	RFQ	5778	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa	CDLL4583		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					25欧姆
1N3305B	49.3800	RFQ	1942年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3305		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		300 µA @ 4.5 V				6.8 v	0.2欧姆
1N5344B/TR12	2.6850	RFQ	5472	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
1N5518A/TR	2.8950	RFQ	9239	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5518A/TR	Ear99	8541.10.0050	325			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 900 mV				3.3 v
1N4897/tr	48.8850	RFQ	8648	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4897/tr	Ear99	8541.10.0050	1									12.8 v	400欧姆
UPS180E3/TR7	0.4800	RFQ	1458	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					UPS180				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
JANTXV1N3170R	-	RFQ	5851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.55 V @ 940 A		10 ma @ 600 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANTXV1N3311RB	-	RFQ	4340	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	1欧姆
JANTX1N4100UR-1	11.3700	RFQ	1739年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4100		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
1N249C	74.5200	RFQ	6647	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N249C	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	20a	-
JANS1N4134CUR-1/TR	91.5802	RFQ	1302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4134CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1.2欧姆
JANTXV1N966CUR-1/TR	17.3166	RFQ	8539	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N966CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V				16 V	17欧姆
SMBJ5379AE3/TR13	0.8100	RFQ	4448	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5379		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 79.2 V				110 v	125欧姆
1 PMT4128C/TR13	1.2450	RFQ	7872	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4128		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	250欧姆
JANS1N4134DUR-1/TR	137.5900	RFQ	1015	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4134DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1.2欧姆
CDLL5222B	2.8650	RFQ	4965	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5222		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆
1N5944BUR-1	4.5300	RFQ	6284	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5944		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²