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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3295AR	102.2400	RFQ	7877	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	1N3295	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3295ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	150a	-
S53100	158.8200	RFQ	4803	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S53100			1
CDLL4770	73.1100	RFQ	8861	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4770		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 v	200欧姆
1N3009A	36.9900	RFQ	9730	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3009		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 98.8 V				130 v	100欧姆
SMBJ4745AE3/TR13	0.4350	RFQ	7439	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4745		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
SMBJ5370B/TR13	1.6650	RFQ	1235	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5370		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V				56 v	35欧姆
JAN1N3022C-1	23.7300	RFQ	6488	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3022		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
JANTX1N968C-1/TR	5.7722	RFQ	3126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N968C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 15 V				20 v	25欧姆
JANTXV1N4135CUR-1/TR	25.6690	RFQ	9013	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4135CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1600欧姆
Jan1n4114c-1	10.5000	RFQ	6892	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4114			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
JANS1N5711UBD	161.1300	RFQ	8745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
R37140	59.0400	RFQ	8516	微芯片技术	SR37	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1.15 V @ 200 A			-65°C 〜200°C	85a	-
1N3034BUR-1	15.3000	RFQ	1066	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3034		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
1N5546A/TR	3.2550	RFQ	1238	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5546A/tr	Ear99	8541.10.0050	290			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 28 V				33 V
1N5418US	9.9000	RFQ	2166	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5418	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
CDLL4756B	3.6450	RFQ	5869	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL4756B	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 35.8 V				47 V	80欧姆
Jan1n757aur-1	4.4400	RFQ	2291	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N757		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	10欧姆
jankca1n5543c	-	RFQ	7462	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5543C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
JANTXV1N4108DUR-1/TR	32.0663	RFQ	6057	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4108DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
1N5353/TR12	2.6250	RFQ	2303	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V				16 V	2.5欧姆
1月1N2825RB	-	RFQ	4287	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2825		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 27.4 V				36 V	3.5欧姆
JANTX1N4246	4.6050	RFQ	8496	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/286	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4246	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANS1N6347CUS	527.5650	RFQ	8974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6347CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V				91 v	270欧姆
JANS1N3156UR-1/TR	619.8750	RFQ	1813年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.76％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-JANS1N3156UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50					10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
S30660	39.0750	RFQ	1544年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S30660	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	85a	-
JANS1N4972US	86.7300	RFQ	3	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 29.7 V				39 v	14欧姆
1N6822R	259.3500	RFQ	1301	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基，反极性		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-1N6822R	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	760 MV @ 150 A		1 mA @ 45 V	-55°C〜150°C	150a	-
JANTXV1N5539B-1	9.1200	RFQ	7614	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5539		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
JANTXV1N6341CUS	57.1050	RFQ	7538	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6341CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
1N5362A/TR8	2.6250	RFQ	9999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5362		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 20.1 V				28 V	6欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²