RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4578A-1E3/tr	9.3150	RFQ	2943	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4578A-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1
1N1206AR	34.7100	RFQ	1604	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1206	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1206ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	12a	-
1N4744PE3/TR8	0.9150	RFQ	3042	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4744		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
JAN1N3331RB	-	RFQ	2504	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3331RB	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 38.8 V				50 V	5欧姆
R2120	33.4500	RFQ	7425	微芯片技术	R21	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	R2120	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	22a	-
1 PMT5936A/TR7	2.2200	RFQ	5137	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
1N6884UTK4AS	259.3500	RFQ	3977	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6884UTK4AS			1
JANTX1N4965	6.8700	RFQ	4002	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4965		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 15.2 V				20 v	4.5欧姆
1N3173	216.8850	RFQ	6130	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3173	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3173MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	900 v	1.25 V @ 240 A		75 µA @ 900 V	-65°C 〜200°C	240a	-
JANTXV1N4491D	41.2350	RFQ	6040	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4491D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 96 V				120 v	400欧姆
JANTXV1N3313B	-	RFQ	1472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3313		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				14 V	1.2欧姆
JANTXV1N5537D-1	29.2200	RFQ	4986	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5537		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
1N5367B/TR8	2.6850	RFQ	5913	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V				43 V	20欧姆
JANTX1N979BUR-1	-	RFQ	6347	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N979		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 43 V				56 v	150欧姆
1月1N4988CUS	33.9450	RFQ	1273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4988		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
JANTX1N6912UTK2AS	-	RFQ	4951	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	45 v	640 mv @ 25 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
JANTX1N750C-1/TR	5.2668	RFQ	9364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N750C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
JANTXV1N4370DUR-1	32.8050	RFQ	9826	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4370		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANTXV1N5533DUR-1/TR	55.0221	RFQ	4144	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5533DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90欧姆
1N646ur-1	5.2950	RFQ	4052	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N646				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1N4736CP/TR8	2.2800	RFQ	9409	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4736		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V				6.8 v	3.5欧姆
JANTXV1N2825B	-	RFQ	6785	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2825		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 27.4 V				36 V	3.5欧姆
JANTX1N6769R	-	RFQ	3285	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.06 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 80 V	-	8a	150pf @ 5V，1MHz
Jan1n4967dus	29.4600	RFQ	9408	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4967		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
SMBJ5941A/TR13	1.5600	RFQ	8166	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5941		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
JANTX1N6324US	18.5400	RFQ	1235	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响	JANTX1N6324USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8 V				10 v	6欧姆
JANS1N4121CUR-1	98.9100	RFQ	2167	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
1N2997B	36.9900	RFQ	3453	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2997		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 38.8 V				51 v	15欧姆
JANTXV1N967DUR-1/TR	21.6258	RFQ	3107	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N967DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 14 V				18 V	21欧姆
1N5358A/TR8	2.6250	RFQ	4033	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5358		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.8 V				22 v	3.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²