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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N4624C-1	14.7750	RFQ	4771	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4624		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
JANTX1N4477DUS	45.9300	RFQ	9173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4477		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 26.4 V				33 V	25欧姆
JANS1N4976/tr	74.9802	RFQ	8935	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4976/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V				56 v	35欧姆
S504150T	158.8200	RFQ	2640	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S504150TS			1
CDLL5930D	11.7300	RFQ	5093	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5930		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
CDLL4109C/TR	7.7700	RFQ	6327	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4109C/TR	Ear99	8541.10.0050	122			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
1N825-1E3/tr	8.5950	RFQ	1888年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N825-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANS1N4469	83.8650	RFQ	1567年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
1N3213	65.8800	RFQ	7595	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3213	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3213MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	40a	-
1N4744APE3/TR12	0.9450	RFQ	1629年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4744		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
JANTXV1N3033D-1/TR	32.2392	RFQ	9468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3033D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
1N3028BUR-1	15.3000	RFQ	7374	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3028		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
Jan1n4959cus/tr	22.7100	RFQ	3263	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4959CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 8.4 V				11 V	2.5欧姆
1N2989RB	40.3200	RFQ	3823	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2989		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 22.8 V				30 V	8欧姆
JANTXV1N4483	12.8850	RFQ	8087	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4483		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
JANTXV1N6486DUS/TR	-	RFQ	9999	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTXV1N6486DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
JANTXV1N750D-1/TR	12.7680	RFQ	4202	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N750D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
BZV55C2V7	2.9400	RFQ	4260	微芯片技术	-	大部分	积极的	±7％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C2V7			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		20 µA @ 1 V				2.7 v
1N4625DUR-1	13.2734	RFQ	2131	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4625DUR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
CDLL5528A	6.4800	RFQ	9926	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5528		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.5 V				8.2 v	40欧姆
JANTXV1N4466CUS	45.1350	RFQ	1198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4466		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
JANTXV1N4989D	23.4600	RFQ	8413	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4989D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V				200 v	500欧姆
JANTXV1N4984CUS/TR	41.0400	RFQ	7244	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4984CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 91.2 V				120 v	170欧姆
JANTX1N3018C-1/TR	22.7962	RFQ	2079	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3018C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	4.5欧姆
JANTXV1N3051BUR-1	-	RFQ	8729	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N6632D	-	RFQ	5911	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V				3.3 v	3欧姆
Jan1n4478dus/tr	34.7550	RFQ	8840	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4478DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 28.8 V				36 V	27欧姆
JANTXV1N4469DUS/TR	56.5650	RFQ	6290	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N444469DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
JANTXV1N5807/TR	15.5400	RFQ	4351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5807/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	65pf @ 10V，1MHz
Jan1n6630u/tr	19.3500	RFQ	3584	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准，反极性		B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6630U/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	990 v	1.4 V @ 1.4 A	60 ns	2 µA @ 990 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²