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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4980CUS	343.6210	RFQ	8627	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4980CUS	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4486CUS	45.1350	RFQ	4872	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4486CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 60 V				75 v	130欧姆
JANTX1N6351US	18.0900	RFQ	4121	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6351		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
CDLL5277C	6.7200	RFQ	1719年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5277C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 116 V				160 v	1700欧姆
CDLL4489/tr	10.3740	RFQ	3980	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1.5 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4489/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 80 V				100 v	250欧姆
JANS1N4957US	115.5000	RFQ	4700	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
CDLL5232A	2.8650	RFQ	2965	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5232		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	11欧姆
1 PMT4105C/TR13	-	RFQ	9097	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.44 V				11 V	200欧姆
CDLL985B	2.9400	RFQ	6905	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL985		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
JANTX1N1206AR	73.0650	RFQ	9256	微芯片技术	MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1206	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	12a	-
SMBJ5935C/TR13	2.0850	RFQ	4283	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5935		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V				27 V	23欧姆
SMBJ5341A/TR13	1.6350	RFQ	1797年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5341		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6.2 v	1欧姆
JANTXV1N969DUR-1/TR	21.6258	RFQ	7511	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N969DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V				22 v	29欧姆
1N5926P/TR12	1.8600	RFQ	7354	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
1月1N3910	-	RFQ	8140	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3910	标准		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.4 V @ 50 A	200 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	50a	-
R4310F	102.2400	RFQ	2024	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-R4310F	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	150a	-
CD034B-1/TR	-	RFQ	5392	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3034B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1N4749CP/TR8	2.2800	RFQ	2879	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4749		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	25欧姆
1N3316RA	49.3800	RFQ	2400	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3316		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 13 V				17 V	1.8欧姆
Jan1n2816b	-	RFQ	1963年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2816		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 13.7 V				18 V	2欧姆
1N736	1.9200	RFQ	9866	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N736		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									82 v	280欧姆
R3540	42.3000	RFQ	1591年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R3540	标准，反极性		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N5753B	1.8600	RFQ	3993	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5753		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		100 na @ 36 V				51 v	180欧姆
1 PMT4130E3/TR13	0.4950	RFQ	5875	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点413年		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 51.68 V				68 v	250欧姆
JANTX1N5546DUR-1	47.2200	RFQ	3464	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5546		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
CDS757A-1/TR	-	RFQ	8929	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS757A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1N5353BE3/TR12	2.6850	RFQ	7114	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V				16 V	2.5欧姆
JANS1N4115-1	33.7800	RFQ	2848	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
JANS1N4615UR-1/TR	64.5004	RFQ	4389	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4615UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
1N1190	74.5200	RFQ	1097	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1190	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1190MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.4 V @ 110 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	35a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²