RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDS5536BUR-1	-	RFQ	2339	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5536BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N6622E3	13.3800	RFQ	3392	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		-		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				1.6 V @ 2 A	30 ns		-	-	-
JANS1N4623CUR-1	165.5850	RFQ	7025	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
JANTXV1N4944/TR	10.1400	RFQ	8734	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/359	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4944/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	35pf @ 12V，1MHz
1N3290A	93.8550	RFQ	6864	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	1N3290	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1n3290ams	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.1 V @ 200 A		200 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JANTXV1N4486CUS	45.1350	RFQ	4872	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4486CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 na @ 60 V				75 v	130欧姆
JANTX1N6351US	18.0900	RFQ	4121	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6351		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
JANTXV1N5711UBD/TR	120.7350	RFQ	7207	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-				150-JANTXV1N5711UBD/TR			100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	50 V		1 V @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C
JANTXV1N968D-1	11.1450	RFQ	1060	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N968		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 15 V				20 v	25欧姆
JAN1N4371DUR-1	16.1250	RFQ	4549	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4371			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
JANTX1N6765	-	RFQ	4924	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-	12a	300pf @ 5V，1MHz
JANTX1N3021DUR-1	46.6950	RFQ	1855年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
JANTXV1N6491CUS/TR	-	RFQ	2090	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTXV1N6491CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V				5.6 v	5欧姆
R409	102.2400	RFQ	8672	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R409			1
JANS1N4099CUR-1/TR	91.5802	RFQ	6061	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4099CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆
1N5536B	1.8150	RFQ	3271	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5536		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	103欧姆
1月1N2970RB	-	RFQ	3888	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2970		10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1.2欧姆
JANTXV1N2995RB	-	RFQ	8509	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 35.8 V				47 V	14欧姆
Jan1n5811urs	17.4750	RFQ	6429	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N5811	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N4105DUR-1	-	RFQ	3441	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
JAN1N6940UTK3AS	-	RFQ	2960	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		15 v		500 mv @ 150 A		5 ma @ 15 V	-65°C〜175°C	150a
JANTX1N6844U3/TR	147.5850	RFQ	2339	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/679	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基，反极性		U3 （SMD-0.5）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6844U3/tr	Ear99	8541.10.0080	110	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		900 mv @ 15 A		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	15a	600pf @ 5V，1MHz
CD034B-1/TR	-	RFQ	5392	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3034B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1N4749CP/TR8	2.2800	RFQ	2879	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4749		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	25欧姆
UTR2350	11.8800	RFQ	8717	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响	150-UTR2350	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.1 V @ 2 A	350 ns	5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	2a	200pf @ 0v，1MHz
1N4254	16.2750	RFQ	4214	微芯片技术	MIL-PRF-19500/279	大部分	积极的			通过洞	S，轴向	1N4254	标准		S，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1500 v		3.5 V @ 100 mA		1 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	250mA	-
Jan1n5554us	9.9900	RFQ	5469	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5554	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	5a	-
1n4462us	11.3550	RFQ	7068	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4462		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4462USM	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		1 µA @ 4.5 V				7.5 v	2.5欧姆
APT2X61DC120J	-	RFQ	5888	微芯片技术	-	大部分	过时的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X61	SIC （碳化硅）		SOT-227	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	2独立	1200 v	60a	1.8 V @ 60 A	0 ns	1.2 ma @ 1200 V
1N6000B/TR	2.0083	RFQ	7474	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6000B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8 V				10 v	15欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²