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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CD5364	5.6700	RFQ	5737	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	-			到达不受影响	150-CD5364	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 NA @ 25.1 V				33 V	10欧姆
JANS1N4117-1/TR	31.6700	RFQ	3323	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4117-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		40 µA @ 15 V				25 v	150欧姆
1N5370BE3/TR8	2.6850	RFQ	8265	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V				56 v	35欧姆
1N4746CPE3/TR8	1.1550	RFQ	2818	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
S4350	112.3200	RFQ	3278	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-S4350	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N6843CCU3	147.3150	RFQ	3470	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N6843	肖特基		U3 （SMD-0.5）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	15a	1.03 V @ 15 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
1n823ur-1/tr	4.9500	RFQ	6714	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N823UR-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JAN1N759DUR-1	14.2500	RFQ	2074	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N759		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
S2020	33.4500	RFQ	3515	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S2020	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANTXV1N4961CUS/TR	26.5800	RFQ	3725	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4961CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.9 V				13 V	3欧姆
1N5352E3/TR8	2.6250	RFQ	4360	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5352		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.8 V				15 v	2.5欧姆
JANTXV1N4467US/TR	12.8611	RFQ	1452	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4467US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		200 na @ 9.6 V				12 v	7欧姆
CDLL3041	15.3000	RFQ	4084	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3041		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	175欧姆
JAN1N3028CUR-1/TR	29.0339	RFQ	1544年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3028CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
1N4477US	11.3550	RFQ	7108	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4477		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 26.4 V				33 V	25欧姆
JANTX1N6491US	-	RFQ	8892	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V				5.6 v	5欧姆
Jan1n5968dus/tr	-	RFQ	6204	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JAN1N5968DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
1N5371BE3/TR12	2.6850	RFQ	7334	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5371		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 43 V				60 V	40欧姆
1N4750CP/TR8	2.2800	RFQ	1007	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4750		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
JANTX1N7052UR-1/TR	10.9650	RFQ	3105	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N7052UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
1N5275BUR-1	5.1900	RFQ	7813	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5275		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 106 V				140 v	1300欧姆
CDLL5244A	2.8650	RFQ	3302	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5244		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 10 V				14 V	15欧姆
JANTX1N6622	19.8150	RFQ	7681	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6622	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		660 v		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 660 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
JAN1N6911UTK2	-	RFQ	2203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）		30 V		540 mv @ 25 A		1.2 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	25a
1N5341BE3/TR13	0.9900	RFQ	9482	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5341		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6.2 v	1欧姆
JANTX1N4618CUR-1/TR	19.4047	RFQ	1226	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4618CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
1 PMT5941C/TR13	2.7600	RFQ	4203	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
JANTXV1N4975US/TR	14.2975	RFQ	4090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4975US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 38.8 V				51 v	28欧姆
1N5530C	11.3550	RFQ	7293	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N55330C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
1N6655	316.1850	RFQ	8908	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA		标准		TO-254AA	-			到达不受影响	150-1N6655	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	20a	150pf @ 10V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²