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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
SMAJ4751AE3/TR13	0.6450	RFQ	9401	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4751		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
60HQ100	140.8500	RFQ	5013	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响	60HQ100MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		890 mv @ 60 a			-	60a	-
CDLL5519A/TR	5.9052	RFQ	8999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5519A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 900 mV				3.6 v	24欧姆
JANTX1N6348D	39.7950	RFQ	4900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6348D	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V				100 v	340欧姆
SMBG5387A/TR13	2.2200	RFQ	8209	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5387		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 137 V				190 v	450欧姆
1 PMT4134C/TR13	1.2450	RFQ	3283	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4134		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 69.16 V				91 v	250欧姆
1月1N2992B	-	RFQ	6851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 29.7 V				39 v	11欧姆
CDLL4579/tr	29.8800	RFQ	9469	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4579/tr	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					50欧姆
JAN1N5521C-1/TR	12.6749	RFQ	7061	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5521C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
JANS1N6355	-	RFQ	1281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 152 V				200 v	1800欧姆
JANTXV1N3766	76.7850	RFQ	5349	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/297	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3766	标准		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.4 V @ 110 A		10 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	35a	-
CDLL5242B	3.2100	RFQ	112	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5242		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	30欧姆
CDLL5238B/TR	2.7132	RFQ	4067	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5238B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V				8.7 v	8欧姆
Jan1n5529d-1	17.6700	RFQ	3120	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5529		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
JANTXV1N4956DUS	33.0450	RFQ	6049	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4956DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1 PMT4131C/TR7	1.2450	RFQ	4221	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	250欧姆
1N5364/TR8	2.6250	RFQ	5504	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5364		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 23.8 V				33 V	10欧姆
Jan1n3995a	-	RFQ	6036	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2266-JAN1N3995A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		50 µA @ 1 V				4.7 v	1.2欧姆
JANS1N4132C-1/TR	63.1902	RFQ	9541	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4132C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V				82 v	800欧姆
Jan1n3044bur-1	12.7350	RFQ	7272	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3044		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 76 V				100 v	350欧姆
JANTXV1N4110D-1/TR	25.8153	RFQ	8408	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4110D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.2 V				16 V	100欧姆
JAN1N6349CUS/TR	63.8550	RFQ	8445	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6349CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V				110 v	500欧姆
1N4101UR-1	3.8200	RFQ	5552	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4101		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V				8.2 v	200欧姆
CD4740	2.0700	RFQ	3915	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD4740	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
JANTX1N6661US	-	RFQ	6365	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		225 v		1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	500mA	-
JANTXV1N6304	-	RFQ	6829	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	70a
UFT3010A	62.1000	RFQ	8100	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3010A	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	100 v	30a	930 MV @ 15 A	35 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
UZ120SMT2	33.3150	RFQ	2589	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			3 W	a，平方米	-			到达不受影响	150-UZ120SMT2	Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 152 V				200 v	950欧姆
30HFU-300	93.8250	RFQ	8131	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-30HFU-300			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v					-65°C〜175°C	-	-
APT2X101D60J	28.9900	RFQ	391	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	600 v	100a	1.8 V @ 100 A	180 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²