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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5951A	3.4050	RFQ	9569	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5951		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 v	380欧姆
JANTXV1N4494CUS/TR	45.2850	RFQ	3302	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4494CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		250 na @ 128 V				160 v	1000欧姆
1N5532C	11.3550	RFQ	4154	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5532C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V				12 v	90欧姆
JANS1N5618US	54.6600	RFQ	7801	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	2 µs		-65°C 〜200°C	1a	-
1N823	4.1600	RFQ	244	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N823		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANS1N5415US	70.5900	RFQ	5174	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
CDLL5257C	6.7200	RFQ	4751	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5257C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V				33 V	58欧姆
1N6304R	123.4500	RFQ	5274	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/550	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N6304	标准		DO-5（do-203ab）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	70a	600pf @ 10V，1MHz
JANS1N4102C-1	67.5450	RFQ	5680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
CDLL4101/TR	4.2028	RFQ	2413	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4101/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V				8.2 v	200欧姆
1N5952BUR-1	7.5750	RFQ	9286	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5952		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V				130 v	450欧姆
Janhca1n4107c	-	RFQ	5636	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4107c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.857 V				13 V	200欧姆
1N4746CP/TR12	2.2800	RFQ	4151	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
SMBG5379CE3/TR13	1.4400	RFQ	2548	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5379		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 79.2 V				110 v	125欧姆
JAN1N3021DUR-1	40.7250	RFQ	4863	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
JANTXV1N6489DUS	-	RFQ	5715	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
JANTXV1N4371D-1	19.8300	RFQ	2700	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4371		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
JANTX1N967DUR-1/TR	13.7788	RFQ	9233	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N967DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 14 V				18 V	21欧姆
JANS1N4623UR-1/TR	65.1200	RFQ	2766	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4623UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V				4.3 v	1.6欧姆
JAN1N4570A-1	3.4650	RFQ	6825	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4570		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTX1N3047C-1	-	RFQ	4617	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N3046B-1	-	RFQ	8861	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4478	83.8650	RFQ	9729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 28.8 V				36 V	27欧姆
CDLL4772A	121.3350	RFQ	5658	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4772		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 v	200欧姆
1N5712UR-1/TR	12.3000	RFQ	6247	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5712UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
1N5367C/TR12	3.3900	RFQ	6621	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V				43 V	20欧姆
JANS1N4966	80.1900	RFQ	4715	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
JANTXV1N6628/TR	19.5900	RFQ	9273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6628/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	660 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
JANS1N5622U	89.5500	RFQ	5056	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1.3 V @ 3 A	2 µs		-65°C 〜200°C	1a	-
1N5372BE3/TR12	2.6850	RFQ	9024	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²