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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n6942utk3/tr	408.7950	RFQ	5625	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基		Thinkey™3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6942UTK3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		460 mv @ 50 a		5 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	150a	7000pf @ 5V，1MHz
CD4733C	-	RFQ	2826	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD4733C	Ear99	8541.10.0050	228					1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N4754AUR/TR	3.6200	RFQ	8971	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
JANS1N5807/TR	25.7850	RFQ	4447	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5807/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		875 mv @ 4 A	30 ns		-65°C〜175°C	6a	-
APT2X101D100J	34.8000	RFQ	6356	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	1000 v	95a	2.5 V @ 100 A	300 ns	250 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C
S3540pf	60.2100	RFQ	3718	微芯片技术	-	大部分	积极的			按适合	DO-208AA	S3540	标准		do-21	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	35a	-
DR-1029/TR	-	RFQ	4987	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DR-1029/TR			1
JAN1N4626DUR-1	25.4100	RFQ	8972	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4626		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
CDLL6485/tr	12.4754	RFQ	3644	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1.5 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL6485/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
1N719	1.9200	RFQ	2006	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N719		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							50 NA @ 12.2 V				16 V	15欧姆
JANS1N4118DUR-1	147.2700	RFQ	8854	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
1N5733C	3.7200	RFQ	5393	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5733		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					900 mv @ 10 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	10欧姆
Jan1n3289r	-	RFQ	2680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/246	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.55 V @ 310 A		10 mA @ 200 V	-65°C 〜200°C	100a	-
1N5922BPE3/TR12	0.9450	RFQ	7937	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5922		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 v	3欧姆
JANTXV1N3032CUR-1/TR	41.0438	RFQ	9348	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3032CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
JANTX1N6309DUS	55.6050	RFQ	8410	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6309		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANTX1N6338CUS	39.7950	RFQ	9823	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTX1N6338CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 30 V				39 v	55欧姆
1N5353/TR8	2.6250	RFQ	6641	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V				16 V	2.5欧姆
UPS170/TR7	0.6150	RFQ	1877年	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					UPS170				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
1N3023BUR-1/TR	15.4500	RFQ	9067	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
APT2X101DQ60J	24.4600	RFQ	117	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	600 v	100a	2.2 V @ 100 A	160 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
JANTX1N750DUR-1	15.2100	RFQ	6804	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N750		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
Jan1n6857-1/tr	-	RFQ	8378	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6857-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		16 V		750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
SMBG5342A/TR13	2.2200	RFQ	8436	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5342		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
JANS1N4974/TR	74.9802	RFQ	8739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4974/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V				47 V	25欧姆
CDLL5946D	11.7300	RFQ	4622	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5946		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
R702	69.2100	RFQ	4307	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	R702	标准		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	R702MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.4 V @ 15 A	200 ns	1 mA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-
Jan1n5419us	8.5050	RFQ	9512	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5419	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.5 V @ 9 A	250 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTXV1N754CUR-1	19.3500	RFQ	8696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N754		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	5欧姆
JANS1N7043CAT1	304.7550	RFQ	1060	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		肖特基		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.3 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	35a	600pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²