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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N6354US/TR	-	RFQ	5263	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6354US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V				180 v	1500欧姆
APT60S20B2CTG	7.9700	RFQ	2656	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3变体	APT60	肖特基		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	75a	900 mv @ 60 a	55 ns	1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
UZ7806	468.9900	RFQ	5464	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7806	Ear99	8541.10.0050	1							1 mA @ 4.9 V				6.8 v	0.6欧姆
1N5230B-1	2.7150	RFQ	3972	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5230B-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		50 µA @ 2 V				4.7 v	19欧姆
1N5968D	162.3000	RFQ	4400	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N5968D	Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N3029B-1	7.6500	RFQ	3758	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3029		1 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V				24 V	25欧姆
UZ7724V	468.9900	RFQ	5810	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7724V	Ear99	8541.10.0050	1							20 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
JANTXV1N4467CUS/TR	45.2850	RFQ	8232	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N444467CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		200 na @ 9.6 V				12 v	7欧姆
JANTX1N6677UR-1	-	RFQ	2245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	大部分	积极的			表面安装	DO-213AA（）	1N6677	肖特基		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		40 V		500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	-
JAN1N5540B-1	5.5200	RFQ	3404	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5540		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V				20 v	100欧姆
CDLL985B	2.9400	RFQ	6905	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL985		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
JANTX1N1206AR	73.0650	RFQ	9256	微芯片技术	MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1206	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.35 V @ 38 A		5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	12a	-
1N5926P/TR12	1.8600	RFQ	7354	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
CDLL3035	15.3000	RFQ	9169	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3035		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
JANTX1N4990DUS/TR	30.9000	RFQ	5238	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4990DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
JANS1N4980CUS	343.6210	RFQ	8627	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4980CUS	Ear99	8541.10.0050	1
R4310F	102.2400	RFQ	2024	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-R4310F	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JANTXV1N4103UR-1	12.9450	RFQ	7265	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4103		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
CDLL5229	2.8650	RFQ	8049	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5229		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
JANTX1N3293	-	RFQ	5708	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/246	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	1N3293	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.55 V @ 310 A		10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	100a	-
R50440	158.8200	RFQ	9261	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	-			到达不受影响	150-R50440	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANTXV1N4370AR-1	10.2450	RFQ	2187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4370		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
SMAJ5939CE3/TR13	0.6450	RFQ	8895	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5939		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
1 PMT5944AE3/TR7	0.7350	RFQ	1665年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆
1N4135ur/tr	3.3900	RFQ	9364	微芯片技术	MIL-STD-750	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N4135ur/tr	Ear99	8541.10.0050	291					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1500欧姆
1N5521B	2.0250	RFQ	3302	微芯片技术	MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5521		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
1N718A	2.7150	RFQ	2017	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N718		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											15 v	13欧姆
JANTX1N6347CUS	39.7950	RFQ	8575	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTX1N6347CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V				91 v	270欧姆
1N4701	3.9300	RFQ	8092	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4701		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.6 V				14 V
CDLL5913B/TR	3.6575	RFQ	5974	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1.25 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5913B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²