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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6080US/TR	46.2000	RFQ	9683	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，c		标准		D-5C	-							100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 37.7 A	30 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜155°C	2a	-
1N4728ur-1/tr	3.6200	RFQ	4079	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
1N4735UR-1/tr	3.6200	RFQ	9457	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				6.2 v	2欧姆
1N4618ur/tr	3.5700	RFQ	5064	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	277			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
1N5950BUR-1/TR	4.6800	RFQ	8377	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	209			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 83.6 V				110 v	300欧姆
1N6078US/TR	36.7600	RFQ	3831	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		E-Melf	-							100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.76 V @ 18.8 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	1.3a	-
1N6333US/TR	14.7900	RFQ	6648	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
1N4989CUS/TR	26.0400	RFQ	2106	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V				200 v	500欧姆
1N7048ur-1/tr	9.4500	RFQ	6098	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-					Ear99	8541.10.0050	102
1N3157ur-1/tr	62.0700	RFQ	8624	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.76％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	100					10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
1N936BUR-1/TR	8.3800	RFQ	8074	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-					Ear99	8541.10.0050	115
1N4968US/TR	9.3400	RFQ	8664	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-					Ear99	8541.10.0050	103			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 20.6 V				27 V	6欧姆
1N4738ur/tr	3.6200	RFQ	2002	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
1N752AR-1/TR	3.1800	RFQ	2712	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	313			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
1N3600ur/tr	5.4400	RFQ	9091	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-							179	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	2.5pf @ 0v，1MHz
1N5280BUR-1/TR	5.3400	RFQ	1835年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	182			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 144 V				190 v	2400欧姆
1N4576AUR-1/TR	8.7800	RFQ	7406	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	110					2 µA @ 3 V					50欧姆
1n6632us/tr	14.7200	RFQ	2542	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V				3.3 v	3欧姆
1N6023UR-1/tr	3.7400	RFQ	8018	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	264			1.1 V @ 200 ma						91 v
1N988BUR-1/TR	8.2600	RFQ	5811	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	117			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 99 V				130 v	1100欧姆
1N5240BUR-1/TR	3.0200	RFQ	3280	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	329			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 8 V				10 v	17欧姆
1 PMT5951AE3/TR7	0.7350	RFQ	1306	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 v	380欧姆
JANS1N4972US/TR	86.0502	RFQ	7311	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4972US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 29.7 V				39 v	14欧姆
Jan1n6634c	-	RFQ	3664	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
JANTXV1N7054UR-1	12.8250	RFQ	4727	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N5186	8.7900	RFQ	2829	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/424	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5186	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N825AE3/tr	4.4550	RFQ	9836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N825AE3/tr	Ear99	8541.10.0050	212					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
JANS1N4106UR-1/TR	46.3100	RFQ	7508	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4106UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V				12 v	200欧姆
JAN1N6874UTK2CS	364.5450	RFQ	8455	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JAN1N6874UTK2CS	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
JANS1N4488D	343.5150	RFQ	2814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANS1N4488D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 72.8 V				91 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²